新颖电平移位器制造技术
Novel level shifter
The embodiment of the invention discloses a novel level shifter. The level shifter circuit comprises eight MOD transistors and a capacitor, a first MOS transistor coupled to a first predetermined supply voltage VDDM source, second MOS transistor is coupled to a first predetermined supply voltage VDDM source, third MOS transistor is coupled to the drain of the first transistor MOS source fourth, MOS transistor is coupled to the drain of the second transistor MOS source, fifth MOS transistor having a drain coupled to the gate of the third MOS transistor and the second transistor MOS source, and coupled to the grid of the third MOS transistor and the input node, and coupled to the grounded drain, sixth MOS transistor is coupled to the drain of the fourth MOS transistor and the gate of the first MOS transistor and an output node of the source.
【技术实现步骤摘要】
新颖电平移位器
本专利技术实施例涉及一种新颖电平移位器。
技术介绍
电平移位器是解决系统的在多个电压域中操作的不同部分之间的混合电压不兼容性的装置。电平移位器在当今的复杂系统中、尤其在与老式旧装置介接时是常见的。除用于标准装置接口(例如，I2C、SD卡、SIM卡)的经性能优化专用电平移位器外，还存在利用或提供宽广范围的电压、频率、位宽度及IO类型(例如，漏极开路或推拉)的各种各样的标准通用电平移位器。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种电平移位器电路，其包括：第一MOS晶体管，其具有耦合到第一预定供应电压VDDM的源极；第二MOS晶体管，其具有耦合到所述第一预定供应电压VDDM的源极；第三MOS晶体管，其具有耦合到所述第一MOS晶体管的漏极的源极及耦合到在第二电压域VDD域中操作的输入节点的栅极；第四MOS晶体管，其具有耦合到所述第二MOS晶体管的漏极的源极，所述第四MOS晶体管的漏极耦合到在第一电压域VDDM域中操作的输出节点；及电容器，其具有耦合到所述输入节点的第一板及耦合到所述第二晶体管的所述漏极的第二板。附图说明当借助附图阅读时，从以下详细描述最佳地理解本...
【技术保护点】
一种电平移位器电路，其包括：第一MOS晶体管，其具有耦合到第一预定供应电压VDDM的源极；第二MOS晶体管，其具有耦合到所述第一预定供应电压VDDM的源极；第三MOS晶体管，其具有耦合到所述第一MOS晶体管的漏极的源极及耦合到在第二电压域VDD域中操作的输入节点的栅极；第四MOS晶体管，其具有耦合到所述第二MOS晶体管的漏极的源极，所述第四MOS晶体管的漏极耦合到在第一电压域VDDM域中操作的输出节点；及电容器，其具有耦合到所述输入节点的第一板及耦合到所述第二晶体管的所述漏极的第二板。
【技术特征摘要】
2016.03.18 US 15/073,9481.一种电平移位器电路，其包括：第一MOS晶体管，其具有耦合到第一预定供应电压VDDM的源极；第二MOS晶体管，其具有耦合到所述第一预定供应电压VDDM的源极；第三MOS晶体管，其具有耦合到所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建源，李政宏，廖宏仁，谢豪泰，叶哲儒，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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