处理基片的装置和方法制造方法及图纸

本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

Apparatus and method for processing substrates

The present application provides a substrate drying device and a substrate processing method. The apparatus may include a configuration for the processing chamber having an inner space; disposed on the substrate processing chamber for supporting a substrate supporting member; the first supply port is configured to provide a supercritical fluid to a region located in the inner space of the substrate below the second; for the listener, its configuration for the supercritical fluid to another area is located in the inner space of the substrate above the outlet; and, the configuration for the supercritical fluid discharged from the chamber to the outside region.

【技术实现步骤摘要】
处理基片的装置和方法本申请是申请日为2012年12月7日，申请号为“201210524045.X”，专利技术名称为“处理基片的装置和方法”的专利技术专利申请的分案申请。本申请要求2011年12月7日提交的韩国专利申请No.10-2011-0130385的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
本专利技术构思的实施例涉及用于处理基片的装置和方法，更具体地，涉及用于使用超临界流体干燥基片的装置和方法。
技术介绍
半导体装置的制造包括从基片或晶片上去除污染物的清洗处理。清洗处理包括使用化学材料从基片上去除污染物的化学处理步骤，使用冲洗(rinse)溶液从基片上去除化学材料的冲洗步骤，和从基片上干燥冲洗溶液的干燥步骤。在干燥步骤中，可将有机溶剂用于基片表面以替换冲洗溶液，接着可以对基片进行加热。然而，在半导体装置包括宽度较窄的电路图案的情况下，在干燥步骤中可能发生图案倾塌(patterncollapse)现象，其中电路图案受损或被破坏。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了一种用于有效干燥基片的装置和方法。根据本专利技术构思的一些实施例，一种基片干燥装置可以包括：具有内部空间的处理室；本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种干燥基片的方法，包括：将基片放置在处理室中；向所述处理室的内部空间提供超临界流体，直到所述处理室的内部压力高于超临界流体的临界压力；在所述处理室的内部压力高于超临界流体的临界压力之后，将超临界流体提供到所述晶片上。

【技术特征摘要】
2011.12.07 KR 10-2011-01303851.一种干燥基片的方法，包括：将基片放置在处理室中；向所述处理室的内部空间提供超临界流体，直到所述处理室的内部压力高于超临界流体的临界压力；在所述处理室的内部压力高于超临界流体的临界压力之后，将超临界流体提供到所述晶片上。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述处理室具有位于挡板以下的内部底面，所述挡板布置在所述内部底面与所述基片之间，其中，所述内部底面包括平坦部分和凹部，所述凹部的水平长度小于所述挡板的水平长度。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述凹部具有低于平坦部分的底面以及连接所述底面与所述平坦部分的连接面，其中，所述底面的水平长度大于所述连接面的水平长度。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述挡板由连接所述挡板和所述凹部的所述底面的至少一个支撑杆支撑。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述底面和所述平坦部分彼此平行。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述内部底面的所述平坦部分与所述挡板之间的距离大于所述平坦部分与所述凹部的低于所述平坦部分的所述底面之间的距离。7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述挡板具有从所述挡板的顶面延伸到所述挡板的底面的第一排出孔。8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述处理室具有倾斜的内部侧面，其中，所述挡板具有与所述处理室的所述内部底面隔开的底面以及与所述处理室的所述倾斜的内部侧面平行的侧面。9.根据权利要求1所述的方法，其中，向所述处理室的内部空间提供超临界流体的步骤通过形成为穿过所述处理室的底壁的第一供应口向所述处理室的内部空间提供超临界流体。10.根据权利要求9所述的方法，其中，将超临界流体提供到所述晶片上的步骤通过形成为穿过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓山，高镛璿，金庆燮，金光秀，金石训，李根泽，田溶明，赵庸真，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR