The invention discloses a radio frequency switch and a manufacturing method thereof. The RF switch includes a substrate, a plurality of unit interval distribution formed on the substrate, between adjacent cells isolated by STI; each unit includes a first gate and the second gate, a public source / drain region forming a substrate side of the first gate and the second gate adjacent in an active region is formed between the other side and STI the first gate, a drain region is formed between the other side of the STI and the second gate, a connection layer is formed in the common source / drain region and a source region, a drain region and STI, in order to reduce the parasitic capacitance of MOM. In the source area, public source / drain region, the drain region and the SIT is arranged on the connection layer, so without forming a plug and a metal wire in source and drain regions, a decrease due to the MOM parasitic capacitance, the loss is reduced; on the other hand also optimized device structure, fabrication process is simplified.
【技术实现步骤摘要】
射频开关及其制造方法
本专利技术涉及射频结构及其制造领域,特别是涉及一种射频开关及其制造方法。
技术介绍
目前,各种通信标准根据无线通信技术的发展也同时发展。另外,根据无线通信模块的小型化和便携通信终端的性能的改善,对个人便携通信终端符合多个通信标准的需求变得明显。因此,个人便携通信终端应该以其操作的频带数量增加。即,新的通信技术补充现有的第二代(2G)和第三代(3G)通信技术,使得使用第四代(4G)通信方案(诸如长期演进(LTE))的通信终端得到发展。另外,在Wi-Fi通信领域,便携通信终端除了现有的IEEE802.11b/g/n协议之外已实现以IEEE802.11ac标准进行操作的能力以提高其可销售性。根据该趋势,已在收发机的前面设置前端模块并与其集成。在该情况下,支持发射和接收模式的射频开关应运而生。射频开关应该尽量保持发射器和接收器的特征。尤其是,射频开关在发射模式中应该具有低的插入损耗和高P1dB级别(P1dBlevel),并且在接收模式中应该具有低噪声。另外,在发射模式,接收器侧的开关可能由于非常大的信号而被无意地开启。该操作可能降低发射器的开关的P1dB级别并劣化发射器和接收器之间的隔离特性。如图1所示,现有技术中的射频开关,包括衬底1,在衬底1中的浅沟槽隔离(STI)3将衬底分为多个单元,每个单元包括两个栅极结构2以及栅极结构2两侧的源/漏区4,源/漏区4通过插塞5和金属线6引出。研究发现,在制作过程中增大器件的尺寸有利于获得大功率的射频开关。然而,在实际生产中发现结果却不尽如人意,有着很大的损耗,这是目前所急需改进的。
技术实现思路
本专利技 ...
【技术保护点】
一种射频开关,包括衬底,所述衬底上形成有间隔分布多个单元,相邻单元之间由STI隔离;每个单元包括第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区,所述第一栅极的另一侧与STI之间形成有源区,所述第二栅极的另一侧与STI之间形成有漏区,所述公共源/漏区、源区、漏区及STI上形成有一层连接层。
【技术特征摘要】
1.一种射频开关,包括衬底,所述衬底上形成有间隔分布多个单元,相邻单元之间由STI隔离;每个单元包括第一栅极和第二栅极,所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区,所述第一栅极的另一侧与STI之间形成有源区,所述第二栅极的另一侧与STI之间形成有漏区,所述公共源/漏区、源区、漏区及STI上形成有一层连接层。2.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述连接层的材质为多晶硅。3.如权利要求1或2所述的射频开关,其特征在于,所述连接层的厚度为4.如权利要求1所述的射频开关,其特征在于,所述第一栅极和第二栅极呈叉指状排列。5.如权利要求4所述的射频开关,其特征在于,所述连接层的形状为蛇形。6.一种射频开关的制造方法,包括:提供衬底;在所述衬底中形成STI以...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨晓芳,王鷁奇,蔡建祥,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造天津有限公司,中芯国际集成电路制造上海有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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