本实用新型专利技术公开了一种芯片异常温度监控模块，包括导热薄膜片、支撑头和温检片，导热薄膜片通过支撑头与温检片连接，支撑头中心有一通孔，温检片内部包括温检点控端和瞬态保护模块，导热薄膜片粘贴在需要保护的芯片表面，导热薄膜片通过数据线与温检点控端相连接，温检点控端通过导线连接到瞬态保护模块，瞬态保护模块串接在需要保护的芯片的电源供电线上。本实用新型专利技术通过监控芯片表面温度以实现对芯片本身的有效保护，能够提高芯片保护的针对性，保护效果明显，通过保护价格较高的芯片能够避免较大的经济损失，其作用比较大。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种智能模块，尤其涉及一种监控芯片表面运行温度的芯片异常温度监控模块。
技术介绍
芯片在通电运行时，表面会产生一定的温度数值，正常情况下，这个温度数值会恒定在一个范围内，当发生短路或者电路异常时，芯片表面的温度会迅速上升，从而导致芯片烧毁。目前只存在一些对芯片表面进行散热的装置，而通过监控芯片表面温度实现芯片保护的设备基本还没有。
技术实现思路
本技术针对以上技术问题，提出了一种芯片异常温度监控模块，所采用的技术方案为:一种芯片异常温度监控模块，包括导热薄膜片、支撑头和温检片，所述的导热薄膜片通过支撑头与所述的温检片连接，所述的支撑头中心有一通孔，所述的温检片内部包括温检点控端和瞬态保护模块，所述的导热薄膜片粘贴在需要保护的芯片表面，所述的导热薄膜片通过数据线与所述的温检点控端相连接，所述的温检点控端通过导线连接到所述的瞬态保护模块，所述的瞬态保护模块串接在需要保护的芯片的电源供电线上。优选地，所述的导热薄膜片为S型间隔热电膜片，所述的导热薄膜片采用了 CTR热电材料。优选地，所述的温检点控端内部采用了微体积处理器芯片GAIP-5201和电流放大-数字转换片上一体芯片MAX34407。优选地，所述的瞬态保护模块内部采用了电磁条驱动式薄膜开关，所述的瞬态保护模块采用高低状态开关电平信号驱动所述的电磁条驱动式薄膜开关的导通和断开。当芯片表面温度出现异常升高情况时，能够立即触发本技术内部的控制电路瞬间切断芯片电源，以实现对芯片的保护。【附图说明】图1为本技术芯片异常温度监控模块的结构示意图。图2为本技术芯片异常温度监控模块的原理框图。【具体实施方式】以下结合附图进一步说明本技术的实施例。见图1和图2，本技术涉及的一种芯片异常温度监控模块，包括导热薄膜片1、支撑头2和温检片3，所述的导热薄膜片I通过支撑头2与所述的温检片3连接，所述的支撑头2中心有一通孔4，所述的温检片3内部包括温检点控端5和瞬态保护模块6，所述的导热薄膜片I粘贴在需要保护的芯片表面，所述的导热薄膜片I通过数据线与所述的温检点控端5相连接，所述的温检点控端5通过导线连接到所述的瞬态保护模块6，所述的瞬态保护模块6串接在需要保护的芯片的电源供电线上。所述的导热薄膜片I引出数据线穿过通孔4与温检点控端5连接，所述的瞬态保护模块6串接在芯片的电源供电线上，当所述的温检点控端5通过导热薄膜片I采集到芯片表面的温度数值高于常规芯片能承受的温度数值时，会输出信号以控制所述的瞬态保护模块6断开芯片电源电路，从而实现对芯片的有效保护。从温度检测运算到发出信号控制断开芯片电源电路，整个过程时间间隔控制在0.2ms响应时间内，因此能够在电路发生短路等异常情况时及时切断芯片电源以避免芯片损坏。所述的导热薄膜片I为S型间隔热电膜片，所述的导热薄膜片I采用了 CTR热电材料。所述的温检点控端5内部采用了微体积处理器芯片GAIP-5201和电流放大-数字转换片上一体芯片MAX34407。所述的瞬态保护模块6内部采用了电磁条驱动式薄膜开关，所述的瞬态保护模块6采用高低状态开关电平信号驱动所述的电磁条驱动式薄膜开关的导通和断开。传统电路保护装置在电路发生短路等异常状况时主要是切断电路电源，而由于电路内部缓冲部件较多，这种方式无法实现对重要芯片的及时保护，因此，本技术通过监控芯片表面温度以实现对芯片本身的有效保护，能够提高芯片保护的针对性，保护效果明显，通过保护价格较高的芯片能够避免较大的经济损失，其作用比较大。【主权项】1.一种芯片异常温度监控模块，其特征在于:包括导热薄膜片(1)、支撑头(2)和温检片(3)，所述的导热薄膜片(I)通过支撑头(2)与所述的温检片(3)连接，所述的支撑头(2)中心有一通孔(4)，所述的温检片(3)内部包括温检点控端(5)和瞬态保护模块(6)，所述的导热薄膜片(I)粘贴在需要保护的芯片表面，所述的导热薄膜片(I)通过数据线与所述的温检点控端(5)相连接，所述的温检点控端(5)通过导线连接到所述的瞬态保护模块(6)，所述的瞬态保护模块(6)串接在需要保护的芯片的电源供电线上。2.根据权利要求1所述的芯片异常温度监控模块，其特征在于:所述的导热薄膜片(I)为S型间隔热电膜片，所述的导热薄膜片(I)采用了 CTR热电材料。3.根据权利要求1所述的芯片异常温度监控模块，其特征在于:所述的温检点控端(5)内部采用了微体积处理器芯片GAIP-5201和电流放大-数字转换片上一体芯片MAX34407。4.根据权利要求1所述的芯片异常温度监控模块，其特征在于:所述的瞬态保护模块(6)内部采用了电磁条驱动式薄膜开关，所述的瞬态保护模块(6)采用高低状态开关电平信号驱动所述的电磁条驱动式薄膜开关的导通和断开。【专利摘要】本技术公开了一种芯片异常温度监控模块，包括导热薄膜片、支撑头和温检片，导热薄膜片通过支撑头与温检片连接，支撑头中心有一通孔，温检片内部包括温检点控端和瞬态保护模块，导热薄膜片粘贴在需要保护的芯片表面，导热薄膜片通过数据线与温检点控端相连接，温检点控端通过导线连接到瞬态保护模块，瞬态保护模块串接在需要保护的芯片的电源供电线上。本技术通过监控芯片表面温度以实现对芯片本身的有效保护，能够提高芯片保护的针对性，保护效果明显，通过保护价格较高的芯片能够避免较大的经济损失，其作用比较大。【IPC分类】H02H5/04【公开号】CN204706871【申请号】CN201520386010【专利技术人】刘浙 【申请人】刘浙【公开日】2015年10月14日【申请日】2015年5月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片异常温度监控模块，其特征在于：包括导热薄膜片(1)、支撑头(2)和温检片(3)，所述的导热薄膜片(1)通过支撑头(2)与所述的温检片(3)连接，所述的支撑头(2)中心有一通孔(4)，所述的温检片(3)内部包括温检点控端(5)和瞬态保护模块(6)，所述的导热薄膜片(1)粘贴在需要保护的芯片表面，所述的导热薄膜片(1)通过数据线与所述的温检点控端(5)相连接，所述的温检点控端(5)通过导线连接到所述的瞬态保护模块(6)，所述的瞬态保护模块(6)串接在需要保护的芯片的电源供电线上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘浙，
申请(专利权)人：刘浙，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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