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本发明提出了一种多层电容器的制造方法,通过形成多层电容器的第一电极、第二电极和介电层,形成多个电容器层,减小了电容器的体积,再形成介质层以包裹住多层电容器,采用刻蚀的方法刻蚀层叠体一侧的第一电极,使层叠体这一侧的第一电极较第二电极短,采用刻...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提出了一种多层电容器的制造方法,通过形成多层电容器的第一电极、第二电极和介电层,形成多个电容器层,减小了电容器的体积,再形成介质层以包裹住多层电容器,采用刻蚀的方法刻蚀层叠体一侧的第一电极,使层叠体这一侧的第一电极较第二电极短,采用刻...