镭射修复方法及镭射修复后基板技术

本发明专利技术提供一种镭射修复方法，通过在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层，从而将镭射隔断后可能显露出来的线路通过所述绝缘层与外界进行隔开，在完成所述液晶显示面板的镭射修复后的其它后续制成过程中，使镭射隔断后显露出来的所述线路不至于被腐蚀。并且，通过在镭射熔接处沉积一层导电层，并使所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处，以通过所述导电层连接所述断路缺陷的断口两端的线路，从而在所述镭射熔接层未将断路位置的断口两端的线路连接的情况下，还能实现对所述短路缺陷的修复。

【技术实现步骤摘要】
镭射修复方法及镭射修复后基板
本专利技术涉及一种镭射修复
，尤其涉及一种镭射修复方法及镭射修复后基板。
技术介绍
现在液晶显示面板技术虽然已相当成熟，但是在液晶显示面板制作过程中难免会产生瑕疵，这些瑕疵会造成显示的不正常。若直接报废这些有瑕疵的液晶显示面板将会造成制造成本增加，因此，液晶显示面板的修补技术就变得相当重要。在现有技术中，液晶显示面板的瑕疵主要有短路或者断路两种缺陷，对于断路缺陷，通常采用镭射熔接(Laserwelding)的方式；对于短路缺陷，通常采用镭射隔断(Lasercutting)的方式。但是，在镭射熔接过程中，可能会产生熔接不充分，从而使得镭射熔接层并不能将断路位置的断口两端连接，即并不能解决短路缺陷。并且，在镭射隔断后，在液晶显示面板会形成隔断槽，隔断槽位置可能会有线路显露出来，从而在液晶显示面板的后续制成过程中，显露出来的线路容易被腐蚀，从而造成新的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的提供一种镭射修复方法，能够保证断路缺陷的断口两端进行有效的电连接，并且，保护镭射隔断后可能显露出来的线路，避免产生新的缺陷。本专利技术提供一种镭射修复方法，包括：提供一待修复基板，所述修复基板上有短路缺陷和/或断路缺陷；检测发现所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；移动镭射头至所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；通过所述镭射头对所述短路缺陷处进行镭射隔断形成一断口和/或通过所述镭射头对所述断路缺陷处进行镭射熔接；在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层；在所述镭射熔接处沉积一层导电层，所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处。其中，所述绝缘层的沉积方式为旋涂、气相沉积或脉冲激光沉积中任一种。其中，所述导电层的沉积方式为电镀、电子束蒸发、脉冲激光沉积中任一种。其中，所述绝缘层为无机绝缘材料或者有机聚合物绝缘材料。其中，所述绝缘层为聚酰亚胺、聚苯乙烯、二氧化硅中任意一种。其中，所述导电层为金属导电材料。其中，所述导电层为氢氧化钨或Ag。本专利技术还提供一种基板，其特征在于，所述基板上有镭射熔接层和/或镭射隔断口，所述镭射熔接层上层叠有导电层，所述镭射隔断口内设有绝缘层。其中，所述导电层为金属导电层。其中，所述绝缘层为无机绝缘层或者有机聚合物绝缘层。本专利技术提供的所述镭射修复方法，通过在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层，从而将镭射隔断后可能显露出来的线路通过所述绝缘层与外界进行隔开，在完成所述液晶显示面板的镭射修复后的其它后续制成过程中，使镭射隔断后显露出来的所述线路不至于被腐蚀，从而避免所述液晶显示面板在完全镭射修复后的其它制程中又产生新的缺陷。并且，通过在所述镭射熔接处沉积一层导电层，并使所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处，以通过所述导电层连接所述断路缺陷的断口两端的线路，从而在所述镭射熔接层未将断路位置的断口两端的线路连接的情况下，还能实现对所述短路缺陷的修复。附图说明为更清楚地阐述本专利技术的构造特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明。图1是本专利技术实施例在镭射修复方法流程图；图2-图4是本专利技术实施例的镭射修复断路缺陷各步骤的截面图；图5-图6是本专利技术实施例的镭射修复短路缺陷各步骤的截面图。具体实施例下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，不能理解为对本专利的限制。本专利技术提供一种镭射修复方法，用于对基板中的线路可能产生的断路缺陷及短路缺陷进行修复。其中，所述基板可以为液晶显示面板中的阵列基板、彩膜基板、电路板、芯片等。请一并参阅图2及图4，本实施例中，所述镭射修复方法用于修复阵列基板10中产生的断路缺陷及COA阵列基板20中产生的短路缺陷。所述阵列基板10包括第一基板11，依次层叠于所述第一基板11上的第一金属层12、半导体层13及第二金属层14。其中，所述第一金属层12与所述第二金属层14在一定位置需要进行连接，从而使得所述第一金属层12与所述第二金属层14上的信号能够得到有效的交流。本实施例中的所述阵列基板10中，原本所述第一金属层12与所述第二金属层14连接的位置断路，即所述第一金属层12与所述第二金属层14之间有缺口15，使得所述第一金属层12与所述第二金属层14上的信号不能够得到有效的交流。