微发光二极管显示面板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种微发光二极管显示面板及其制作方法。该微发光二极管显示面板的衬底基板上设有间隔排列的第一电极触点和第二电极触点，所述第一电极触点和第二电极触点分别与微发光二极管的底电极和连接电极接触，所述连接电极还与微发光二极管的顶电极接触，能够在微发光二极管转印后直接进行微发光二极管的检测，降低产品检测及修复的难度，提升产品良率。

Micro light emitting diode display panel and manufacturing method thereof

The invention provides a micro LED display panel and a manufacturing method thereof. The micro LED display panel substrate is arranged on the first electrode and second electrode contact contacts spaced, the first electrode and the second electrode contact contacts are respectively connected with the bottom electrode micro light emitting diode and the connection electrode contact, the connecting electrode in contact with the top electrode micro light emitting diode, can directly detect micro light emitting in the micro light emitting diode diode after transfer, reduce product detection and repair difficulty, improve product yield.

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管显示面板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种微发光二极管显示面板及其制作方法。
技术介绍
平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。微发光二极管(MicroLED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，同大尺寸的户外LED显示屏一样，每一个像素可定址、单独驱动点亮，可以看成是户外LED显示屏的缩小版，将像素点距离从毫米级降低至微米级，MicroLED显示器和有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器一样属于自发光显示器，但MicroLED显示器相比OLED显示器还具有材料稳定性更好、寿命更长、无影像烙印等优点，被认为是OLED显示器的最大竞争对手。在微发光二极管显示面板的制作过程中，微发光二极管必须先在原始基板(如蓝宝石类基板)上通过分子束外延的方法生长出来，而做成显示面板，还必须要把微发光二极管器件从原始基板上转移到用于形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微发光二极管显示面板，其特征在于，包括：衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的多个阵列排布的子像素区域(15)、设于每一个子像素区域(15)内的间隔排列的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)、以及设于每一个子像素区域(15)内的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)上的微发光二极管(200)；所述微发光二极管(200)包括：与所述第一电极触点(43)接触的底电极(6)、设于所述底电极(6)上方并与所述底电极(6)接触LED半导体层(2)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述LED半导体层(2)接触的顶电极(13)、包围所述LED半导体层(2)的绝缘保护层(14)、以及...

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管显示面板，其特征在于，包括：衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上的多个阵列排布的子像素区域(15)、设于每一个子像素区域(15)内的间隔排列的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)、以及设于每一个子像素区域(15)内的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)上的微发光二极管(200)；所述微发光二极管(200)包括：与所述第一电极触点(43)接触的底电极(6)、设于所述底电极(6)上方并与所述底电极(6)接触LED半导体层(2)、设于所述LED半导体层(2)上方并与所述LED半导体层(2)接触的顶电极(13)、包围所述LED半导体层(2)的绝缘保护层(14)、以及设于所述绝缘保护层(14)上的连接所述顶电极(13)和第二电极触点(44)的连接电极(7)。2.如权利要求1所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，还包括：设于所述衬底基板(41)与第一电极触点(43)和第二电极触点(44)之间的TFT层(42)；所述TFT层(42)包括：设于所述衬底基板(41)上的有源层(421)、覆盖所述有源层(421)与所述衬底基板(41)的栅极绝缘层(422)、设于所述有源层(421)上方的栅极绝缘层(422)上的栅极(423)、覆盖所述栅极(423)以及栅极绝缘层(422)的层间绝缘层(424)、设于所述层间绝缘层(424)上的与所述有源层(421)的两端接触的源极(425)和漏极(426)、以及覆盖所述源极(425)、漏极(426)和层间绝缘层(424)的钝化层(427)；所述第二电极触点(44)与所述源极(425)接触。3.如权利要求2所述的微发光二极管显示面板，其特征在于，还包括设于钝化层(427)上且位于微发光二极管(200)的四周的像素定义层(45)、以及覆盖所述钝化层(427)、第一电极触点(43)、第二电极触点(44)、微发光二极管(200)及像素定义层(45)的保护层(16)。4.一种微发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一原始基板(1)，在所述原始基板(1)上形成多个间隔排列的微发光二极管的半成品(100)；每一个微发光二极管的半成品(100)均包括：设于所述原始基板(1)上的LED半导体层(2)、覆盖所述LED半导体层(2)和原始基板(1)的第一绝缘层(3)、设于所述第一绝缘层(3)上并与所述LED半导体层(2)接触的底电极(6)、以及设于所述第一绝缘层(3)上并与原始基板(1)接触的连接电极(7)；步骤2、提供一转运基板(8)，将所述转运基板(8)表面与各个微发光二极管的半成品(100)的底电极(6)以及连接电极(7)粘合，剥离所述原始基板(1)，使得所有的微发光二极管的半成品(100)均转移到转运基板(8)上，暴露出所述LED半导体层(2)与原始基板(1)接触的一侧表面；步骤3、在所述暴露出的LED半导体层(2)以及第一绝缘层(3)上依次形成第二绝缘层(9)和设于第二绝缘层(9)上的顶电极(13)，得到多个间隔排列的微发光二极管(200)；所述顶电极(13)与所述LED半导体层(2)和连接电极(7)接触；步骤4、提供一转印头(300)和一接收基板(400)，所述接收基板(400)包括：衬底基板(41)、设于所述衬底基板(41)上多个阵列排布的子像素区域(15)、以及设于每一个子像素区域(15)内的间隔排列的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)；步骤5、通过所述转印头(300)将转运基板(8)上的微发光二极管(200)转印到接收基板(400)上，每一个子像素区域(15)对应一个微发光二极管(200)，各个子像素区域(15)内的微发光二极管(200)的底电极(6)和连接电极(7)分别与该子像素区域(15)内的第一电极触点(43)和第二电极触点(44)邦定；步骤6、向所述第一电极触点(43)和第二电极触点(44)提供测试电压，测试接收基板(400)上的各个微发光二极管(200)是否能够正常点亮，若所述接收基板(400)上所有微发光二极管(200)均能正常点亮，则在所述微发光二极管(200)、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢马才，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44