一种高精度过温保护电路制造技术

本发明专利技术公开一种高精度过温保护电路，其包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一种高精度过温保护电路，其包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。【专利说明】-种高精度过溫保护电路
本专利技术设及电子
，特别设及一种高精度过溫保护电路。
技术介绍
随着半导体集成电路技术的不断发展W及半导体工艺的进步，集成电路的集成度 越来越高，功耗也越来越大，从而使得忍片局部溫度过高，对忍片损坏较大。为使集成电路 忍片免受高溫的损坏，需要设计专口的过溫保护电路。溫度超过一定阔值时，过溫保护电路 输出关断信号，从而使忍片部分或完全停止工作。 传统的过溫保护电路一般通过电压比较器来实现，通过调节电阻的阻值来实现热 关断、热开启W及迟滞量的调节。在不同的工艺条件下，电阻的阻值变化很大，且不同的电 源电压下，电阻上的电压也会随之改变，不同的工艺和电源电压时，电路的溫度阔值点和热 迟滞量将发生较大变化。运种过溫保护电路，同时受电阻W及正负溫度系数器件影响，影响 因素多，而且受工艺影响较大，不容易调节到精确的热关断溫度，无法实现高精度过溫保 护。
技术实现思路
因此，针对上述的问题，本专利技术提出一种高精度过溫保护电路，该过溫保护电路通 过带隙基准电路产生一个与溫度无关的基准电压Vref;采用阔值产生电路产生两个阔值电 压;利用比较器比较所述两个阔值电压与两个NPN=极管基极发射极电压差之和，实现过溫 保护。该方法可W实现高精度过溫保护，保证电路的溫度阔值点和热迟滞量基本不受工艺 和电源电压变化的影响。 为了解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案如下： -种高精度过溫保护电路，包括顺次电性连接的带隙基准电路、阔值产生电路及 迟滞比较器输出电路;所述带隙基准电路用于产生一个与溫度无关的基准电压;所述阔值 产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阔值电压;所述迟滞比较器输 出电路首先从阔值产生电路产生的两个阔值电压中选择一个阔值电压作为比较值，将两个 NPNS极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是 否过溫。两个NPN立极管基极发射极电压差之和为整个电路溫度检测对应的电压，迟滞比较 器输出电路从阔值产生电路产生的两个阔值电压中选择出的一个阔值电压是由基准电压 得到的一个参照电压，两者比较来判断是否过溫，避免电路的溫度阔值点和热迟滞量受工 艺和电源电压变化的影响。 其中，作为一种简单可行的方案，所述迟滞比较器输出电路包括比较器和传输口， 阔值产生电路产生的两个阔值电压通过传输口的开启与关断选择一阔值电压作为所述比 较器的负极输入端，两个NPNS极管串联后，连接于所述比较器的正极输入端，利用S极管 基极与发射极两端电压差的负溫特性检测电路溫度变化，并将溫度转化为与之对应的电压 信号。[000引作为一个优选的方案，所述带隙基准电路包括电源电压VDD、PM0S管MP1、PM0S管 MP2、第一运算放大器OPl、第一电阻Rl、第二电阻R2、第S电阻R3、第一NPNS极管QNl、第二 NPNS极管QN2及接地端GND;所述PMOS管MPl的源极与PMOS管MP2的源极及电源电压VDD连 接;所述PMOS管MPl的栅极与第一运算放大器OPl的输出端及PMOS管MP2的栅极连接;所述 PMOS管MPl的漏极与第一电阻Rl的输入端连接;所述第一电阻Rl的输出端与第一运算放大 器OPl的负极输入端W及第一 NPNS极管QNl集电极和基极连接;所述第一 NPNS极管QNl的 发射极与第二NPNS极管QN2的发射极连接，并接地;所述PMOS管MP2的源极与PMOS管MPl的 源极及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP2的栅极与第一运算放大器OPl的输出端及PMOS管 MPl的栅极连接;所述PMOS管MP2的漏极与第二电阻R2的输入端连接;所述第二电阻R2的输 出端与第一运算放大器OPl的正极输入端W及第S电阻R3的输入端连接;所述第S电阻R3 的输出端与第二NPN立极管QN2集电极和基极连接;所述第二NPN立极管QN2的发射极与第一 NPN立极管QNl的发射极连接，并接地。 所述阔值产生电路包括第二运算放大器0P2、第四电阻R4、第五电阻R5及第六电阻 R6;所述第二运算放大器0P2的正极输入端与所述PMOS管MP2的漏极W及第二电阻R2的输入 端连接，连接点为d;所述第二运算放大器0P2的负极输入端与其输出端连接，构成一个单位 增益缓冲器;所述第二运算放大器0P2的输出端与第四电阻R4的输入端连接;所述第四电阻 R 4的输出端与第五电阻R 5的输入端连接；第五电阻R 5的输出端与第六电阻R 6的输入端连 接;第六电阻R6的输出端与第一 NPN立极管QNl的发射极W及第二NPN立极管QN2的发射极连 接，并接地。 所述迟滞比较器输出电路包括第一传输口 TGl、第二传输口 TG2、PMOS管MP3、第S NPN立极管QN3、第四NPN立极管QN4、比较器COMP、第一反相器INVl、第二反相器INV2、第S反 相器INV3及输出电压Vo化;所述第一传输口 TGl的输入端与第四电阻R4的输出端W及第五 电阻R5的输入端连接，连接点为f;所述第一传输口 TGl的输出端与第二传输口 TG2的输出端 W及比较器COMP的负极输入端连接;所述第一传输口 TGl的PMOS控制端窃与第二反相器 INV2的输出端W及第S反相器INV3的输入端连接，连接点为k;所述第一传输口 TGl的NMOS 控制端Cl与第一反相器INVl的输出端W及第二反相器INV2的输入端连接，连接点为j;所述 第二传输口 TG2的输入端与第五电阻R5的输出端W及第六电阻R6的输入端连接，连接点为 g;所述第二传输口 TG2的输出端与第一传输口 TGl的输出端W及比较器COMP的负极输入端 连接;所述第二传输口 TG2的PMOS控制端巧与第一反相器INVl的输出端W及第二反相器 INV2的输入端连接，连接点为j ;所述第二传输口 TG2的醒OS控制端C1与第二反相器INV2的 输出端W及第S反相器INV3的输入端连接，连接点为k;所述PMOS管MP3的源极与PMOS管MPl 的源极、PMOS管MP2的源极W及电源电压VDD连接;所述PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP1的栅 极、第一运算放大器OP1的输出端W及PMOS管MP2的栅极连接;所述PMOS管MP3的漏极与第S NPN立极管QN3集电极和基极W及比较器COMP的正极输入端连接;所述第SNPN立极管QN3的 发射极与第四NPN立极管QN4集电极和基极连接，所述第四NPN立极管QN4的发射极与第六电 阻R6的输出端、第一 NPN立极管QNl的发射极W及第二NPN立极管QN2的发射极连接，并接地； 所述比较器COMP的输出端连接第一反相器INVl的输入端;所述第一反相器INVl的输出端连 接第二反相器INV2的输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高精度过温保护电路，其特征在于：包括顺次电性连接的带隙基准电路、阈值产生电路及迟滞比较器输出电路；所述带隙基准电路用于产生一个与温度无关的基准电压；所述阈值产生电路用于根据带隙基准电路产生的基准电压来产生两个阈值电压；所述迟滞比较器输出电路首先从阈值产生电路产生的两个阈值电压中选择一个阈值电压作为比较值，将两个NPN三极管基极发射极电压差之和作为另一比较值，通过两个比较值的比较结果来判断是否过温。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖建平，林桂江，杨瑞聪，杨凤炳，刘玉山，任连峰，沈滨旭，
申请(专利权)人：厦门新页微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35