一种1T相二硫化钼的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种1T相二硫化钼的制备方法，将包含钼源、硫源、铵源的水溶液在160～220℃下水热反应，制得1T相二硫化钼。所述的铵源为有机季铵盐和/或无机铵盐。本发明专利技术中，在铵源和水热反应温度的协同作用下，可通过一锅反应制得具有1T相二硫化钼；该制备方法简单、生产效率高、制备过程安全。

Preparation method of 1T phase molybdenum disulfide

The invention discloses a preparation method of 1T phase molybdenum disulfide, which comprises a molybdenum source, a sulfur source and an aqueous solution of ammonium source and is subjected to thermal reaction at 160~220 DEG C to prepare 1T phase molybdenum disulfide. The ammonium source is an organic quaternary ammonium salt and / or an inorganic ammonium salt. Under the synergistic action of the ammonium source and the hydrothermal reaction temperature, the 1T phase molybdenum disulfide can be prepared by a pot reaction, the preparation method is simple, the production efficiency is high, and the preparation process is safe.

【技术实现步骤摘要】
一种1T相二硫化钼的制备方法
本专利技术涉及一种1T相二硫化钼的制备方法，属于无机材料二硫化钼的制备领域。
技术介绍
二硫化钼作为一种重要的二维层状纳米材料，由于其特殊的层状结构，较大的比表面积，良好的化学稳定性和热稳定性等特点，广泛应用与摩擦润滑，催化精制，储氢材料，和光电制氢催化剂等诸多领域。总的来说，二硫化钼存在多种晶体结构，最常见的是1T，2H，3R这三种晶体结构。其中，2H和3R相二硫化钼属于半导体，而1T相二硫化钼具有金属性。此外，在光电制氢催化领域内1T相二硫化钼具有杰出的性能。普通2H相二硫化钼导电性能较差，并且其析氢催化活性位主要分布于层状结构边缘，基础面则无活性；而1T相二硫化钼除了导电性能出色之外，其析氢催化活性位同时分布于层状结构边缘和基础面。这使得1T相二硫化钼催化剂成为光电制氢催化领域内的焦点。但是，目前制备1T相二硫化钼的方法主要是通过锂离子插层，然后对二硫化钼进行剥离得到。此方法得到1T相二硫化钼的效率较低，并且制备过程有一定的危险性，无法广泛应用于1T相二硫化钼的制备。公开号为CN104961353A尽管可以得到二维薄膜，但是无法获得1T相二硫化钼。
技术实现思路
为解决现有技术无法一锅反应制备1T相二硫化钼的问题，本专利技术提供了一种一步水热合成1T相二硫化钼的制备方法，旨在简化1T相二硫化钼制备工艺，提升生产效率和制备安全性。本专利技术是通过以下步骤实现的：一种1T相二硫化钼的制备方法，将包含钼源、硫源、铵源的水溶液在160～220℃下水热反应，制得1T相二硫化钼。本专利技术中，在铵源和水热反应温度的协同作用下，可通过一锅反应制得具有1T相二硫化钼；该制备方法简单、生产效率高、制备过程安全。本专利技术中，所述的铵源为可在水溶液中电离NH4+离子的化合物，例如有机季铵盐、无机铵盐、氢氧化铵等。所述的铵盐优选为水溶性含铵化合物。所述的有机季铵盐例如为铵根离子的羧酸盐、磺酸盐等。本专利技术中，作为优选，所述的铵源为无机铵盐。进一步优选，所述的铵源为碳酸氢铵、醋酸铵、硫酸铵、硝酸铵、碳酸铵、硫酸氢铵、氯化铵、氢氧化铵中的至少一种。最优选，所述的铵源为碳酸氢铵。本专利技术人发现，所述铵源的投加对1T相二硫化钼产物的制备以及产物中1T相二硫化钼含量具有一定影响。研究发现，所述的铵源和钼源的摩尔比提高，有助于1T相产物含量提升，但摩尔比进一步提高，1T相产物含量提升不明显，且容易造成物料浪费；然而，摩尔比过低则容易导致1T相含量偏低；作为优选，铵源和钼源的摩尔比为2.0～8.0。所述的铵源和钼源的摩尔比可认为铵源的NH4+和钼源的钼离子的摩尔比；进一步优选，所述的铵源的NH4+和钼源的摩尔比为2.5～7.5。本专利技术中，所述的水热反应在密闭环境下进行，例如在水热反应釜中密闭反应。水热反应温度对1T晶相产物含量的提升具有较大影响；高于所述的温度上限容易降低产物中的1T相含量；低于所述的温度下限时，产物二硫化钼结晶性差，1T相含量仍偏低。通过研究发现，本专利技术中，配合所述铵源的比例和所述的水热反应温度，有助于制备高含量的1T相二硫化钼。作为优选，所述的水热反应温度为180～220℃。在所述优选范围内，二硫化钼结晶性好，产物中1T相含量高。进一步优选，所述的水热反应温度为180～200℃。