The aim of the invention is to provide stable and cheap method for light and high thermal conductivity, and has complex and low rate of silicon carbide ceramic substrate close to the expansion, especially the carbide composite is suitable for no warping of the radiator radiator component. The invention relates to a manufacturing method of silicon carbide composite with aluminum as the main component of metal impregnated in porous silicon carbide forming body formed, characterized in that the manufacturing method of silicon carbide composite, porous silicon carbide forming body formed by wet molding method, preferably wet molding method for wet pressing for wet casting method.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅质复合体的制造方法
本专利技术涉及一种碳化硅质复合体的制造方法，该碳化硅质复合体适于：搭载半导体元件等电子构件、电气构件的半导体电路基板、特别是电源模块等所使用的陶瓷基板的散热构件，及散热器。
技术介绍
近年来，电路基板的小型化、半导体元件的高集成化飞速发展，期望进一步提高电路基板、特别是以陶瓷为基板的陶瓷电路基板的散热特性。作为散热特性优异的陶瓷电路基板，添加有氧化铍(BeO)的碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)等陶瓷受到关注。将上述陶瓷基板用于电路基板、封装用基体等时，使被传递至陶瓷基板的由半导体元件等电气·电子构件放出的热经由设置在上述电路基板背面的称为散热器的散热构件而发散至外部，由此防止由半导体元件温度升高而导致的故障的产生，确保电路基板的动作特性。作为散热器，代表性物质已知有铜，但将其用于陶瓷电路基板时，由于铜与陶瓷基板之间的热膨胀系数的不同，所以受到加热时的、或半导体元件工作时和停止时的热循环，具有于陶瓷基板产生裂痕、破裂、或在将陶瓷基板与散热器接合的焊锡部分产生裂痕等问题。因此，特别是在要求高可靠性的领域中，将与陶瓷基板...
【技术保护点】
一种碳化硅质复合体的制造方法，是使以铝为主要成分的金属含浸在多孔质碳化硅成型体中而成的碳化硅质复合体的制造方法，其特征在于，由硅溶胶、硅溶胶的胶凝剂及粒径10～200μm的碳化硅粉末得到浆料，所述硅溶胶的胶凝剂是含苯乙烯‑马来酸酐共聚物的聚亚烷基二醇或其衍生物，将通过湿压法或者湿式流延法得到的湿式预成型体在80℃以上且低于100℃的干燥温度下干燥后，进而于800℃～1100℃烧成，由此形成多孔质碳化硅成型体，使以铝为主要成分的金属含浸在该多孔质碳化硅成型体中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.18 JP 2014-2562011.一种碳化硅质复合体的制造方法，是使以铝为主要成分的金属含浸在多孔质碳化硅成型体中而成的碳化硅质复合体的制造方法，其特征在于，由硅溶胶、硅溶胶的胶凝剂及粒径10～200μm的碳化硅粉...
【专利技术属性】
技术研发人员：宫川健志，后藤大助，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。