减少外延衬底缺陷的形成方法技术

本发明专利技术提出了一种减少外延衬底缺陷的形成方法，先对原始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理，去除原始外延衬底较多的刮伤和缺陷，接着，进行抛光处理，接着，通过检测收集原始外延衬底表面形貌数据，并对形貌数据进行分析，获得原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，并通过待刻蚀量确定不同区域所需的工艺参数，有针对性的刻蚀去除原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，从而去除原始外延衬底表面的缺陷及刮伤，形成表面平滑的外延衬底，进而使后续形成的外延层性能得到提高。

Method for reducing epitaxial substrate defect formation

The present invention provides a method for reducing the formation of epitaxial defects on the substrate, the original epitaxial substrate immersion defect removal, removal of the original epitaxial substrate more scratches and defects, then polishing treatment, then detected by collecting the original epitaxial substrate surface topography and morphology of data, data analysis, etching to obtain the original amount of epitaxial substrate in different regions, and the process parameters required for different regions to be determined by the amount of etching, etching the etching quantity to be removed from the original epitaxial substrate in different regions, in order to remove the defects of original epitaxial substrate surface and scratch, forming the smooth surface of the epitaxial substrate, and epitaxial layer performance the subsequent formation of improved.

【技术实现步骤摘要】
减少外延衬底缺陷的形成方法
本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种减少外延衬底缺陷的形成方法。
技术介绍
在传统的外延衬底形成方法中，在远端和近端生长的单晶硅锭被切断从而形成块状，接着对块状进行外围打磨，并且形成定位边或定位V槽，用于起到位置指示的作用；接着，对块状进行切片处理，获得外延衬底；接着，对外延衬底进行倒角处理；接着，进行双面研磨(DoubleDiskSurfaceGrinding,DDSG)；接着，再进行单面研磨(SingleDiskSurfaceGrinding,SDSG)；接着，进行双面抛光处理(DoubleDiskSurfacePolishing)；接着，进行单面抛光处理(SingleDiskSurfacePolishing)；最后在形成的外延衬底上形成所需的外延层。然而，传统的外延衬底形成的方法中存在以下问题：在进行机械加工，例如切片、打磨等工艺，机械会不可避免的在外延衬底表面造成刮伤(Scratch)，造成的刮伤和缺陷成为起点，会使后续形成的外延层产生错位、堆垛缺陷等结晶缺陷；当机械加工对外延衬底造成的损伤较大时，还会在后续形成的外延层中产生滑移，导致形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供原始外延衬底；对所述初始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理；对所述原始外延衬底进行抛光处理；检测所述原始外延衬底表面形貌，并保存形貌数据；对所述形貌数据进行分析，获得所述原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，并通过所述待刻蚀量确定不同区域所需的工艺参数；根据不同区域的所需工艺参数进行原始外延衬底不同区域的刻蚀，使所述原始外延衬底表面更加平滑；对所述原始外延衬底进行单面抛光，获得最终的外延衬底。

【技术特征摘要】
1.一种减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供原始外延衬底；对所述初始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理；对所述原始外延衬底进行抛光处理；检测所述原始外延衬底表面形貌，并保存形貌数据；对所述形貌数据进行分析，获得所述原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，并通过所述待刻蚀量确定不同区域所需的工艺参数；根据不同区域的所需工艺参数进行原始外延衬底不同区域的刻蚀，使所述原始外延衬底表面更加平滑；对所述原始外延衬底进行单面抛光，获得最终的外延衬底。2.如权利要求1所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，采用单片旋转喷射湿法对原始外延衬底不同区域进行刻蚀。3.如权利要求2所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述工艺参数包括工艺温度和工艺时间。4.如权利要求3所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述原始外延衬底不同区域的工艺温度采用吸盘分区控制电阻加热法进行调节。5.如权利要求4所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述吸盘包括多个矩阵排列的微型加热单元。6.如权利要求5所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述微型加热单元为珀尔帖效应装置或电阻加热装置。7.如权利要求5所述的减少外延衬底缺陷的形成方法，其特征在于，所述微型加热单元为聚酰亚胺加热器、硅橡胶加热器、云母加热器、金属加热器、陶瓷加热器、半导体加热器或碳加热器的一种或多种。8...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖德元，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31