过温保护电路制造技术

本发明专利技术涉及一种过温保护电路。过温保护电路包括过温检测电路和信号输出电路。过温检测电路包括用于检测温度的双极型晶体管、具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的二端元器件，当温度未超过温度保护阈值时，第二电压大于第一电压，第二电流小于第一电流；当温度超过温度保护阈值时，第二电压小于第一电压，第二电流大于第一电流；过温检测电路的输出端输出表征温度变化的过温检测信号，所述信号输出电路在所述过温检测信号的驱动下输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温保护信号。本发明专利技术的电路结构简单，实现了过温保护的功能，电路所需元器件较少，整体功耗低，无需电压比较器以及基准电压，设计难度低，可方便调节过温保护阈值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路
，具体涉及一种集成于芯片中的过温保护电路。
技术介绍
随着半导体集成电路技术的不断发展以及半导体工艺的进步，集成电路的集成度越来越高，功耗也越来越大从而使得芯片局部温度过高，对芯片损坏较大。为使集成电路芯片免受高温的损坏，需要设计专门的过温保护电路。温度超过一定阈值时，过温保护电路输出关断信号，从而使芯片部分或完全停止工作。传统的过温保护电路一般通过电压比较器来实现，并需要外部输入基准电压信号，因此结构较为复杂，需要较多的元器件，增加了设计难度，电路功耗也较大。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:提供一种结构简单、元器件少、功耗小的过温保护电路。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种过温保护电路，包括过温检测电路和信号输出电路。所述过温检测电路包括第一恒流源、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、用于检测温度的双极型晶体管、具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的二端元器件，所述第一恒流源的输出端接地，其输入端与第一 PMOS管的漏极相连，所述第一 PMOS管、第二 PMOS管和第三PMOS管的源极均与电源端VDD相连，所述第一 PMOS管、第二 PMOS管和第三PMOS管的栅极互相连接，所述第一 PMOS管的栅极与其漏极相连；第一 NMOS管、第二 NMOS管的漏极分别与第二 PMOS管和第三PMOS管的漏极相连，第一 NMOS管和第二 NMOS管的栅极互连，第一 NMOS管的漏极和栅极相连；所述第一 NMOS管的源极与二端元器件的一端相连，所述二端元器件的另一端和第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端接地；所述第二 NMOS管的源极与双极型晶体管的发射极相连，双极型晶体管的集电极与基极相连后接地，第三PMOS管和第二 NMOS管之间的连接节点为所述过温检测电路的输出端；所述第一 NMOS管的源极电压为第一电压，所述双极型晶体管发射极的电压为第二电压，第三PMOS管所能提供的最大电流为第一电流，流过第二 NMOS管上的电流为第二电流；当温度未超过温度保护阈值时，第二电压大于第一电压，第二电流小于第一电流；当温度超过温度保护阈值时，第二电压小于第一电压，第二电流大于第一电流；过温检测电路的输出端输出表征温度变化的过温检测信号，所述信号输出电路在所述过温检测信号的驱动下输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温保护信号。优选的，所述信号输出电路包括第四PMOS管、第二恒流源、第一反相器和第二反相器，第四PMOS管的栅极与所述过温检测电路的输出端相连，其源极与所述电源端VDD相连，其漏极与所述第二恒流源的输入端相连，所述第二恒流源的输出端接地；第一反相器的输入端与第四PMOS管和第二恒流源之间的连接节点相连，其输出端与第二反相器的输入端相连，所述第二反相器的输出端与信号输出电路的输出端相连。具体的，当第二电压大于第一电压时，第二电流小于第一电流，所述过温检测电路的输出端为高电平信号，此时第四PMOS管漏极电位为低电平，第二反相器输出低电平信号，表示温度未超过温度保护阈值；当第二电压小于第一电压时，第二电流大于第一电流，所述过温检测电路的输出端信号会下降以维持电流平衡，此时第四PMOS管漏极电位会升高而超过第一反相器的翻转阈值，第一反相器输出低电平信号，第二反相器输出高电平信号，表示温度超过温度保护阈值。优选的，所述过温检测电路还包括具有正温度系数的第二电阻和与第二电阻并联的开关器件，所述第二电阻串联在第一电阻和接地端之间；所述开关器件的控制端与第一反相器和第二反相器的连接处相连，在所述信号输出电路输出的过温保护信号表示温度超过温度保护阈值时，所述开关器件导通，在所述信号输出电路输出的过温保护信号表示温度超过温度保护阈值时，所述开关器件截止。具体的，所述开关器件为第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极与第一反相器和第二反相器的连接处相连，所述第三NMOS管的源级接地，所述第三NMOS管的漏极连接在第一电阻和第二电阻的连接处。优选的，所述具有负温度系数的二端元器件为负温度系数的第三电阻，所述第三电阻一端与所述第一 NMOS管的源极相连，其另一端与所述第一电阻相连。