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一双极结型晶体管的紧凑器件结构及使用一衬底制造一器件结构的方法。一个或多个主沟槽隔离区域围绕该衬底的一有源器件区域以及该衬底的一集电极接触区域的周围而形成。一基极层形成于该有源器件区域以及该集电极接触区域上，且该有源器件区域包括一集电极。各...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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