一种三维硅基片式薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种三维硅基片式薄膜电容器，包括硅基体，制造在硅基体上的微型孔洞，在孔洞内形成的薄膜电容器功能层和顶电极层以及硅基体背面的底电极层；所述硅基体为低电阻率硅基体，晶向100，单面抛光；所述功能层为二氧化硅和氮化硅双层结构；所述顶电极层为钛钨打底层和金层；所述底电极层为钛钨打底层和金层。本实用新型专利技术的三维硅基片式薄膜电容器具有体积小、损耗低、绝缘电阻高、耐压高、温度系数小等效串联电阻和等效串联电感低等特点；由于其制造工艺与半导体工艺相兼容，性能稳定，可广泛应用于航空航天、军事雷达、计算机通信，便携式电子设备，汽车能源，家用电子等领域，具有非常广阔的市场前景和巨大的商业价值。

【技术实现步骤摘要】
一种三维硅基片式薄膜电容器
本技术涉及电容器制造领域，具体涉及一种三维硅基片式薄膜电容器。
技术介绍
随着电子技术的发展，电子信息产业进入后摩尔时代。无源器件在线路板中所占体积比也越来越大，与电子线路“微型化、集成化、智能化”的发展趋势的矛盾日渐突出。为了解决这一日渐突出的矛盾，电容器作为最基本的无源器件，其不可必免地要朝着体积小，容量大，功耗低，性能稳定的方向发展。采用薄膜工艺制备的硅电容器因其体积小，损耗小，功耗低，价格便宜得到了广泛应用，但是相对于陶瓷电容器，这种工艺的硅电容器耐压十分有限，大大限制了硅电容器的进一步推广应用。三维硅基片式薄膜电容器主要应用在航空航天、军事雷达、计算机通信，便携式电子设备，汽车能源，家用电子等领域。随着硅基薄膜电容器的制造技术的不断进步，其性能将不断得到提升，应用范围将不断扩大，进而推动硅基类器件技术的发展，提高我国的元器件技术水平，使我国的电子元器件产品质量和挡次向更高层次发展，具有重要的社会效益。
技术实现思路
技术目的：本技术提供一种三维硅基片式薄膜电容器，该片式薄膜电容器大大提高了硅电容器的耐压值，解决了硅电容器耐压低的问题，提高了硅电容器的电性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：包括硅基体(1)、微型孔洞(8)、氧化硅层(2)、氮化硅层(3)、顶部打底层(4)、顶部金层(5)、背部打底层(6)和背部金层(7)，所述硅基体(1)一侧为抛光面，该抛光面上设有若干个微形孔洞(8)；所述硅基体(1)的抛光面上设有氧化硅层(2)，在氧化硅层(2)上设有氮化硅层(3)；所述顶部打底层(4)设置在氮化硅层(3)上，在顶部打底层(4)上设置顶部金层(5)，所述背部打底层(6)设置在硅基体(1)的另一侧，在背部打底层(6)上设有背部金层(7)。

【技术特征摘要】
1.一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：包括硅基体(1)、微型孔洞(8)、氧化硅层(2)、氮化硅层(3)、顶部打底层(4)、顶部金层(5)、背部打底层(6)和背部金层(7)，所述硅基体(1)一侧为抛光面，该抛光面上设有若干个微形孔洞(8)；所述硅基体(1)的抛光面上设有氧化硅层(2)，在氧化硅层(2)上设有氮化硅层(3)；所述顶部打底层(4)设置在氮化硅层(3)上，在顶部打底层(4)上设置顶部金层(5)，所述背部打底层(6)设置在硅基体(1)的另一侧，在背部打底层(6)上设有背部金层(7)。2.根据权利要求1所述的一种三维硅基片式薄膜电容器，其特征在于：所述基体(1)为硅材料，单面抛光，粗糙度要求0.05～0.1，晶向100。3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺勇，韩玉成，尚超红，张铎，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：新型
国别省市：贵州,52