基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：基板保持工具，其能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠为多层，具有在铅垂方向上分隔所述多个基板所堆叠的区域的多个分隔板；处理容器，其能够收容该基板保持工具；突出部，其以从该处理容器内的与所述分隔板的外周侧面相对的内周壁面朝向所述分隔板的外周侧面向内侧突出的方式延伸，在形成于突出了的顶端的内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间形成有间隙；以及气体供给部件，其能够向形成在该突出部的所述内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间的所述间隙供给非活性气体而形成压力比周围的压力高的正压部。

Substrate processing device

The present invention provides a substrate processing device. The substrate processing apparatus includes: a substrate holding tool, which can be a substrate in a vertical direction with intervals of stacked multilayer, a plurality of partition plates separated with the plurality of substrates are stacked in a vertical direction of the region; processing container, capable of accommodating the substrate holding tool; projection the week, from the wall to a processing container and the partition plate on the peripheral side relative to the inner surface of the partition plate toward the peripheral side extends to the medial highlight the ways in which a gap is formed between the formed in the highlights the top inner side and the outer peripheral surface of the partition board gas supply; and its components, can the gap between the supply to the protrusion formed in the inner peripheral side of the partition plate and the peripheral side of the non reactive gas to form a positive pressure pressure than the surrounding high pressure.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理装置。
技术介绍
以往公知有一种包括以下工序的半导体装置的制造方法：向设置在反应管的内部的处理室搬入在与基板处理面垂直的方向上配置有多张的基板，该反应管以被加热装置包围外周的方式设置；向以至少到达加热装置的外侧的方式设置在反应管的内部且设置在反应管的侧面的位于处理基板的区域的部分的气体导入管导入气体，从以在与基板处理面垂直的方向上跨着至少两张以上基板的大小设置成狭缝状的喷出口向处理室喷出气体，处理基板。在该半导体装置的制造方法中，在基板处理工序中，向后述的多个气体导入划分部导入气体，从分别设置在多个气体导入划分部的喷出口向处理室喷出气体，针对多个气体导入划分部的每个气体导入划分部形成侧流，使进入到基板之间的气体量均匀，欲提升多张基板的面内、面间的均匀性；前述的气体导入划分部设置在气体导入管内，是在与基板处理面垂直的方向上由划分壁划分成的。
技术实现思路
专利技术要解决的问题但是，在上述的半导体装置的制造方法的结构中，即使气体导入划分部被划分壁划分，在划分壁和基板之间也存在在垂直方向上未划分的间隙，成为气体能够通过该间隙上下往来的状态，因此，存在难以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：基板保持工具，其能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠为多层，具有在铅垂方向上分隔所述多个基板所堆叠的区域的多个分隔板；处理容器，其能够收容该基板保持工具；突出部，其以从该处理容器内的与所述分隔板的外周侧面相对的内周壁面朝向所述分隔板的外周侧面向内侧突出的方式延伸，在形成于突出了的顶端的内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间形成间隙；以及气体供给部件，其能够向形成在该突出部的所述内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间的所述间隙供给非活性气体而形成压力比周围的压力高的正压部。

【技术特征摘要】
2016.03.29 JP 2016-0652501.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：基板保持工具，其能够将多个基板在铅垂方向上具有间隔地堆叠为多层，具有在铅垂方向上分隔所述多个基板所堆叠的区域的多个分隔板；处理容器，其能够收容该基板保持工具；突出部，其以从该处理容器内的与所述分隔板的外周侧面相对的内周壁面朝向所述分隔板的外周侧面向内侧突出的方式延伸，在形成于突出了的顶端的内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间形成间隙；以及气体供给部件，其能够向形成在该突出部的所述内周侧面和所述分隔板的外周侧面之间的所述间隙供给非活性气体而形成压力比周围的压力高的正压部。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述分隔板具有圆板形状，所述正压部具有圆环形状。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述气体供给部件贯通所述分隔板和所述突出部中的至少一者的内部地设置。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述突出部的所述内周侧面和所述分...

【专利技术属性】
技术研发人员：似鸟弘弥，小池悟，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP