一种晶圆临时键合方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆临时键合方法，包括：步骤1、提供一载片，在所述载片的第一面上开设多个真空槽；步骤2、提供一晶圆，在真空环境下将所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合，并通过键合胶将所述键合面的边缘与所述载片的第一面键合形成键合片；步骤3、进行所述晶圆的背面工艺；步骤4、将所述晶圆从所述载片上解离。本发明专利技术提供晶圆临时键合方法，在真空环境下将所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合，并通过键合胶将所述键合面的边缘与所述载片的第一面键合形成键合片，通过键合片中的真空槽来实现键合，对键合胶处理简单方便，工艺简单，减少了工艺成本。

A temporary bonding method for wafer

The present invention provides a method, a wafer temporary key comprises: Step 1, a slide in the slide on the first surface is provided with a plurality of vacuum tank; step 2, providing a wafer, the first surface will fit the wafer bonding surface in vacuum environment with the slide the first key, and through the bonding glue to the bonding surface and the edge of the slide together to form a bond film; step 3, the back of the wafer process; step 4, the wafer from the slide dissociation. The invention provides a wafer temporary bonding method, first jointing the wafer bonding surface in vacuum environment with the slide, the first key and the bonding glue to the bonding surface and the edge of the slide is formed by bonding bonding sheet, vacuum slot in realizing the bonding process on the bonding glue processing is simple and convenient, simple, reduce the process cost.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆临时键合方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆临时键合方法。
技术介绍
随着半导体制造技术复杂度与集成度的不断提高，三维集成(3D)电路制造技术，得到越来越广泛的应用。三维集成电路能够实现更小的芯片面积、更短的芯片间互连、更高的数据传输带宽以及不同工艺技术的集成，从而大幅度降低芯片功耗，减小延时，提高性能，扩展功能，并为实现复杂功能的片上系统(SOC)提供可能。三维集成电路制造技术使得晶圆键合与解离工艺成为一个非常重要的工艺步骤，通过对晶圆键合与解离完成实现复杂的工艺要求，从而得到三维集成电路所需要的晶圆。现有技术中通常是通过涂布一层或多层键合胶实现键合，键合胶的消耗较高，并且键合胶因为热膨胀特征可能导致发生翘曲，同时在解离时因为所述一层或多层键合胶层的存在，需要消除键合胶所提供的键合力，解离工艺也比较繁琐。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，通过多个真空槽来实现键合，解决键合胶消耗较高的问题。本专利技术提供的晶圆临时键合方法，包括：步骤1、提供一载片，在所述载片的第一面上开设多个真空槽；步骤2、提供一晶圆，在真空环境下将所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆临时键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一载片，在所述载片的第一面上开设多个真空槽；步骤2、提供一晶圆，在真空环境下将所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合，并通过键合胶将所述键合面的边缘与所述载片的第一面键合形成键合片；步骤3、进行所述晶圆的背面工艺；步骤4、将所述晶圆从所述载片上解离。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆临时键合方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一载片，在所述载片的第一面上开设多个真空槽；步骤2、提供一晶圆，在真空环境下将所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合，并通过键合胶将所述键合面的边缘与所述载片的第一面键合形成键合片；步骤3、进行所述晶圆的背面工艺；步骤4、将所述晶圆从所述载片上解离。2.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述载片的材料为硅片或玻璃。3.如权利要求1或2所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述载片的直径比所述晶圆的直径大0～2mm。4.如权利要求1或2所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述载片的厚度为0.4mm～1mm。5.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述真空槽通过干法刻蚀或湿法刻蚀的方式制作。6.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，多个所述真空槽的面积和为所述载片的面积的20％～80％。7.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，单个所述真空槽的宽度为10μm～1000μm。8.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，单个所述真空槽的深度为10μm～100μm。9.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，在所述载片的第一面或所述晶圆的键合面的边缘涂布一圈键合胶，所述键合胶的宽度为2～5mm，所述键合胶的厚度为10μm～50μm。10.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，在所述载片的第一面开设一圈涂胶凹槽，在所述涂胶凹槽内填充键合胶，所述涂胶凹槽的宽度为2～5mm，所述涂胶凹槽的深度为10μm～50μm。11.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，在所述晶圆的键合面与所述载片的第一面贴合后，用边缘注入的方式将所述键合胶注入到所述晶圆与所述载片交接处的缝隙中。12.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述晶圆的键合面上设置有凸起的器件结构，在所述载片上与所述器件结构相应的位置开设有可容纳所述器件结构的真空槽。13.如权利要求1所述的晶圆临时键合方法，其特征在于，所述键合胶的材料为加热固化胶材、紫外光照射固化胶材、加热分解型胶材或激光分解型胶材中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵滨，陈勇辉，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31