OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的OLED基板的制备方法所导致的薄膜晶体管的特性Vth漂移，影响基板稳定性，以及制备成本高、产能低的问题。本发明专利技术的OLED基板的制备方法，包括：通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。

OLED substrate, preparation method thereof, display device and preparation method thereof

The invention provides a OLED substrate and a preparation method thereof, display device and preparation method thereof, belonging to the technical field of display and drift characteristics of Vth thin film transistor OLED substrate which can solve the existing preparation method of the effect of substrate, stability, and high preparation cost, low productivity problem. The preparation method comprises the OLED substrate of the invention: through a patterning process, including OLED devices and the first pole at the first pole where the pixel defining layer above the layer formed on the substrate of the above graphics; among them, the pixel defining layer includes a plurality of pixel wall arranged at intervals, each one the pixel wall defining a first pole of the OLED device.

【技术实现步骤摘要】
OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的不断进步，视觉资讯在人们生活中的地位越来越重要，因此，承载视觉资讯信息的平板显示器件也在人们生活中占据着越来越重要的地位。这些常见的平板显示器件包括液晶显示器件(LCD)，有机电致发光二极管(OLED)等。OLED基板中通常包括衬底基板、设置在衬底基板上方的平坦层、阳极和像素限定层。在现有OLED基板的制备过程中，通常在平坦层形成之后通过两步工艺制备阳极和像素限定层，而在制备像素限定层时，由于曝光量较大，会导致薄膜晶体管的特性Vth漂移，影响OLED基板的的稳定性；另外，阳极和像素限定层分开制备的工艺会造成产能降低、成本增加等问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够避免在制备过程薄膜晶体管的特性Vth漂移，以保证基板稳定性，以及降低制备成本、提高产能的OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种OLED基板的制备方法，包括：通过一次构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。2.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极包括：在所述衬底的上方依次沉积第一极材料和像素限定层材料；对像素限定层材料进行不同精度的曝光，形成完全曝光区域、部分曝光区域和未曝光区域；对曝光后的完全曝光区域和部分曝光区域的像素限定层材料进行显影、刻蚀，去除所述完全曝光区域的像素限定层材料，以暴露出与所述完全曝光区域对应的部分所述第一极材料；对暴露出的所述第一极材料进行刻蚀，以形成所述第一极；去除所述部分曝光区域剩余的像素限定层材料，以形成所述像素挡墙。3.根据权利要求1所述的OLED基板的制备方法，其特征在于，在所述通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形之前，还包括：在所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，吕志军，刘文渠，董立文，张世政，党宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11