多层电容器的制造方法技术

本发明专利技术提出了一种多层电容器的制造方法，通过形成多层电容器的第一电极、第二电极和介电层，形成多个电容器层，减小了电容器的体积，再形成介质层以包裹住多层电容器，采用刻蚀的方法刻蚀层叠体一侧的第一电极，使层叠体这一侧的第一电极较第二电极短，采用刻蚀的方法刻蚀层叠体另一侧的第二电极，使层叠体这一侧的第二极较第一电极短，避免了刻蚀大量的沟槽和使用更多的掩模层，精简了工艺、提升了多层电容器的器件的性能。

Method for manufacturing multilayer capacitor

The invention provides a method for manufacturing a multilayer capacitor, the first electrode, forming a multilayer capacitor second electrode and the dielectric layer, forming a plurality of capacitor layers, reducing the volume of capacitor, and a dielectric layer is formed to wrap the multilayer capacitor, a first electrode by etching method, etching the laminate side the first electrode stacked body side of the second electrode is short, the second electrode etching method, etching on the other side of the laminate, the second laminate side of the first electrode is short, to avoid trench etching and use of a large number of more mask layer, simplifies the process and improves the performance of the device the multilayer capacitor.

【技术实现步骤摘要】
多层电容器的制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，尤其涉及一种多层电容器的制造方法。
技术介绍
多层电容器是安装于各种电子产品的印刷电路板中用于充放电的芯片式电容器，被广泛的应用于电子产品中。目前，半导体集成电路制造技术飞速发展，随之带来的是移动通信装置和便携式电子装置市场的拓展，需要体积小、容量大、成本低廉的多层电容器，由此对多层电容器的制造方法也提出了更高的要求。现有的一类多层电容器的制造方法，是将多个电容器层通过施加热硬化粘合剂或紫外硬化粘合剂粘合起来，在电容器层两侧设置有阶梯部分，用以区分两个电极。这类电容器的制造方法工艺虽简单，但是无法将电容的体积大，无法制作大容量的电容器。另一类多层电容器的制造方法引入了半导体薄膜，在基片上沉积具有高介电常数的介电膜和溅射处理电极膜，多个电极膜和介电膜层叠形成电容器，通过刻蚀的方式暴露出两个电极，此类多层电容器也有局限性，其两个电极端的结构在层叠结构中非常复杂，使用此类方法制造多层电容器需要刻蚀较多的沟槽和多个掩模层，工艺复杂，成本也相应增加。所以，有必要开发一种体积小、质量优、需要较少掩模层的多层高密度电容器的制造方法。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层电容器的制造方法，其特征在于，所述多层电容器的制造方法包括：在衬底上形成层叠体，所述层叠体包括多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与第二电极交替设置，每个所述第一电极和所述第二电极之间设置有介电层；刻蚀所述层叠体第一侧的所有第一电极，使所述层叠体第一侧的所有第一电极较所有第二电极短，所有第一电极形成第一外部电极；刻蚀所述层叠体第二侧的所有第二电极，使所述层叠体第二侧的所有第二电极较所有第一电极短，所有第二电极形成第二外部电极，所述第二侧与所述第一侧相对；形成金属线，所述金属线连接所述第一外部电极和所述第二外部电极。

【技术特征摘要】
1.一种多层电容器的制造方法，其特征在于，所述多层电容器的制造方法包括：在衬底上形成层叠体，所述层叠体包括多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与第二电极交替设置，每个所述第一电极和所述第二电极之间设置有介电层；刻蚀所述层叠体第一侧的所有第一电极，使所述层叠体第一侧的所有第一电极较所有第二电极短，所有第一电极形成第一外部电极；刻蚀所述层叠体第二侧的所有第二电极，使所述层叠体第二侧的所有第二电极较所有第一电极短，所有第二电极形成第二外部电极，所述第二侧与所述第一侧相对；形成金属线，所述金属线连接所述第一外部电极和所述第二外部电极。2.如权利要求1所述的多层电容器的制造方法，其特征在于，所述第一电极的材料为Pt、Al、W、Ta、Cu、Co、Ni和Ti中的至少一种金属或其导电氧化物及氮化物；所述第二电极的材料为Pt、Al、W、Ta、Cu、Co、Ni和Ti中的至少一种金属或其导电氧化物及氮化物，所述第一电极的材料与所述第二电极的材料不同。3.如权利要求1所述的多层电容器的制造方法，其特征在于，刻蚀所述层叠体第一侧的所有第一电极，使所述层叠体第一侧的所有第一电极较所有第二电极短，所有第一电极形成第一外部电极的步骤包括：形成介质层以包覆所述层叠体；刻蚀所述层叠体第一侧的介质层，形成第一沟槽；刻蚀所述第一沟槽内的所述第一电极，使所述层叠体第一侧的所有第一电极较所有第二电极短，所有第一电极形成第一外部电极；将所述第一沟槽填充满并且平坦化。4.如权利要求3所述的多层电容器的制造方法，其特征在于，刻蚀所述层叠体的第二侧的所有第二电极，使所述层叠体第二侧的所有第二电极较所有第一电极短，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玮荪，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31