等离子体处理方法技术

技术编号:16179066 阅读:55 留言:0更新日期:2017-09-12 01:33
一种等离子体处理方法,在对保持在运输载体的基板进行等离子体处理时,使产品的成品率提高。保持在运输载体的基板的等离子体处理方法包括:准备工序,准备运输载体,所述运输载体具备保持片和配置在该保持片的外周部的框架;基板保持工序,将基板粘接到保持片,使运输载体保持基板;以及张力增加工序,使保持片的张力增加。还包括:载置工序,在基板保持工序之后,将所述运输载体载置在所述载置台,使基板隔着所述保持片与所述载置台接触;以及等离子体处理工序,在该载置工序之后,对基板实施等离子体处理。此外,张力增加工序包括使保持片收缩的收缩步骤,收缩步骤在准备工序与等离子体处理工序之间进行。

Plasma treatment method

A plasma treatment method improves the yield of a product when plasma treatment is maintained on a substrate of a transport carrier. Keep including plasma processing method in substrate transport carrier: preparation, ready to transport carrier, the carrier has kept and configuration in the holding frame plate of the outer portion of the substrate; keep the process, the substrate bonded to maintain, the carrier holding a substrate; and increase the tension process, to keep the film the tension increased. Including the loading process, after the substrate holding process, carrier mounted on the placing table, the substrate across the sheet and keep the table contact; and the plasma treatment process, after the loading process, the implementation of plasma treatment on the substrate. In addition, the tension increase step includes a contraction step for holding the sheet to shrink, and the contraction step between the preparation step and the plasma treatment step.

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及对保持在运输载体的基板进行等离子体处理的方法。
技术介绍
作为切割基板的方法,已知有对形成了抗蚀剂掩模的基板实施等离子体蚀刻而将其分割为单个芯片的等离子体切割。专利文献1公开了如下内容,即,为了提高传送等时的基板的操作性,在将基板保持在具备框架和覆盖框架的开口部的保持片的运输载体的状态下,将其载置在等离子体处理装置具备的载置台,并进行等离子体处理。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009-94436号公报
技术实现思路
保持片的厚度小,易挠曲。因此,保持了基板的运输载体有时以保持片产生了褶皱的状态载置到载置台。当在保持片残留有褶皱的状态下进行等离子体处理时,会在褶皱的部分产生异常放电,或者使褶皱的部分的温度上升,从而难以正常进行等离子体处理。本公开的一个方面是将保持在运输载体的基板载置在等离子体处理装置具备的载置台并对基板进行等离子体处理的等离子体处理方法,其特征如下。即,包括:准备工序,准备运输载体,运输载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架;以及基板保持工序,将基板粘接到保持片,使运输载体保持基板。还包括:张力增加工序,使保持片的张力增加;载置工序,在基板保持本文档来自技高网...
等离子体处理方法

【技术保护点】
一种等离子体处理方法,将保持在运输载体的基板载置在等离子体处理装置具备的载置台,并对所述基板进行等离子体处理,所述等离子体处理方法包括:准备工序,准备所述运输载体,所述运输载体具备保持片和配置在所述保持片的外周部的框架;基板保持工序,将所述基板粘接到所述保持片,使所述运输载体保持所述基板;张力增加工序,使所述保持片的张力增加;载置工序,在所述基板保持工序之后,将所述运输载体载置在所述载置台,使所述基板隔着所述保持片与所述载置台接触;以及等离子体处理工序,在所述载置工序之后,对所述基板实施等离子体处理,所述张力增加工序包括使所述保持片收缩的收缩步骤,所述收缩步骤在所述准备工序与所述等离子体处理工...

【技术特征摘要】
2016.03.03 JP 2016-0405841.一种等离子体处理方法,将保持在运输载体的基板载置在等离子体处理装置具备的载置台,并对所述基板进行等离子体处理,所述等离子体处理方法包括:准备工序,准备所述运输载体,所述运输载体具备保持片和配置在所述保持片的外周部的框架;基板保持工序,将所述基板粘接到所述保持片,使所述运输载体保持所述基板;张力增加工序,使所述保持片的张力增加;载置工序,在所述基板保持工序之后,将所述运输载体载置在所述载置台,使所述基板隔着所述保持片与所述载置台接触;以及等离子体处理工序,在所述载置工序之后,对所述基板实施等离子体处理,所述张力增加工序包括使所述保持片收缩的收缩步骤,所述收缩步骤在所述准备工序与所述等离子体处理工序之...

【专利技术属性】
技术研发人员:置田尚吾针贝笃史
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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