衬底处理装置、半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法，其能够提高对衬底的处理品质。该衬底处理装置具有：处理衬底的多个处理室；搬送衬底的搬送室；多个移载室，其设在搬送室与处理室之间，并与各处理室分别对应；多个闸阀，其设在搬送室与移载室之间；多个第一气体供给部，其设在搬送室内，并分别对从多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在搬送室内，并将衬底向移载室内搬送；和控制部，其控制多个第一气体供给部和搬送机械手，使得当第一气体供给部的供给孔与从闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当上述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给非活性气体。

Substrate processing device and manufacturing method of semiconductor device

The present invention provides a substrate processing device and a manufacturing method of a semiconductor device, which can improve the processing quality of the substrate. The substrate processing device has a plurality of processing a substrate processing chamber; conveying the substrate transfer chamber; a transferring chamber, located between the transfer chamber and the processing chamber, and are respectively corresponding to the processing chamber; a plurality of gate valve, located in between the transfer chamber and transferring chamber; a plurality of first a gas supplying unit, a conveyance chamber, and the substrate supply from multiple gate location on the non active gas; conveying manipulator, a conveyance chamber, and the substrate to transfer indoor conveying and control, its control; a plurality of first gas supply unit and moved send the manipulator, between the substrate of the supply hole when the first gas supply unit and the distance from the gate through the first distance, the first to supply non reactive gas flow, when the distance is longer than the first distance from second, to second more than the first flow The flow provides non reactive gas.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序。
技术介绍
作为半导体器件(元器件：device)的制造工序之一，进行对衬底供给处理气体和反应气体来在衬底上形成膜的处理工序。例如，在专利文献1、2等中有所记载。现有技术文献专利文献1：日本特开2011-181771专利文献2：日本特开2010-206222但是，在衬底的搬送中，具有在衬底上附着颗粒而导致对衬底的处理品质降低的情况。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种提高对衬底的处理品质的技术。根据一个方案而提供一种技术，其具有：处理衬底的多个处理室；搬送衬底的搬送室；多个移载室，其设在搬送室与处理室之间，并与各处理室分别对应；多个闸阀，其设在搬送室与移载室之间；多个第一气体供给部，其设在搬送室内，并分别对从多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在搬送室内，并将衬底向移载室内搬送；和控制部，其控制多个第一气体供给部和搬送机械手，使得当第一气体供给部的供给孔与从闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给非活性气体。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理衬底的多个处理室；搬送所述衬底的搬送室；多个移载室，其设在所述搬送室与所述处理室之间，并与各所述处理室分别对应；多个闸阀，其设在所述搬送室与所述移载室之间；多个第一气体供给部，其设在所述搬送室内，并分别对从所述多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在所述搬送室内，并将所述衬底向所述移载室内搬送；和控制部，其控制所述多个第一气体供给部和所述搬送机械手，使得当所述第一气体供给部的供给孔与从所述闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当所述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给所述非活性气体。

【技术特征摘要】
2016.03.02 JP 2016-0400111.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理衬底的多个处理室；搬送所述衬底的搬送室；多个移载室，其设在所述搬送室与所述处理室之间，并与各所述处理室分别对应；多个闸阀，其设在所述搬送室与所述移载室之间；多个第一气体供给部，其设在所述搬送室内，并分别对从所述多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在所述搬送室内，并将所述衬底向所述移载室内搬送；和控制部，其控制所述多个第一气体供给部和所述搬送机械手，使得当所述第一气体供给部的供给孔与从所述闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当所述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给所述非活性气体。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述搬送机械手具有能够将至少两张所述衬底保持在沿水平方向不同的高度上的末端执行器，所述控制部控制所述第一气体供给部，使得向所述末端执行器所保持的衬底分别以不同的流量供给所述非活性气体。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述多个处理室以相邻的方式连结，在所述多个第一气体供给部之间具有第二气体供给部，所述控制部控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部，使得所述第二气体供给部比从所述第一气体供给部供给的非活性气体的流量更多。4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述多个处理室以相邻的方式连结，在所述多个第一气体供给部之间具有第二气体供给部，所述控制部控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部，使得所述第二气体供给部比从所述第一气体供给部供给的非活性气体的流量更多。5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，在所述两个第一气体供给部之间，具有与该第一气体供给部相比向所述搬送机械手侧突出的第一气体引导件。6.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，在所述两个第一气体供给部之间，具有与该第一气体供给部相比向所述搬送机械手侧突出的第一气体引导件。7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述搬送机械手具有以不同高度搬送衬底的两条臂。8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一气体供给部的气体供给孔的下端构成于所述闸阀的开口上端的高度。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：八幡橘，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP