射频开关及其制造方法技术

本发明专利技术揭示了一种射频开关及其制造方法。所述射频开关包括衬底，所述衬底上形成有间隔分布的多个单元，相邻单元之间由STI隔离；每个单元包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区，所述第一栅极的另一侧与STI之间形成有源区，所述第二栅极的另一侧与STI之间形成有漏区，所述公共源/漏区、源区、漏区及STI上形成有一层连接层，以降低MOM源漏寄生电容。本发明专利技术通过在源区、公共源/漏区、漏区及SIT上设置连接层，使得在源漏区上不用形成插塞和金属线，一方面降低了由于MOM源漏寄生电容，减少了损耗；另一方面也优化了器件结构，简化了制作工艺。

Radio frequency switch and its manufacturing method

The invention discloses a radio frequency switch and a manufacturing method thereof. The RF switch includes a substrate, a plurality of unit interval distribution formed on the substrate, between adjacent cells isolated by STI; each unit includes a first gate and the second gate, a public source / drain region forming a substrate side of the first gate and the second gate adjacent in an active region is formed between the other side and STI the first gate, a drain region is formed between the other side of the STI and the second gate, a connection layer is formed in the common source / drain region and a source region, a drain region and STI, in order to reduce the parasitic capacitance of MOM. In the source area, public source / drain region, the drain region and the SIT is arranged on the connection layer, so without forming a plug and a metal wire in source and drain regions, a decrease due to the MOM parasitic capacitance, the loss is reduced; on the other hand also optimized device structure, fabrication process is simplified.

【技术实现步骤摘要】
射频开关及其制造方法
本专利技术涉及射频结构及其制造领域，特别是涉及一种射频开关及其制造方法。
技术介绍
目前，各种通信标准根据无线通信技术的发展也同时发展。另外，根据无线通信模块的小型化和便携通信终端的性能的改善，对个人便携通信终端符合多个通信标准的需求变得明显。因此，个人便携通信终端应该以其操作的频带数量增加。即，新的通信技术补充现有的第二代(2G)和第三代(3G)通信技术，使得使用第四代(4G)通信方案(诸如长期演进(LTE))的通信终端得到发展。另外，在Wi-Fi通信领域，便携通信终端除了现有的IEEE802.11b/g/n协议之外已实现以IEEE802.11ac标准进行操作的能力以提高其可销售性。根据该趋势，已在收发机的前面设置前端模块并与其集成。在该情况下，支持发射和接收模式的射频开关应运而生。射频开关应该尽量保持发射器和接收器的特征。尤其是，射频开关在发射模式中应该具有低的插入损耗和高P1dB级别(P1dBlevel)，并且在接收模式中应该具有低噪声。另外，在发射模式，接收器侧的开关可能由于非常大的信号而被无意地开启。该操作可能降低发射器的开关的P1dB级别并劣化发射器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频开关，包括衬底，所述衬底上形成有间隔分布多个单元，相邻单元之间由STI隔离；每个单元包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区，所述第一栅极的另一侧与STI之间形成有源区，所述第二栅极的另一侧与STI之间形成有漏区，所述公共源/漏区、源区、漏区及STI上形成有一层连接层。

【技术特征摘要】
1.一种射频开关，包括衬底，所述衬底上形成有间隔分布多个单元，相邻单元之间由STI隔离；每个单元包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区，所述第一栅极的另一侧与STI之间形成有源区，所述第二栅极的另一侧与STI之间形成有漏区，所述公共源/漏区、源区、漏区及STI上形成有一层连接层。2.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述连接层的材质为多晶硅。3.如权利要求1或2所述的射频开关，其特征在于，所述连接层的厚度为4.如权利要求1所述的射频开关，其特征在于，所述第一栅极和第二栅极呈叉指状排列。5.如权利要求4所述的射频开关，其特征在于，所述连接层的形状为蛇形。6.一种射频开关的制造方法，包括：提供衬底；在所述衬底中形成STI以...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨晓芳，王鷁奇，蔡建祥，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12