用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置。提供了一种半导体处理室，其可以包括：延伸穿过室壁并具有限定开口的内通道表面的晶片传送通道，包括限定插入件开口的插入件内表面的插入件，以及气体入口。所述晶片传送通道的至少部分地围绕所述内通道表面延伸并从所述内通道表面向外偏移的第一凹陷表面、至少部分地围绕所述插入件内表面延伸并从所述插入件内表面向外偏移的第一插入件外表面、以及在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸的第一壁表面至少部分地限定流体连接到气体入口的气体分配通道，所述第一凹陷表面与所述第一插入件外表面分开第一距离，并且插入件前表面面向所述第一壁表面并与所述第一壁表面分开第一间隙距离。

【技术实现步骤摘要】
用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置
本专利技术涉及半导体处理领域，更具体地涉及用于吹扫半导体处理室狭缝阀开口的装置。
技术介绍
一些半导体处理工具经由通道将晶片移入和移出处理室，该通道从处理室外部区域延伸穿过处理室壁到达处理室内部。这样的通道可以在通道的端部上具有闸阀(即狭缝阀)，该闸阀可以打开以允许晶片穿过通道，并且可以封闭和/或密封(例如，压力或流体密封)通道使得处理室的内部与处理室外部的区域隔离。
技术实现思路
在一个实施方式中，可以提供半导体处理室。所述半导体处理室可以包括：用于半导体处理的内部体积，至少部分地界定所述半导体处理室的外侧和所述内部体积的室壁，以及气体入口。所述半导体处理室还可以包括晶片传送通道，所述晶片传送通道沿着第一轴线从所述半导体处理室的所述外侧延伸穿过所述室壁到达所述内部体积并且具有：内通道表面，其限定具有垂直于所述第一轴线的第一基本矩形横截面的开口；第一凹陷表面，当沿着所述第一轴线观察时其至少部分地围绕所述内通道表面延伸并且从所述内通道表面向外偏移；以及第一壁表面，其在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸。所述半导体处理室还可以包括插入件，所述插入件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体处理室，其包括：用于半导体处理的内部体积；室壁，其至少部分地界定所述半导体处理室的外侧和所述内部体积；晶片传送通道，其沿着第一轴线从所述半导体处理室的所述外侧延伸穿过所述室壁到达所述内部体积，并且具有：内通道表面，其限定具有垂直于所述第一轴线的第一基本矩形横截面区域的开口，第一凹陷表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一凹陷表面至少部分地围绕所述内通道表面延伸并且从所述内通道表面向外偏移，以及在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸的第一壁表面；插入件，其包括：插入件内表面，其限定具有垂直于所述第一轴线的第二基本矩形横截面区域的插入件开口，第一插入件外表面，当沿着所述第一轴线观察时...

【技术特征摘要】
2016.03.01 US 15/058,0521.一种半导体处理室，其包括：用于半导体处理的内部体积；室壁，其至少部分地界定所述半导体处理室的外侧和所述内部体积；晶片传送通道，其沿着第一轴线从所述半导体处理室的所述外侧延伸穿过所述室壁到达所述内部体积，并且具有：内通道表面，其限定具有垂直于所述第一轴线的第一基本矩形横截面区域的开口，第一凹陷表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一凹陷表面至少部分地围绕所述内通道表面延伸并且从所述内通道表面向外偏移，以及在所述内通道表面和所述第一凹陷表面之间延伸的第一壁表面；插入件，其包括：插入件内表面，其限定具有垂直于所述第一轴线的第二基本矩形横截面区域的插入件开口，第一插入件外表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第一插入件外表面至少部分地围绕所述插入件内表面延伸并且从所述插入件内表面向外偏移，插入件前表面，其面向所述第一壁表面；以及气体入口，其中：所述第一凹陷表面、所述第一插入件外表面和所述第一壁表面至少部分地限定气体分配通道，所述气体分配通道流体连接到所述气体入口，所述第一凹陷表面与所述第一插入件外表面分开第一距离，所述插入件前表面与所述第一壁表面分开第一间隙距离。2.根据权利要求1所述的半导体处理室，其中所述插入件还包括第二插入件外表面，当沿着所述第一轴线观察时，所述第二插入件外表面至少部分地围绕所述第一插入件外表面延伸并且从所述第一插入件外表面向外偏移。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：班亚·翁森纳库姆，彼得·科洛托夫，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：美国,US