用于测量电镀单元组件的状态的装置和相关方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了用于测量电镀单元组件的条件的装置和相关方法。用于测量电镀装置内的电接触件的电气性能的装置具有类似于晶片的盘形结构。形成多个导电垫以共同地外接盘形结构的外周。导电垫中相邻定位的导电垫彼此电隔离。该装置包括在第一端子处提供电流并在第二端子处吸入电流的电流源。该装置包括具有第一和第二输入端的测量电路，其基于存在于第一和第二输入端的信号来确定电参数的值。该装置包括用于在给定时间将导电垫中的选定导电垫连接到电流源的第一和第二端子以及连接到测量电路的第一和第二输入端的开关电路。该装置还包括车载电源。

【技术实现步骤摘要】
用于测量电镀单元组件的状态的装置和相关方法
本专利技术涉及半导体器件制造。
技术介绍
一些半导体器件制造工艺包括将材料电镀到半导体晶片(以下称为“晶片”)上。电镀可以在电镀单元中进行，其中具有导电籽晶层存在其上的晶片被定位成物理接触围绕晶片外周定位的多个电接触件。此外，在一些配置中，当晶片定位成物理接触多个电接触件时，晶片也可以被定位成使晶片的外周部分物理接触唇形密封构件，以尽可能地防止电镀溶液接触多个电接触件。在这种配置中，晶片和唇形密封构件之间的密封可能不完美，并且可能在多个电镀循环中恶化，从而不利地允许一些量的电镀溶液到达电接触件中的一些。以受控的方式将电流引导通过多个电接触件，以使存在于晶片上的籽晶层带电，从而引起导致晶片上的材料电镀的反应。随着电镀循环的数量增加，电镀材料可能会积聚在电接触件中的一些上和/或在唇密封件上，并导致沿延伸到晶片的一个或多个导电路径的电阻发生变化。沿着给定的到晶片的导电路径的电阻的变化可能影响晶片上的电镀结果。例如，沿着到晶片的给定导电路径的电阻增大可以减少沿着给定的导电路径流动的电流量，并且导致在晶片上在对应于给定的导电路径的物理接触位置附近的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测量半导体处理装置内的导电路径的电气性能的装置，所述半导体处理装置被配置为在晶片上执行处理时将所述导电路径电连接到所述晶片的表面，所述装置包括：盘形结构，其具有基本上等于所述晶片的外径的外径，所述盘形结构具有与所述晶片的总体厚度基本上相同的总体厚度；多个导电垫，其沿着所述盘形结构的第一侧的外周形成，其中所述多个导电垫中的相邻定位的导电垫彼此电隔离，并且其中所述多个导电垫共同外接所述盘形结构的所述第一侧的所述外周；电力源，其具有第一端子和第二端子，所述电力源被配置为当所述盘形结构位于所述半导体处理装置内时通过在所述第一端子和所述第二端子之间延伸的并且通过所述半导体处理装置的一部分的导电路...

【技术特征摘要】
2016.04.20 US 62/325,2371.一种用于测量半导体处理装置内的导电路径的电气性能的装置，所述半导体处理装置被配置为在晶片上执行处理时将所述导电路径电连接到所述晶片的表面，所述装置包括：盘形结构，其具有基本上等于所述晶片的外径的外径，所述盘形结构具有与所述晶片的总体厚度基本上相同的总体厚度；多个导电垫，其沿着所述盘形结构的第一侧的外周形成，其中所述多个导电垫中的相邻定位的导电垫彼此电隔离，并且其中所述多个导电垫共同外接所述盘形结构的所述第一侧的所述外周；电力源，其具有第一端子和第二端子，所述电力源被配置为当所述盘形结构位于所述半导体处理装置内时通过在所述第一端子和所述第二端子之间延伸的并且通过所述半导体处理装置的一部分的导电路径来提供电力，所述第一端子电连接到第一组的所述多个导电垫中的至少一个，所述第二端子电连接到第二组的所述多个导电垫中的至少一个，所述第二组的多个导电垫不包括所述第一组的多个导电垫，所述第一组的多个导电垫和所述第二组的多个导电垫形成在所述第一端子和所述第二端子之间延伸的所述导电路径的一部分；测量电路，其具有第一输入端和第二输入端，所述测量电路的所述第一输入端电连接到所述多个导电垫中的第一选定的导电垫，所述测量电路的所述第二输入端电连接到所述多个导电垫中的第二选定的导电垫，所述测量电路被配置为基于存在于所述多个导电垫中的所述第一选定的导电垫和第二选定的导电垫处的电信号来确定电参数的值；以及电源，其设置在所述盘形结构上，所述电源被连接以供应电力至所述盘形结构上的所有电力部件。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述盘形结构是印刷电路板。3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述盘形结构由电绝缘材料形成，并且其中所述多个导电垫中相邻定位的导电垫通过所述盘形结构的一部分彼此分离。4.根据权利要求1所述的装置，其中，电隔离结构被设置在所述盘形结构上以将所述多个导电垫中相邻定位的导电垫彼此电隔离。5.一种用于测量半导体处理装置内的导电路径的电气性能的方法，所述半导体处理装置被配置为当在晶片上执行处理时将所述导电路径电连接到所述晶片的表面，所述方法包括：将测量装置布置在所述半导体处理装置内，所述测量装置具有盘形结构，所述盘形结构具有基本上等于所述晶片的外径的外径并具有与所述晶片的总体厚度基本上相同的总体厚度，其中所述测量器件位于所述半导体处理装置内，使得沿着所述测量装置的第一侧的外周形成的多个导电垫物理接触所述半导体处理装置内的电接触件，其中所述多个导电垫中相邻定位的导电垫在所述测量装置上彼此电隔离，并且其中所述多个导电垫共同地外接所述测量装置的所述第一侧的所述外周；操作所述测量装置以通过导电路径提供电力，所述导电路径包括第一组的所述多个导电垫中的至少一个和第二组的所述多个导电垫中的至少一个，其中所述第二组的多个导电垫不包括所述第一组的多个导电垫；操作所述测量装置以测量存在于所述多个导电垫中的第一选定的导电垫和所述多个导电垫中的第二选定的导电垫处的电信号；以及操作所述测量装置以使用所测量的电信号确定导电路径的表征参数，所述导电路径延伸穿过所述半导体处理装置的一部分并且包括所述多个导电垫中的所述第一选定的导电垫和所述多个导电垫中的所述第二选定的导电垫。6.根据权利要求5所述的方法，其中，延伸穿过所述半导体处理装置的所述部分的所述导电路径的表征参数是电阻值。7.一种用于测量半导体处理装置内的导电路径的电气性能的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克·E·爱默生，史蒂文·T·迈尔，劳伦斯·奥索乌斯基，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US