一种高浓度二硫化钼纳米片分散液及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种高浓度二硫化钼纳米片分散液及其制备方法和应用，所述分散液的浓度为1‑20mg/mL。制备方法包括：将辉钼矿加入到有机溶剂中，超声5～30h，得到硫化钼纳米薄片分散液，离心筛选，抽滤，得到硫化钼纳米薄片；将硫化钼纳米薄片通过溶剂转移法转移至低沸点溶剂中，超声分散，得到高浓度二硫化钼纳米分散液。本发明专利技术的方法简单，环保，制备得到的硫化钼纳米片分散液的制备方法解决了现有技术生产制备出的硫化钼纳米片容易团聚，稳定性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于过渡金属硫族化合物材料及其制备领域，特别涉及一种高浓度二硫化钼纳米片分散液及其制备方法和应用。
技术介绍
由于层状材料具有强的层内共价键作用力和相对较弱的层间范德华力，二维(2D)结构在平面中提供了很优异的电子传输路径，并且避免了层与层之间较差的三维(3D)传输过程。因此，类石墨烯2D材料由于其独特的结构显示出奇妙的电子，光学和机械性能。二硫化钼(MoS2)因为导电性和活性边缘位置使得它成为一种很有前途的析氢反应(HER)催化剂，它是一种类似于石墨的具有弱范德华键的层状六方结构，其将相邻的S-Mo-S层链接在一起，2D-MoS2表现出一些令人感兴趣的性质，当厚度减少到单层时，带隙可以从间接带隙改变为直接带隙以及更多暴露的活性位点，导致光响应和光致发光量子产率的巨大增强。然而，在硫化钼纳米片实际上成为用于半导体工业的主流电子材料之前，必须实现硫化钼纳米片的大规模制备。通过在各种有机溶剂中超声处理剥离层状硫化钼材料以产生单层或少层结构，是最近的主要突破。但如果将其大规模应用，该方法所得到的硫化钼纳米片的浓度(约0.3-0.8mg/mL)仍然较低。此外，使用的溶剂昂贵且有毒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高浓度二硫化钼纳米片分散液，其特征在于，所述分散液的浓度为1‑20mg/mL。

【技术特征摘要】
1.一种高浓度二硫化钼纳米片分散液，其特征在于，所述分散液的浓度为1-20mg/mL。2.根据权利要求1所述的一种高浓度二硫化钼纳米片分散液，其特征在于，所述分散液中二硫化钼纳米片为单层或少层。3.根据权利要求1所述的一种高浓度二硫化钼纳米片分散液，其特征在于，所述分散液中二硫化钼纳米片的横向尺寸为200～400nm。4.一种如权利要求1所述的高浓度二硫化钼纳米分散液的制备方法，包括：(1)将辉钼矿加入到有机溶剂中，超声5～30h，得到硫化钼纳米薄片分散液，离心筛选，抽滤，得到硫化钼纳米薄片；(2)将步骤(1)中的硫化钼纳米薄片通过溶剂转移法转移至低沸点溶剂中，超声分散，得到高浓度二硫化钼纳米分散液。5.根据权利要求4所述的一种高浓度二硫化钼纳米分散液的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中有机溶剂为二甲基甲酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-辛基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺和N-乙烯基吡咯烷酮中...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘天西，王开，张超，张凌隽，李乐，杨静，赵哲，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：上海;31