单晶炉副室增高件制造技术

本实用新型专利技术单晶炉副室增高件，属于太阳能单晶硅生产技术领域；所要解决的技术问题是提供一种结构简单的单晶炉副室增高件，安装在单晶炉上延长副室长度，以生产更长的单晶硅棒，以提高生产效率；采用的技术方案是：单晶炉副室增高件，包括增高件本体，增高件本体的上端设有连接提升机构的第一法兰且其下端设有连接副室的第二法兰，所述增高件本体内部设有通腔且所述通腔与提升机构和副室内部相连通，所述增高件本体外壁上设有密封的环状冷却室，所述环状冷却室的下端设有进水口且其上端设有出水口；本实用新型专利技术主要用于改造现有的标准单晶炉，延长副室内腔长度。

Single chamber auxiliary element of single crystal furnace

The utility model has the advantages of single crystal furnace and auxiliary chamber increased, which belongs to the technical field of solar silicon production; the technical problem to be solved is to provide a pair of single crystal furnace chamber has the advantages of simple structure high, installed in the single crystal furnace on the extension of the auxiliary chamber length, the longer the production of monocrystalline silicon rods, in order to improve the production efficiency; the technical scheme is single crystal furnace: the auxiliary chamber increased, including increased body, the upper part of the body is provided with a higher first flange connected with the lifting mechanism and the lower end is provided with second flanges side chamber, wherein a higher body is provided with a cavity and the cavity and the lifting mechanism and the auxiliary chamber communicated with the interior, the higher one the outer wall of the body is provided with an annular cooling chamber is sealed, the annular cooling chamber is provided with a water inlet and the upper end is provided with a water outlet; the utility model is mainly used for renovation of existing standard single crystal Lengthen the length of the inner chamber of the auxiliary chamber.

【技术实现步骤摘要】
单晶炉副室增高件
本技术单晶炉副室增高件，属于太阳能单晶硅生产

技术介绍
近年来，国内单晶炉市场发展迅速，为了提高生产效率，降低生产成本，增加竞争力，企业致力于研究提高单晶硅棒原料投入以延长单晶硅棒长度，但是一些幸好的单晶炉生产标准的固定性，副室长度一定，投入的原料必然是定量的，随意增加会使生产的单晶硅棒长度延长，但是在提拉时却无法使单晶硅棒完全脱离主室，错位旋转时会使单晶硅棒与内壁发生碰撞，后续工作也无法完成。
技术实现思路
本技术克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题是提供一种结构简单的单晶炉副室增高件，安装在单晶炉上延长副室长度，以生产更长的单晶硅棒，以提高生产效率。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是：单晶炉副室增高件，包括增高件本体，增高件本体的上端设有连接提升机构的第一法兰且其下端设有连接副室的第二法兰，所述增高件本体内部设有通腔且所述通腔与提升机构和副室内部相连通，所述增高件本体外壁上设有密封的环状冷却室，所述环状冷却室的下端设有进水口且其上端设有出水口。所述增高件本体的底部外壁上设置有支撑环片且所述支撑环片位于环状冷却室下方，所述环状冷却室与支撑环片之间填充有耐火材料，所述耐火材料内设有多个细密孔。所述环状冷却室与增高件本体外壁密封焊接，且焊接方式为氢弧焊。所述增高件本体的上部设有维修门。所述环状冷却室上部设有避开维修门的凹形缺口。本技术同现有技术相比所具有的有益效果是：用于安装在单晶炉的提升机构和副室之间以延长副室内腔长度，避免过长的单晶硅棒无法完全进入副室内腔影响后续工作，使得生产中可以依靠加大原料投入提升单次生产产量，从而提高生产效率，降低生产成本且改造成本低；在生产中增高件本体与副室一样都处于高温环境，环状冷却室内通入冷却水可以使增高件本体使用寿命延长，进水口设置在下部且出水口设置在上部，可有效延长冷却水在环状冷却室内部的换热面积与时长，提高冷却效果；万一环状冷却室内有渗出的冷却水，内设细密孔的耐火材料可以有效吸收避免冷却水滴落，而增高件本体内的高温同时可将耐火材料内的吸收水蒸发。附图说明下面结合附图对本技术作进一步说明。图1为本技术的结构示意图。图2为图1的后视图。图中：1为增高件本体，2为第一法兰，3为第二法兰，4为环状冷却室，5为进水口，6为出水口，7为支撑环片，8为耐火材料，9为维修门。具体实施方式如图1-2所示，本技术单晶炉副室增高件，包括增高件本体1，增高件本体1的上端设有连接提升机构的第一法兰2且其下端设有连接副室的第二法兰3，所述增高件本体1内部设有通腔且所述通腔与提升机构和副室内部相连通，增高件本体1用于安装在单晶炉的提升机构和副室之间对原有的单晶炉进行改造以延长副室内腔长度，避免过长的单晶硅棒无法完全进入副室内腔影响后续工作，使得生产中可以依靠加大原料投入提升单次生产产量，从而提高生产效率，降低生产成本；所述增高件本体1外壁上设有密封的环状冷却室4，所述环状冷却室4的下端设有进水口5且其上端设有出水口6，在生产中增高件本体1与副室一样都处于高温环境，环状冷却室4内通入冷却水可以使增高件本体1使用寿命延长，进水口5设置在下部且出水口6设置在上部，可有效延长冷却水在环状冷却室4内部的换热面积与时长，提高冷却效果。所述增高件本体1的底部外壁上设置有支撑环片7且所述支撑环片7位于环状冷却室4下方，所述环状冷却室4与支撑环片7之间填充有耐火材料8，所述耐火材料8内设有多个细密孔，万一环状冷却室4内有渗出的冷却水，内设细密孔的耐火材料8可以有效吸收避免冷却水滴落，而增高件本体1内的高温同时可将耐火材料8内的吸收水蒸发。所述环状冷却室4与增高件本体1外壁密封焊接，且焊接方式为氢弧焊。所述增高件本体1的上部设有维修门9。所述环状冷却室4上部设有避开维修门9的凹形缺口。上面结合附图对本技术的实施例作了详细说明，但是本技术并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下作出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
单晶炉副室增高件，其特征在于：包括增高件本体（1），增高件本体（1）的上端设有连接提升机构的第一法兰（2）且其下端设有连接副室的第二法兰（3），所述增高件本体（1）内部设有通腔且所述通腔与提升机构和副室内部相连通，所述增高件本体（1）外壁上设有密封的环状冷却室（4），所述环状冷却室（4）的下端设有进水口（5）且其上端设有出水口（6）。

【技术特征摘要】
1.单晶炉副室增高件，其特征在于：包括增高件本体（1），增高件本体（1）的上端设有连接提升机构的第一法兰（2）且其下端设有连接副室的第二法兰（3），所述增高件本体（1）内部设有通腔且所述通腔与提升机构和副室内部相连通，所述增高件本体（1）外壁上设有密封的环状冷却室（4），所述环状冷却室（4）的下端设有进水口（5）且其上端设有出水口（6）。2.根据权利要求1所述的单晶炉副室增高件，其特征在于：所述增高件本体（1）的底部外壁上设置有支撑环片（7）且所述支撑环片（7）...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝君顺，
申请(专利权)人：山西东明光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山西,14