另一种优选，所述具有负温度系数的二端元器件为呈二极管连接形式的低阈值NMOS管，所述低阈值NMOS管的漏极和栅极连接后与第一 NMOS管的源级相连，所述低阈值NMOS管的源级所述第一电阻相连。优选的，所述双极型晶体管为PNP型双极型晶体管。本专利技术的有益效果是，与现有技术相比，本专利技术中的过温保护电路中设置用于检测温度的双极型晶体管，通过比较双极型晶体管的发射级电压和第一 NMOS管的源极电压的大小来判断温度是否超过温度保护的阈值，以实现当芯片温度过高时，输出过温保护信号，控制芯片进入温度保护状态。本专利技术的电路结构简单，实现了过温保护的功能，电路所需元器件较少，整体功耗低，无需电压比较器以及基准电压，设计难度低，可方便调节过温保护阈值。本专利技术电路应用范围广，可作为过温保护模块用于各种集成电路芯片、MCM模块、开关电源等方面。【附图说明】下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术的电路原理图；图2是本专利技术实施例一的电路原理图；图3是本专利技术实施例二的电路原理图。【具体实施方式】现在结合附图对本专利技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本专利技术的基本结构，因此其仅显示与本专利技术有关的构成。如图1所示，本专利技术所述的一种过温保护电路，包括过温检测电路100和信号输出电路200。所述过温检测电路包括第一恒流源11、第一 PMOS管MPl、第二 PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第一 NMOS管丽1、第二 NMOS管丽2、用于检测温度的双极型晶体管Ql、具有正温度系数的第一电阻Rl和具有负温度系数的二端元器件NI。所述双极型晶体管Ql为PNP型双极型晶体管。所述第一恒流源Il的输出端接地，其输入端与第一 PMOS管MPl的漏极相连，所述第一 PMOS管MPl、第二 PMOS管MP2和第三PMOS管MP3的源极均与电源端VDD相连，所述第一 PMOS管MPl、第二 PMOS管MP2和第三PMOS管MP3的源极的栅极互相连接，所述第一 PMOS管MPl的栅极与其漏极相连。第一 PMOS管MPl、第二 PMOS管MP2和第三PMOS管组成电流镜结构，流过它们各自的电流均与第一恒流源11的电流成比例。所述第一 NMOS管MN1、第二 NMOS管MN2的漏极分别与第二 PMOS管MPl和第三PMOS管MP3的漏极相连，第一 NMOS管MNl和第二 NMOS管MN2的栅极互连，所述第一 NMOS管MNl的漏极和栅极连接；所述第一 NMOS管MNl的源极与二端元器件Ql的一端相连，所述二端元器件Ql的另一端和第一电阻Rl的一端相连，所述第一电阻Rl的另一端接地；所述第二 NMOS管MN2的源极与双极型晶体管Ql的发射极相连，双极型晶体管Ql的集电极与基极相连后接地，第三PMOS管MP3和第二 NMOS管丽2之间的连接节点为所述过温检测电路100的输出端；所述第一 NMOS管丽I的源极电压为第一电压Vx，所述双极型晶体管Ql发射极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过温保护电路，包括过温检测电路和信号输出电路，其特征是：所述过温检测电路包括第一恒流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、用于检测温度的双极型晶体管、具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的二端元器件，所述第一恒流源的输出端接地，其输入端与第一PMOS管的漏极相连，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的源极均与电源端VDD相连，所述第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管的栅极互相连接，所述第一PMOS管的栅极与其漏极相连；第一NMOS管、第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管和第三PMOS管的漏极相连，第一NMOS管和第二NMOS管的栅极互连，第一NMOS管的漏极和栅极相连；所述第一NMOS管的源极与二端元器件的一端相连，所述二端元器件的另一端和第一电阻的一端相连，所述第一电阻的另一端接地；所述第二NMOS管的源极与双极型晶体管的发射极相连，双极型晶体管的集电极与基极相连后接地，第三PMOS管和第二NMOS管之间的连接节点为所述过温检测电路的输出端；所述第一NMOS管的源极电压为第一电压，所述双极型晶体管发射极的电压为第二电压，第三PMOS管所能提供的最大电流为第一电流，流过第二NMOS管上的电流为第二电流；当温度未超过温度保护阈值时，第二电压大于第一电压，第二电流小于第一电流；当温度超过温度保护阈值时，第二电压小于第一电压，第二电流大于第一电流；过温检测电路的输出端输出表征温度变化的过温检测信号，所述信号输出电路在所述过温检测信号的驱动下输出表示温度是否超过温度保护阈值的过温保护信号。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘福跃，李现坤，汤赛楠，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32