所述COA阵列基板20包括第二基板21，及依次层叠于所述第二基板21上的第三金属层22、半导体层24、第四金属层23、第一钝化层25、色阻层26及第二钝化层27。其中，所述第三金属层22、第四金属层23会由于异物沾染、腐蚀等各种原因而产生短路。本实施例中，所述COA阵列基板20放入第四金属层23的一侧与其它导电层短路，从而使得所述液晶显示面板显示异常。请一并参阅图1，本实施例中，提供所述镭射修复方法，用于对所述阵列基板10上的第一金属层12与所述第二金属层14断路缺陷进行修复，并对所述COA阵列基板20上的所述第二金属层与所述公共电极层发生的断路缺陷进行修复。具体的，所述镭射修复方法包括：步骤101、请参阅图2，提供待修复基板，所述修复基板上有短路缺陷和/或断路缺陷。根据产品异常情况判断所述基板可能的缺陷情况，并获得所述待修复基板。本实施例中，所述待修复基板为阵列基板10及COA阵列基板20。所述液晶显示面板的所述阵列基板10上的第一金属层12与所述第二金属层14之间产生断路缺陷；所述COA阵列基板20的所述第四金属层23的一侧与其它导电层短路产生电路，使得所述COA阵列基板20上出现短路缺陷。可以理解的是，所述短路缺陷及所述断路缺陷可以分别出现在不同的所述待修复基板上，也可以同时出现在一块所述待修复基板上。步骤102、检测发现所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置。通过显微镜或者放大镜等能够进行微观观测的检测装置对所述待修复基板进行观察检测，从而发现所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置。具体的，当所述待修复的基板上只有短路缺陷或断路缺陷时，检测所述短路缺陷或断路缺陷的位置；当所述待修复的基板上有短路缺陷和断路缺陷时，依次检测所述短路缺陷及断路缺陷的位置。所述本实施例中，通过显微镜对所述液晶显示面板的阵列基板10及COA阵列基板20进行检测。通过所述显微镜进行检测时，先使用较低的放大倍率，从而粗略的观测所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置的大致位置；再转换较高的放大倍率，精确的确定所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置。步骤103、移动镭射头至所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置。本专利技术中，通过镭射装置对所述待修复的基板上的所述短路缺陷和/或断路缺陷进行修复。所述镭射装置包括一镭射头及与所述镭射头连接的移动部，所述移动部带动所述镭射头进行任意方向的移动，以带动所述所述镭射头移动至所述短路缺陷和/或断路缺陷的所在的位置。步骤104、请参阅图3及图5，通过所述镭射头对所述短路缺陷处进行镭射隔断和/或通过所述镭射头对所述断路缺陷处进行镭射熔接。所述镭射装置内设有激光发生器，通过控制所述激光的能量、波长等参数，能够对所述激光照射的部位进行进行不同的操作。例如，当需要对所述短路缺陷处进行镭射隔断时，采用较高能够的所述激光，使所述激光照射部分的线路瞬时吸收大量能量并气化，即通过激光照射将所述短路的部分进形打断并形成一个断口16，从而完成对所述短路缺陷处的镭射隔断，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镭射修复方法，其特征在于，包括：提供一待修复基板，所述修复基板上有短路缺陷和/或断路缺陷；检测发现所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；移动镭射头至所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；通过所述镭射头对所述短路缺陷处进行镭射隔断形成一断口和/或通过所述镭射头对所述断路缺陷处进行镭射熔接；在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层；在所述镭射熔接处沉积一层导电层，所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处。

【技术特征摘要】
1.一种镭射修复方法，其特征在于，包括：提供一待修复基板，所述修复基板上有短路缺陷和/或断路缺陷；检测发现所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；移动镭射头至所述短路缺陷和/或断路缺陷的位置；通过所述镭射头对所述短路缺陷处进行镭射隔断形成一断口和/或通过所述镭射头对所述断路缺陷处进行镭射熔接；在镭射隔断形成的断口处沉积绝缘层；在所述镭射熔接处沉积一层导电层，所述导电层覆盖所述断路缺陷的断口处。2.如权利要求1所述的镭射修复方法，其特征在于，所述绝缘层的沉积方式为旋涂、气相沉积或脉冲激光沉积中任一种。3.权利要求1所述的镭射修复方法，其特征在于，所述导电层的沉积方式为电镀、电子束蒸发、脉冲激光沉积中任一种。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳幸，张迎春，黄友健，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44