The utility model provides an ion source and ion implantation machine includes: a first housing and a cathode; the cathode is provided with a groove, one end of the first housing has at least one incision size dimension of the incision and the groove is matched; the internal Yin pole end arranged in the first casing, and the groove and the incision of the fastening end is fixed with the first cover. The utility model provides the ion source and the ion implanter, the cathode is provided with a groove, one end of the first housing is provided with a groove matched with the incision, incision through the groove and the clamping fixed connected with the cathode and the cathode cover, to avoid falling off, further, the the ion source increase the cathode end diameter and length, thereby prolonging the service life of the cathode.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路制造领域，特别涉及一种离子源以及包含所述离子源的离子注入机。
技术介绍
离子注入机是集成电路制造工序中的关键设备，用于离子掺杂工艺。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，并降低了成本和功耗。因此，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。离子注入机主要由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，其基本的工作过程如下：首先，通过直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子撞击工艺气体以产生带电离子；接着，带电离子进入质量分析器选出需要的离子；然后，经过加速器获得较高能量；之后，由四级透镜聚焦后进入靶室；最后，通过扫描系统进行离子注入。其中，离子源作为所述离子注入机中的主要部件，其功能是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，即产生具有能量的离子束并决定要注入离子的种类和束流强度。束流强度一般分...
【技术保护点】
一种离子源，其特征在于，包括：第一外罩和阴极；所述阴极设置有凹槽，所述第一外罩的一端具有至少一个切口，所述切口的外形尺寸与所述凹槽的外形尺寸相适配；所述阴极的一端设置于所述第一外罩的内部，并通过所述凹槽和所述切口的卡合而与所述第一外罩的一端固定。
【技术特征摘要】
1.一种离子源，其特征在于，包括：第一外罩和阴极；
所述阴极设置有凹槽，所述第一外罩的一端具有至少一个切口，所述切口
的外形尺寸与所述凹槽的外形尺寸相适配；
所述阴极的一端设置于所述第一外罩的内部，并通过所述凹槽和所述切口
的卡合而与所述第一外罩的一端固定。
2.如权利要求1所述的离子源，其特征在于，所述第一外罩的形状为中空
的圆柱形。
3.如权利要求2所述的离子源，其特征在于，所述阴极包括依次连接的阴
极前端和阴极后端，所述阴极前端和阴极后端的形状均为圆柱形，所述阴极前
端的直径与所述第一外罩的内径相等，所述阴极后端的直径大于所述第一外罩
的内径。
4.如权利要求3所述的离子源，其特征在于，所述阴极前端靠近所述阴极
后端的一端具有倒角，所述倒角的第一倒角距离与所述切口的宽度相等，所述
倒角的第二倒角距离与所述切口的深度相等。
5.如权利要求4所述的离子源，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈中林，刘群超，张兴林，孙彦刚，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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