聚酰亚胺前体及其应用制造技术

本发明专利技术涉及聚酰亚胺前体及其应用。本发明专利技术提供一种具有式(1)或(1’)的结构的酰胺酸酯低聚物：

Polyimide precursor and its application

The invention relates to a polyimide precursor and its application. The invention provides a has the formula (1) or (1) ester oligomer structure:

【技术实现步骤摘要】
聚酰亚胺前体及其应用
本专利技术涉及一种聚酰亚胺(polyimide，简称PI)的前体，本专利技术还涉及该前体在制备聚酰亚胺中的应用。
技术介绍
聚酰亚胺由于具有优异的热稳定性及良好的机械、电气及化学性质，一直是高性能高分子材料的首选。聚酰亚胺于集成电路工业、电子构装、漆包线、印刷电路板、感测组件、分离膜及结构材料等应用上都相当重要，并扮演着关键性材料的角色。一般以二阶段缩聚反应方式合成聚酰亚胺。第一阶段将二胺单体溶于如N-甲基吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)或二甲基亚砜(DMSO)的极性非质子性溶剂中，再加入等摩尔二酸酐单体。其后，于低温或常温下进行缩合反应，形成聚酰亚胺前体(precursor)，即，聚酰胺酸(poly(amicacid)；简称为PAA)。接着，第二阶段通过加热酰亚胺化(thermalimidization)或化学酰亚胺化(chemicalimidization)，进行缩合脱水环化反应，将聚酰胺酸转变为聚酰亚胺。上述制备聚酰亚胺的反应流程可简述如下。在上述制备方法中，若第一阶段所得到的聚酰胺酸分子量未达一定标准(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种酰胺酸酯低聚物，其具有下式(1)或(1’)的结构：

【技术特征摘要】
2016.11.30 TW 1051395861.一种酰胺酸酯低聚物，其具有下式(1)或(1’)的结构：其中：G各自独立为四价有机基团；P各自独立为二价有机基团；R为C1-C14烷基、未经取代或经一或多个选自羟基及C1-C4烷基的基团取代的C6-C14芳基、或具有烯属不饱和基的基团；Rx各自独立为H、C1-C8烷基或具有烯属不饱和基的基团；D为经C1-C8烷基取代的5或6元含氮杂环基或经5或6元含氮杂环基的基团取代的C1-C8烷基；其中R1为H、C1-C8卤代烷基、经一或多个选自C6-C14芳基、5或6元含氮杂环基及氰基的基团取代的C1-C8烷氧基、C1-C8卤代烷氧基或-NR5R6；R2及R3为卤素；R4为甲基或R5及R6可相同或不相同且各自独立为H、未经取代或经一或多个烷基取代的C6-C14芳基；E为或-N(CH3)2；及m为1至100的整数。2.如权利要求1的低聚物，其中所述烯属不饱和基选自由以下基团所构成的组：乙烯基、丙烯基、甲基丙烯基、正丁烯基、异丁烯基、乙烯基苯基、丙烯基苯基、丙烯氧基甲基、丙烯氧基乙基、丙烯氧基丙基、丙烯氧基丁基、丙烯氧基戊基、丙烯氧基己基、甲基丙烯氧基甲基、甲基丙烯氧基乙基、甲基丙烯氧基丙基、甲基丙烯氧基丁基、甲基丙烯氧基戊基、甲基丙烯氧基己基及具有下式(2)的基团：其中R7为亚苯基、C1-C8亚烷基、C2-C8亚烯基、C3-C8亚环烷基、C1-C8羟基亚烷基或其中n’为1～4的整数；且R8为氢或C1-C4烷基。3.如权利要求1的低聚物，其中R各自独立选自由以下基团所构成的组：4.如权利要求1的低聚物，其中所述四价有机基团选自由以下基团所构成的组：其中X各自独立为氢、卤素、C1-C4全氟烷基或C1-C4烷基；且A及B每次出现时各自独立为共价键、未经取代或经一或多个选自羟基及C1-C4烷基的基团取代的C1-C4亚烷基、C1-C4全氟亚烷基、C1-C4亚烷氧基、亚硅烷基、-O-、-S-、-C(O)-、-OC(O)-、-S(O)2-、-C(＝O)O-(C1-C4亚烷基)-OC(＝O)-、-CONH-、亚苯基、亚联苯基或其中K为-O-、-S(O)2-、C1-C4亚烷基或C1-C4全氟亚烷基。5.如权利要求1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何长鸿，吴仲仁，周孟彦，蒋舜人，黄勃喻，郑仲凯，
申请(专利权)人：长兴材料工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71