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本发明公开了一种适用于CMOS和BiCMOS工艺的具有超宽耐温范围的高精度六位数控衰减器。该六位数控衰减器，包括了一个升压模块、一个电压转换模块和六个级联的基本衰减单元。该衰减器主要利用三极管管栅极电压升高的工作特性与其温度升高时的工作特性...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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