【技术实现步骤摘要】
抛光组合物和抛光方法
本专利技术涉及对硬盘等作为信息记录介质的玻璃基片抛光用的抛光组合物。本专利技术还涉及用所述抛光组合物的抛光方法。
技术介绍
传统上已知一种用于信息记录介质用玻璃基片的抛光的抛光组合物。日本公开专利公报NO.2001-89748披露了一种抛光组合物(下文称第一先前技术的抛光组合物),其含有:以稀土金属氧化物如氧化铈作为主要成分的磨料;以及水。日本公开专利公报NO.2000-144112披露了一种抛光组合物(下文称第二先前技术的抛光组合物),其含有:由选自含铁的氧化物和含铁基的化合物中的至少一种组成的磨料;以及水。第一先前技术和第二先前技术的抛光组合物通过研磨对玻璃基片进行机械式抛光。玻璃基片抛光所用的抛光组合物应当满足以下要求:(1)抛光后,玻璃基片的表面粗糙度变小;(2)抛光组合物容易被洗去,即,通过清洗很容易把抛光组合物从玻璃基片上除去;(3)磨料在抛光组合物中具有很好的分散性;以及(4)抛光组合物具有较高的切削率,也就 ...
【技术保护点】
一种用于抛光玻璃基片的抛光组合物,其特征在于,所述抛光组合物由二氧化硅、酸和水组成。
【技术特征摘要】
JP 2003-11-4 2003-3746641.一种用于抛光玻璃基片的抛光组合物,其特征在于,所述抛光组合物由二氧化硅、酸和水组成。2.如权利要求1所述的抛光组合物,其特征在于,所述二氧化硅为胶体二氧化硅、热解法二氧化硅或沉淀法二氧化硅。3.如权利要求2所述的抛光组合物,其特征在于,所述二氧化硅为胶体二氧化硅。4.如权利要求3所述的抛光组合物,其特征在于,用BET法通过测定所述胶体二氧化硅的比表面积而得到的所述胶体二氧化硅的平均粒径DSA为5~300nm。5.如权利要求3所述的抛光组合物,其特征在于,用激光衍射散射法测得的所述胶体二氧化硅的平均粒径DN4为5~300nm。6.如权利要求2所述的抛光组合物,其特征在于,所述二氧化硅是平均粒径DSA为10~300nm的热解法二氧化硅,所述平均粒径DSA是用BET法测定所述胶体二氧化硅的比表面积而得到的。7.如权利要求2所述的抛光组合物,其特征在于,所述二氧化硅是平均粒径DN4为30~500nm的热解法二氧化硅,所述平均粒径DN4是用激光衍射散射法测得的。8.如权利要求1所述的抛光组合物,其特征在于,所述抛光组合物中二氧化硅的含量为0.1~50mass%。9.如权利要求8所述的抛光组合物,其特征在于,所述抛光组合物中二氧化硅的含量为3~30mass%。10.如权利要求1所述的抛光组合物,其特征在于,所述酸为盐酸,磷酸,硫酸,膦酸,硝酸,亚磷酸,...
【专利技术属性】
技术研发人员:大桥圭吾,大胁寿树,
申请(专利权)人:福吉米株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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