用于制造半导体器件的方法技术

提供了用于制造半导体器件的方法。所述方法包括：在基底中形成在第一方向上延伸的栅极线，在栅极线的侧表面上形成杂质区，在基底上形成绝缘膜图案，绝缘膜图案在第一方向上延伸并且包括被构造为暴露杂质区的第一通孔，在第一通孔上形成阻挡金属层，形成填充第一通孔并且电连接到杂质区的导电线接触件，在导电线接触件和绝缘膜图案上形成第一掩模图案，第一掩模图案在与第一方向不同的第二方向上延伸，第一掩模图案包括第一开口，通过利用第一掩模图案执行光刻工艺形成接合垫，通过部分地蚀刻阻挡金属层去除阻挡金属层的角部。

Method for manufacturing semiconductor device

A method for fabricating semiconductor devices is provided. The method includes forming a gate line extending in a first direction on the base, the gate line side is formed on the surface of the impurity region, an insulating film pattern is formed on the substrate, an insulating film pattern and includes first through hole exposed impurity regions extend in a first direction, a barrier metal layer is formed on the first through hole forming, filling the first through hole and is electrically connected to the conductive impurity region of the contact line, the conductive line contact and the first mask pattern formed on the insulating film pattern on the first mask pattern extending in a second direction different from the first direction, a first mask pattern includes a first opening, by using the first mask a pattern forming bonding pad performing lithography process by partially etching barrier metal barrier layer and corner metal removal.

【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法本申请要求于2016年4月25日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0050200号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及用于制造半导体器件的方法。
技术介绍
随着半导体器件高度集成并且它们的图案变得微小，为了制造具有改善的特性的半导体器件，已经做出了各种尝试。具体地，可以执行用于制造接合垫(landingpad，或称为接垫、着垫或着陆垫)的各种方法，所述接合垫支持偏心(eccentricity)，同时在诸如具有蜂窝结构的存储单元的结构中确保诸如位线或存储电极的上导体与下导体之间的稳定的接触。
技术实现思路
本专利技术构思的方面提供了允许利用预先图案化的栅栏来执行自对齐并且/或者允许在形成接合垫中减少光刻工艺的用于制造半导体器件的方法。本专利技术构思的另一方面提供了允许通过部分地蚀刻接合垫确保工艺余量的用于制造半导体器件的方法。然而，本专利技术构思的方面不局限于这里阐述的方面。通过参照下面给出的对本专利技术构思的详细描述，本专利技术构思的以上和其他的方面对本专利技术构思所属领域的普通技术人员将变得更明显。根据本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基底中形成在第一方向上延伸的栅极线，在栅极线的侧表面上形成杂质区；在基底上形成绝缘膜图案，绝缘膜图案在第一方向上延伸并且包括被构造为暴露杂质区的第一通孔；在第一通孔上形成阻挡金属层；形成填充第一通孔并且电连接到杂质区的导电线接触件；在导电线接触件和绝缘膜图案上形成第一掩模图案，第一掩模图案在与第一方向不同的第二方向上延伸；通过使用第一掩模图案执行光刻工艺形成接合垫；以及通过部分地蚀刻阻挡金属层去除阻挡金属层的角部。

【技术特征摘要】
2016.04.25 KR 10-2016-00502001.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基底中形成在第一方向上延伸的栅极线，在栅极线的侧表面上形成杂质区；在基底上形成绝缘膜图案，绝缘膜图案在第一方向上延伸并且包括被构造为暴露杂质区的第一通孔；在第一通孔上形成阻挡金属层；形成填充第一通孔并且电连接到杂质区的导电线接触件；在导电线接触件和绝缘膜图案上形成第一掩模图案，第一掩模图案在与第一方向不同的第二方向上延伸；通过使用第一掩模图案执行光刻工艺形成接合垫；以及通过部分地蚀刻阻挡金属层去除阻挡金属层的角部。2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一掩模图案包括以斜线形状延伸的开口。3.根据权利要求1所述的方法，其中，第一掩模图案包括以波形形状延伸的开口。4.根据权利要求1所述的方法，其中，第一掩模图案包括在垂直方向上延伸的开口。5.根据权利要求1所述的方法，其中，部分地蚀刻阻挡金属层的步骤包括部分地湿法蚀刻阻挡金属层。6.根据权利要求1所述的方法，其中，第一方向与第二方向形成锐角。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成绝缘膜图案的步骤包括：在基底上顺序地形成层间绝缘膜和屏蔽膜；在屏蔽膜上形成第二掩模图案，第二掩模图案在第一方向上延伸并且包括与栅极线叠置的第二开口；使用第二掩模图案作为蚀刻掩模来形成穿过屏蔽膜和层间绝缘膜的第二通孔；以及用绝缘材料填充第二通孔。8.根据权利要求7所述的方法，其中，绝缘材料具有对于层间绝缘膜的高的蚀刻选择性。9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成绝缘膜图案的步骤还包括：在用绝缘材料填充第二通孔之后，通过去除屏蔽膜和层间绝缘膜来形成所述第一通孔。10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成导电线接触件的步骤包括：形成部分地填充第一通孔的第一接触件；以及在第一接触件上形成第二接触件。11.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基底中形...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹灿植，李基硕，金桐吾，金容才，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR