一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用技术
A metal 1T molybdenum disulfide nano chip array and its preparation method and Application
The invention provides a metal 1T molybdenum disulfide array and preparation method and application thereof, which comprises the following steps: the basal heat treatment, basal functional; functional substrate, molybdate and sulfur compounds by solvent thermal reaction in solvent, metal 1T MoS2 Nanoflake arrays. Firstly, the substrate is heat treated to improve the wettability of the substrate surface, and then a metallic 1T molybdenum disulfide nanosheets array is formed on the substrate surface by a one-step solvothermal reaction. Steps of the preparation method of the invention is simple, low cost, high yield, to meet the requirements of environmental protection; and the preparation of metal 1T molybdenum disulfide lithium storage array has excellent performance, has in lithium ion battery applications.
【技术实现步骤摘要】
一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用
本专利技术涉及储能材料的
，特别涉及一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列及其制备方法和应用。
技术介绍
过渡金属硫化物是通过转换反应来实现锂离子嵌入的材料，具有较高的理论容量，但是其循环性能较差。在所有已报道的过渡金属硫化物中，具有类石墨结构的二硫化钼纳米材料由于在催化、储氢材料、锂离子电极材料等方面的潜在应用而受到关注。MoS2分子层内是由中间一层Mo原子与上下两层S原子通过强的共价键连接而成，而层与层之间则通过弱范德华力作用堆砌。二硫化钼主要有两种晶相，一种是稳态的三棱柱结构的2H相，一种是亚稳态的八面体结构的1T相。其中MoS2的常见构型为2H相，该构型的MoS2表现出半导体行为，具有导电性差的特点。1T-MoS2具有与2H相完全不同的原子配位环境，呈现出与2H-MoS2完全不同的电子结构，表现出金属性行为。目前，金属相1T二硫化钼的制备方法很多，主要有碱金属插层剥离法，电子束轰击法，高压法，贵金属电子转移法等，但是这些方法普遍对设备要求比较高，且成本高，不利于大规模制备和商业化应用。
技术实现思路
有鉴于此...
【技术保护点】
一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列的制备方法，包括以下步骤：将基底进行热处理，得到功能化的基底；将功能化的基底、钼酸盐和含硫化合物在溶剂中进行溶剂热反应，得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。
【技术特征摘要】
1.一种金属性1T二硫化钼纳米片阵列的制备方法，包括以下步骤：将基底进行热处理，得到功能化的基底；将功能化的基底、钼酸盐和含硫化合物在溶剂中进行溶剂热反应，得到金属性1T二硫化钼纳米片阵列。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为400～500℃；所述热处理的时间为0.5～2h。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钼酸盐包括钼酸钠、钼酸钾和钼酸铵中的一种或几种。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含硫化合物包括硫脲和/或L-半胱氨酸。5.根据权利要求1或3或4所述的制备方法，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴明红，湛晶，潘登余，吴宽，施文彦，徐刚，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：上海,31
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