The present invention provides a compound represented by the formula I, which can be used in organic thin film transistors. I
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机薄膜晶体管用化合物和在有机半导体层中利用其的有机薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)作为液晶显示装置等的显示用的开关元件而广泛使用。代表性的TFT在基板上依次具有栅电极、绝缘体层、半导体层，并在半导体层上具有隔开规定的间隔形成的源电极和漏电极。有机半导体层形成沟道区域，通过施加于栅电极的电压对在源电极和漏电极之间流动的电流进行控制，从而进行开/关动作。以往，该TFT使用无定形硅或多晶硅制作，但是在这种使用硅的TFT的制作中应用的CVD装置，价钱非常高昂，使用了TFT的显示装置等的大型化存在伴有制造成本的大幅增加的问题。另外，将无定形硅或多晶硅成膜的工艺在非常高的温度下进行，因此可作为基板使用的材料的种类受限，所以存在不能使用轻质的树脂基板等的问题。为了解决上述问题，提出了代替无定形硅或多晶硅而使用有机物的TFT(以下，有时简称为有机TFT。作为利用有机物形成TFT时所使用的成膜方法，己知有真空蒸镀法、涂布法等，根据这些成膜方法，既可以抑制制造成本的上升又可以实现元件的大型化，也可以便成膜时必要的工...
【技术保护点】
1. 一种化合物，其特征在于以式I表示：I。
【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于以式I表示：
I。
2.一种有机薄膜晶体管用材料，其特征在于，含有权利要求1所述的式I化合物。
3.一种有机薄膜晶体管，其是至少基板上设...
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