静电释放装置及制造方法、聚焦离子束设备及使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种静电释放装置及制造方法、聚焦离子束设备及使用方法。所述静电释放装置包括一固定器和一连接件。所述固定器设置在所述晶圆装载台上，且所述固定器与所述晶圆装载台电连接。所述连接件分别与所述固定器和放置于所述晶圆承载台上的晶圆电连接。本发明专利技术中的静电释放装置及制造方法、聚焦离子束设备及使用方法，通过在所述晶圆装载台上设置固定器，并使固定器与晶圆装载台电连接，并通过连接件分别与固定器和晶圆电连接，使得晶圆、连接件、固定器和晶圆装载台依次电连接，从而有效避免了在用聚焦离子束设备制作透射电子显微镜样品时，晶圆中累积的静电荷引发尖端放电，损伤样品，导致制作的样品失效。

Electrostatic discharge device and manufacturing method, focusing ion beam equipment and use method

The invention provides an electrostatic release device, a manufacturing method, a focused ion beam device and a method of use. The electrostatic release device includes a fixer and a connector. The fixing device is arranged on the wafer loading platform, and the fixer is connected with the wafer loading electric station. The connecting pieces are electrically connected with the fixing device and the wafer placed on the wafer bearing platform respectively. The invention of the electrostatic releasing device and manufacturing method, focused ion beam apparatus and method of use, by setting the fixer in the wafer loading station, and the fixing device and wafer loading electric connection, and respectively and electrically connected through the wafer holder and the connecting piece, the connecting piece, wafer, and wafer holder the loading units are electrically connected in turn, so as to avoid in the production of samples for transmission electron microscopy using focused ion beam device, static charge accumulation caused by wafer tip discharge, cause damage to the sample, making the sample failure.

【技术实现步骤摘要】
静电释放装置及制造方法、聚焦离子束设备及使用方法
本专利技术涉及透射电子显微镜样品制作领域，特别涉及一种静电释放装置及制造方法、聚焦离子束设备及使用方法。
技术介绍
集成电路的制造工艺是在衬底材料(如硅衬底)上，运用各种工艺形成不同“层”，并在选定的区域掺入离子以改变衬底材料的导电性能，形成半导体器件的过程。集成电路的制造工艺十分的复杂，是由多种单项工艺组合而成的。主要的单项工艺有：薄膜制备工艺、图形转移工艺和掺杂工艺。为了能够满足芯片复杂功能的运算的要求，芯片上电路图形的关键尺寸不断地缩小。当电路图形的关键尺寸进入到20nm以下时，传统意义上的光学检测设备由于分辨率的限制较难捕捉到一些电路图形的细小结构。特别是当电路图形中的细小结构存在缺陷时，需要通过FIB(FocusedIonBeam，聚焦离子束)设备对晶圆进行加工，以制作透射电子显微镜的样品，再通过透射电子显微镜看清所述样品，以分析和判断缺陷发生的工艺。采用FIB设备制作透射电子显微镜的样品的过程如下：首先，将晶圆置于FIB设备的晶圆装载台上；然后，采用FIB设备对晶圆进行加工，例如打薄晶圆或者切割晶圆，使需要通过透射电子显微本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电释放装置，其特征在于，用于释放晶圆中的静电荷，所述晶圆放置于聚焦离子束设备的晶圆装载台上；所述静电释放装置包括：一固定器，所述固定器设置在所述晶圆装载台上，且所述固定器与所述晶圆装载台电连接；以及一连接件，所述连接件分别与所述固定器和放置于所述晶圆承载台上的晶圆电连接。

【技术特征摘要】
1.一种静电释放装置，其特征在于，用于释放晶圆中的静电荷，所述晶圆放置于聚焦离子束设备的晶圆装载台上；所述静电释放装置包括：一固定器，所述固定器设置在所述晶圆装载台上，且所述固定器与所述晶圆装载台电连接；以及一连接件，所述连接件分别与所述固定器和放置于所述晶圆承载台上的晶圆电连接。2.如权利要求1所述的静电释放装置，其特征在于，所述连接件为沉积在所述晶圆的正面和所述固定器上的导电薄膜，所述导电薄膜覆盖在部分所述晶圆的正面上。3.如权利要求2所述的静电释放装置，其特征在于，所述连接件的材质为铂或钨。4.如权利要求1至3任一项所述的静电释放装置，其特征在于，所述固定器包括一弹性件和一限位件；所述弹性件的一端与所述晶圆装载台固定连接，所述弹性件的另一端与所述限位件固定连接；所述限位件与所述晶圆装载台电连接，所述限位件还与所述连接件电连接；所述弹性件用于挤压所述限位件，使所述限位件抵压所述晶圆的侧面上。5.如权利要求4所述的静电释放装置，其特征在于，所述限位件与所述晶圆装载台滑动连接。6.如权利要求4所述的静电释放装置，其特征在于，所述固定器的数量为三个，且三个所述固定器呈等间距分布。7.如权利要求1所述的静电释放装置，其特征在于，所述晶圆装载台为静...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪棋梁，陈宏璘，龙吟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31