超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的具有超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器。该六位数控衰减器，包括了一个升压模块、一个电压转换模块和六个级联的基本衰减单元。该衰减器主要利用三极管管栅极电压升高的工作特性与其温度升高时的工作特性相反的性质，使施加单元衰减模块加载的栅极电压随温度正相关。其次，利用三级管栅极接地的等效电容与温度正相关的特性减少衰减器的衰减附加相移。本发明专利技术显著降低了器件的不良温度特性对数控衰减器工作性能的影响。该方案适用于毫米波单片集成电路领域，对军事作战及航空航天的电路系统有极大的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器
本专利技术涉及毫米波单片集成
，具体涉及一个基于SiGeBiCMOS工艺，具有超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器。
技术介绍
毫米波相控阵技术集毫米波技术和相控阵技术优点于一身。一方面，毫米波具有宽频带、高精度、高分辨率和大信息容量。另一方面，相控阵技术有更快的波束转向。并且可以通过阵列把来自空间中各个方向的强干扰抵消。它已经广泛应用于国防、科学以及卫星通信的系统中。毫米波收发前端作为相控阵技术的关键部件，其完备的射频功能对相控阵的性能起决定作用。随着毫米波相控阵技术的发展，系统的复杂度和成本增加，毫米波收发前端逐渐往往单片集成发展。SiGeBiCMOS工艺不仅可以为射频和模拟提供高性能的SiGeHBT工艺、并且可以为数字电路设计提供高密度集成的CMOS工艺。因此基于SiGeBiCMOS工艺的毫米波收发前端单片集成电路为毫米波相控阵技术的发展必须。作为目前收发前端的幅度控制器件的主流选择，数控衰减器拥有优越的线性度。基于SiGeBiCMOS工艺的半导体器件相较于GaAs/InP/GaN等工艺而言，其器件的工作结温上升更快，加之硅基衬底热传导性本文档来自技高网...

【技术保护点】
超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器，所述超宽耐温范围的衰减器包括升压模块(201)、可变电压转换模块(501)和六个衰减单元(101‑106)。在电路工作时，通过模拟到地晶体管、升压模块和电压转换模块后，改善了器件的温度不良特性，使得衰减器在‑55℃～125℃范围内工作性能优异。

【技术特征摘要】
1.超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器，所述超宽耐温范围的衰减器包括升压模块(201)、可变电压转换模块(501)和六个衰减单元(101-106)。在电路工作时，通过模拟到地晶体管、升压模块和电压转换模块后，改善了器件的温度不良特性，使得衰减器在-55℃～125℃范围内工作性能优异。2.如权利要求1所述超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器，其特征在于：每个衰减单元(101-106)的并联到地支路都包括了一个模拟到地电容管(Q23、Q26、Q28、Q30、Q34、Q35、Q38和Q40)，该结构利用三极管栅极接地的等效电容与温度负相关的特性减少了不同温度下衰减器的衰减附加相移。该结构的优势在于节省了原来的电容补偿模块，使得电路结构紧凑，芯片面积...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨漫菲，王磊，孙博文，陈庆，方堃，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51