【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及自动控制领域,具体是指一种基于缓冲保护电路的滤波型高精度恒温自动控制系统。
技术介绍
在工业生产过程中通常需要对环境的温度进行恒温控制,随着工业自动化的提高,目前人们通常采用恒温自动控制系统对环境温度进行控制,使环境温度维持在最佳的范围内,从而提高生产效率。随着科学技术的迅猛发展,各个领域对温度控制的精度、稳定性要求越来越高,这就给传统的恒温自动控制系统提出了更高的要求。然而,传统的恒温自动控制系统对温度控制的精度并不高,很难达到工业生产的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决目前的恒温自动控制系统对温度控制的精度不高的缺陷,提供一种基于缓冲保护电路的滤波型高精度恒温自动控制系统。本专利技术的目的通过下述技术方案现实:一种基于缓冲保护电路的滤波型高精度恒温自动控制系统,主要由变压器T,二极管整流器U2,控制芯片U1,温度传感器Q,三极管VT1,加热器M,与温度传感器Q相连接的滤波电路,P极与滤波电路相连接、N极经电阻R2后与控制芯片U1的NTC管脚相连接的二极管D1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与控制芯片U1的HS管脚相连接的电阻R1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与控制芯片U1的LS管脚相连接的电阻R3,串接在控制芯片U1的HL管脚和三极管VT1的基极之间的电阻R4,负极与三极管VT1的集电极相连接、正极与二极管D1的N极相连接的电容C1,P极与三极管VT1的发射极相连接、N极与控制芯片U1的VSS管脚相连接的二极管D2,与控制芯片U1相连接的触发开关电路,与触发开关电路相连接的继电器K,以及串接在触发开关电路和二极管整 ...
【技术保护点】
一种基于缓冲保护电路的滤波型高精度恒温自动控制系统,其特征在于:主要由变压器T,二极管整流器U2,控制芯片U1,温度传感器Q,三极管VT1,加热器M,与温度传感器Q相连接的滤波电路,P极与滤波电路相连接、N极经电阻R2后与控制芯片U1的NTC管脚相连接的二极管D1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与控制芯片U1的HS管脚相连接的电阻R1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与控制芯片U1的LS管脚相连接的电阻R3,串接在控制芯片U1的HL管脚和三极管VT1的基极之间的电阻R4,负极与三极管VT1的集电极相连接、正极与二极管D1的N极相连接的电容C1,P极与三极管VT1的发射极相连接、N极与控制芯片U1的VSS管脚相连接的二极管D2,与控制芯片U1相连接的触发开关电路,与触发开关电路相连接的继电器K,以及串接在触发开关电路和二极管整流器U2的负极输出端之间的缓冲保护电路组成;所述变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端与二极管整流器U2的输入端相连接;变压器T的原边电感线圈的同名端顺次经加热器M和继电器K的常开触点K‑1后与原边电感线圈的非同名端相连接;所述二极管整流器U2的正极输出 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于缓冲保护电路的滤波型高精度恒温自动控制系统,其特征在于:主要由变压器T,二极管整流器U2,控制芯片U1,温度传感器Q,三极管VT1,加热器M,与温度传感器Q相连接的滤波电路,P极与滤波电路相连接、N极经电阻R2后与控制芯片U1的NTC管脚相连接的二极管D1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与控制芯片U1的HS管脚相连接的电阻R1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与控制芯片U1的LS管脚相连接的电阻R3,串接在控制芯片U1的HL管脚和三极管VT1的基极之间的电阻R4,负极与三极管VT1的集电极相连接、正极与二极管D1的N极相连接的电容C1,P极与三极管VT1的发射极相连接、N极与控制芯片U1的VSS管脚相连接的二极管D2,与控制芯片U1相连接的触发开关电路,与触发开关电路相连接的继电器K,以及串接在触发开关电路和二极管整流器U2的负极输出端之间的缓冲保护电路组成;所述变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端与二极管整流器U2的输入端相连接;变压器T的原边电感线圈的同名端顺次经加热器M和继电器K的常开触点K-1后与原边电感线圈的非同名端相连接;所述二极管整流器U2的正极输出端分别与触发开关电路和二极管D1的N极相连接;所述触发开关电路还与控制芯片U1的VSS管脚相连接;所述二极管D1的N极还与控制芯片U1的VDD管脚相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于缓冲保护电路的滤波型高精度恒温自动控制系统,其特征在于:所述滤波电路由场效应管MOS1,三极管VT5,三极管VT6,正极与三极管VT5的基极相连接、负极作为该滤波电路的输入端的电容C5,P极与三极管VT5的集电极相连接、N极经电容C8后与三极管VT6的发射极相连接的二极管D7,正极与场效应管MOS1的漏极相连接、负极与三极管VT6的基极相连接的电容C6,N极与三极管VT6的集电极相连接、P极接地的二极管D9,串接在二极管D9的P极和三极管VT6的基极之间的电阻R13,N极与电容C6的负极相连接、P极接地的二极管D8,正极与二极管D7的N极相连接、负极与二极管D8的P极相连接的电容C7,以及一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端经电阻R12后与场效应管MOS1的源极相连接的电阻R11
\t组成;所述电阻R1...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:成都中冶节能环保工程有限公司,
类型:发明
国别省市:四川;51
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