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本发明揭示了一种射频开关及其制造方法。所述射频开关包括衬底，所述衬底上形成有间隔分布的多个单元，相邻单元之间由STI隔离；每个单元包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极和第二栅极相邻的一侧的衬底中形成有公共源/漏区，所述第一栅极的另一侧与ST...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。