一种高纯SiC压敏陶瓷制造技术

本发明专利技术涉及一种高纯SiC压敏陶瓷，所述SiC压敏陶瓷的密度为3.21±0.01gcm

A high purity SiC varistor ceramic

The invention relates to a high-purity SiC varistor ceramic, wherein the density of the SiC varistor ceramic is 3.21 + 0.01gcm

【技术实现步骤摘要】
一种高纯SiC压敏陶瓷
本专利技术涉及一种高致密高纯SiC陶瓷压敏陶瓷及其制备方法，属于SiC陶瓷领域。
技术介绍
压敏电阻陶瓷材料是指在一定温度下和某一特定电压范围内具有非线性伏–安特性、其电阻随电压的增加而急剧减小的一种半导体陶瓷材料。根据这种非线性伏安特性，可以用这种半导体陶瓷材料制成非线性电阻器，即压敏电阻器。压敏电阻器的应用很广，可以用来灭火花、过电压保护、制备避雷针和电压稳定化等。由于压敏电阻器在保护设备安全、保障设备正常稳定工作方面有重要作用，因此在航空、航天、邮电、铁路、汽车和家用电器等领域获得广泛的应用，众多的国内外学者也对压敏电阻陶瓷材料进行了广泛而深入的研究。尽管ZnO压敏电阻使用非常广泛，但是SiC压敏电阻也有其优势，除在灭磁速度方面性能略差ZnO电阻元件相应性能外，SiC压敏电阻在元件运行可靠，结构紧凑体积小、能容大、时效性良好，元件自身可独立实现较好的均流和均能特性等诸多集成综合性能方面具有明显的优点，另外SiC陶瓷化学稳定性以及物理特性如耐腐蚀、耐辐照、热导率等方面也优于ZnO陶瓷材料。目前国际上只有M&I等少数国外公司生产SiC压敏陶瓷材料，国本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SiC压敏陶瓷，其特征在于，所述SiC压敏陶瓷的密度为3.21±0.01gcm

【技术特征摘要】
1.一种SiC压敏陶瓷，其特征在于，所述SiC压敏陶瓷的密度为3.21±0.01gcm-3，且在20～100℃内伏安特性保持不变，所述SiC压敏陶瓷的制备方法包括：将SiC粉体置于石墨坩埚体的底部，控制粉体孔隙率为50～70%；于真空中升温至1200～1400℃以排除SiC粉体吸附的杂质；通入惰性气氛并继续升温至2100～2300℃，控制压力为103～105Pa，控制沿石墨坩埚高度方向的温度梯度为2.5～4℃/cm，保温30～120分钟，采用物理气相传输方法在所述石墨坩埚的顶盖的内表面上生长所述SiC压敏陶瓷。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，黄政仁，朱云洲，刘学建，陈忠明，姚秀敏，刘岩，袁明，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31