本专利技术中，所述钼源为钼的水溶性盐和/或氧化物。作为优选，所述钼源为水溶性钼酸盐和/或氧化钼。所述钼酸盐为钼酸根阳离子化合物及其水合物。进一步优选为钼酸铵、钼酸钠及其水合物中的至少一种。进一步优选，所述的钼源为钼酸铵。作为优选，所述的硫源可采用本领域技术人员所熟知的可作为硫源的化合物。进一步优选，所述的硫源为硫代乙酰胺和/或硫脲。更进一步优选，所述的硫源为硫代乙酰胺。本专利技术中，可根据制备二硫化钼的物料选择性地调整钼/硫摩尔比。作为优选，钼源和硫源的钼/硫元素摩尔比为0.2～0.5。本专利技术中，在所述的水热条件下进行反应，优选的水热反应时间为大于或等于12h；进一步优选为12～14h。水热反应后，对反应液进行降温处理；固液分离后再采用水和乙醇对固体部分进行洗涤；再后干燥即得到所述的1T相二硫化钼；干燥的温度优选为50～70℃；干燥时间优选为10～14h。本专利技术中，一种优选的1T相二硫化钼的制备方法，具体包括以下处理步骤：步骤(1)：将钼酸铵、硫代乙酰胺溶于适量蒸馏水中，其中钼和硫的摩尔比为0.2～0.5；步骤(2)：往步骤(1)所得溶液中加入适量碳酸氢铵，控制碳酸氢铵与钼的摩尔比为2.5～7.5；步骤(3)：将步骤(2)混合的溶液搅拌均匀后，置于水热反应釜中，将反应釜密封，放入160～220℃恒温箱中，保温至少12小时；步骤(4)：水热反应后冷却至室温，取出产物，并用蒸馏水和酒精清洗产物，60℃恒温干燥箱中，干燥12小时，得1T相二硫化钼。本专利技术的优点在于：1、采用一步水热合成1T相二硫化钼，工艺简单易操作、生产效率高并且制备过程更安全；2、通过添加铵源作为反应助剂，可制备出高性能1T相二硫化钼；3、所述的水热产物中，通过一锅反应，制得的产物中1T相二硫化钼的含量高达60％以上；4、本专利技术制备过程中，所有试剂均为商业产品，无需繁琐制备。附图说明图1所示为本专利技术制备的1T相二硫化钼的Raman图；图2所示为本专利技术制备的1T相二硫化钼的XPS图；图3所示为本专利技术制备的1T相二硫化钼的TEM图。具体实施方法实施例1：将0.88g钼酸铵、0.94g硫代乙酰胺和1.98g碳酸氢铵置于40ml蒸馏水中，用磁力搅拌器搅拌30分钟，直至溶液无色透明，将其倒入反应釜中并密封，然后加热至200℃并保温13小时，待其冷却至室温，用蒸馏水和无水乙醇洗涤产物，60℃恒温干燥箱中，干燥12小时，得黑色粉末状产物。如图1，通过拉曼光谱可以初步得出1T二硫化钼的存在，其中出现的j1、j2和j3特征峰代表1T相二硫化钼。通过图2，XPS分析进一步证实所得二硫化钼中存在1T相二硫化钼，并且1T相所占比例大于2H相。如图3，通过透射电镜可直接的观察到1T相二硫化钼的存在。水热产物中，1T相产物含量为61.5％。实施例2：将0.88g钼酸铵、0.94g硫代乙酰胺和1.98g碳酸氢铵置于40ml蒸馏水中，用磁力搅拌器搅拌30分钟，直至溶液无色透明，将其倒入反应釜中并密封，然后加热至180℃并保温13小时，待其冷却至室温，用蒸馏水和无水乙醇洗涤产物，60℃恒温干燥箱中，干燥12小时，可得1T相二硫化钼。水热产物中，1T相产物含量为53.7％。实施例3：将0.88g钼酸铵、0.94g硫代乙酰胺和1.98g碳酸氢铵置于40ml蒸馏水中，用磁力搅拌器搅拌30分钟，直至溶液无色透明，将其倒入反应釜中并密封，然后加热至160℃并保温13小时，待其冷却至室温，用蒸馏水和无水乙醇洗涤产物，60℃恒温干燥箱中，干燥12小时，可得1T相二硫化钼。水热产物中，1T相产物含量为50.3％。实施例4：将0.88g钼酸铵、0.94g硫代乙酰胺和1.98g碳酸氢铵置于40ml蒸馏水中，用磁力搅拌器搅拌30分钟，直至溶液无色透明，将其倒入反应釜中并密封，然后加热至220℃并保温13小时，待其冷却至室温，用蒸馏水和无水乙醇洗涤产物，60℃恒温干燥箱中，干燥12小时，可得1T相二硫化钼。水热产物中，1T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于，将包含钼源、硫源、铵源的水溶液在160～220℃下水热反应，制得1T相二硫化钼。

【技术特征摘要】
1.一种1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于，将包含钼源、硫源、铵源的水溶液在160～220℃下水热反应，制得1T相二硫化钼。2.如权利要求1所述的1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述的铵源为无机铵盐。3.如权利要求2所述的1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述的铵源为碳酸氢铵、醋酸铵、硫酸铵、硝酸铵、碳酸铵、硫酸氢铵、氯化铵、氢氧化铵中的至少一种。4.如权利要求2所述的1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述的铵源为碳酸氢铵。5.如权利要求1～4任一项所述的1T相二硫化钼的制备方法，其特征在于，所述的钼源为水溶性钼酸盐和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴壮志，王德志，张祥勇，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南,43