System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种单晶硅片研磨轮及双面研磨装置制造方法及图纸_技高网

一种单晶硅片研磨轮及双面研磨装置制造方法及图纸

技术编号:39961304 阅读:5 留言:0更新日期:2024-01-09 00:04
本发明专利技术公开了一种单晶硅片研磨轮及双面研磨装置,涉及单晶硅片加工的技术领域,该单晶硅片研磨轮,包括轮盘体,所述轮盘体的一侧盘面上设有粗磨楞条,所述轮盘体的另一侧盘面上设有用于驱动轮盘体的驱动转轴,所述粗磨楞条围绕轮盘体的盘面中心位置上等角度设置有若干个,若干个所述粗磨楞条将轮盘体的盘面分隔成若干个板面区域,所述轮盘体上设有通道,所述通道位于板面区域内,所述通道的内部伸缩设有用于精细打磨单晶硅片的精磨件。本发明专利技术方便快速调整单晶硅片的粗磨和精磨工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的单晶硅片加工设备,尤其是涉及一种单晶硅片研磨轮及双面研磨装置


技术介绍

1、目前,单晶硅片的研磨工艺是指通过使用研磨轮对硅片的表面进行研磨,并产生具有高度平整表面的硅片。在研磨过程中,研磨轮需要配合抛光液使用,以减少对硅片的不必要损伤。

2、但是单晶硅片需要经过先粗磨后精磨的方式进行表面研磨处理,在单晶硅片的实际使用过程中,需要频繁更换不同目数的砂纸,难以快速调整单晶硅片的粗磨和精磨工序。


技术实现思路

1、本申请提供一种单晶硅片研磨轮及双面研磨装置,方便快速调整单晶硅片的粗磨和精磨工序。

2、本申请提供的一种单晶硅片研磨轮及双面研磨装置,采用如下的技术方案:

3、一种单晶硅片研磨轮,包括轮盘体,所述轮盘体的一侧盘面上设有粗磨楞条,所述轮盘体的另一侧盘面上设有用于驱动轮盘体的驱动转轴,所述粗磨楞条围绕轮盘体的盘面中心位置上等角度设置有若干个,若干个所述粗磨楞条将轮盘体的盘面分隔成若干个板面区域,所述轮盘体上设有通道,所述通道位于板面区域内,所述通道的内部伸缩设有用于精细打磨单晶硅片的精磨件。

4、通过采用上述技术方案,由于单晶硅片需要经过先粗磨后精磨的方式进行表面研磨处理,在实际使用过程中,需要更换不同目数的砂纸,操作繁琐,因此本方案通过在轮盘体表面设有粗磨楞条,实现对单晶硅片的表面进行打磨作用,另外,通过在轮盘体的内部伸缩设有精磨件,当精磨件的抛光表面越过粗磨楞条的打磨表面,直至与单晶硅片接触时,实现对单晶硅片表面的抛光作用,无需更换不同目数的砂纸,即可实现对单晶硅片的打磨和抛光的作用,方便快速调整单晶硅片的粗磨和精磨工序。

5、优选的,所述粗磨楞条上设有磨齿条,所述磨齿条呈流线型结构,且磨齿条上设有用于接触单晶硅片表面的倒角部。

6、通过采用上述技术方案,通过在粗磨楞条表面设置的磨齿条,使倒角部与硅片的表面相抵,利用转动的磨齿条,用于打磨硅片的外表面,硅片打磨过程中产生的下脚料会顺着磨齿条的倒角部导向至粗磨楞条上,并沿着粗磨楞条的流线型线条导向至轮盘体的盘面上,避免硅片打磨过程中产生的下脚料粘接在硅片表面,影响硅片的打磨和抛光。

7、优选的,所述粗磨楞条的内部设有用于柱状喷射抛光液的第一喷射孔和第二喷射孔,所述第一喷射孔和第二喷射孔均设置有若干个,且第一喷射孔和第二喷射孔分别位于磨齿条的两侧,所述第一喷射孔朝向单晶硅片的外表面,所述第二喷射孔朝向倒角部。

8、通过采用上述技术方案,位于磨齿条两侧的第一喷射孔和第二喷射孔,其中,第一喷射孔将抛光液喷射至单晶硅片的表面,用于起到抛光单晶硅片的作用,通过第二喷射孔喷射的抛光液,用于冲刷倒角部处的下脚料,避免下脚料磨损单晶硅片的表面。

9、优选的,所述精磨件包括开设于轮盘体内的空腔,所述空腔与通道连通,所述空腔的内部滑动设有伸缩盘,所述伸缩盘的一侧面上设有若干个贯穿于通道内部的抛光片,所述伸缩盘的另一侧面上设有驱动件。

10、通过采用上述技术方案,通过启动驱动件,使伸缩盘在空腔的内部伸缩,从而控制抛光片的伸缩,当抛光片外伸至通道外部,且抛光片的抛光面越过粗磨楞条时,利用抛光片与单晶硅片表面的接触,实现对单晶硅片的抛光作用。

11、优选的,一种单晶硅片双面研磨装置,所述单晶硅片双面研磨装置包括:支撑架;

12、相对设置的一对壳体,一对所述壳体之间同步滑动在支撑架上;

13、相对设置的一对上述单晶硅片研磨轮,一对所述单晶硅片研磨轮分别固定在对应的所述一对壳体上;

14、驱动元件,所述驱动元件设于支撑架上,且用于驱动一对壳体;

15、固定组件,所述固定组件设于一对壳体之间,且固定组件用于固定单晶硅片。

16、通过采用上述技术方案,由于单晶硅片研磨轮方便操作,因此为了方便对单晶硅片进行双面研磨,通过启动驱动元件的电源,使一对单晶硅片研磨轮相对运动,当一对单晶硅片研磨轮相互靠近时,单晶硅研磨轮与固定在固定组件上的单晶硅片的两侧表面相接触,利用单晶硅研磨轮,实现对单晶硅的双面研磨作用,操作简单,且易于实现。

17、优选的,相对一对所述壳体侧面的一面上设有集液块,所述集液块的内部设有集液槽,所述集液槽位于单晶硅片研磨轮的下侧空间,用于收集单晶硅片研磨轮打磨过程中产生的废液。

18、通过采用上述技术方案,由于抛光液喷射在单晶硅片和磨齿条上,打磨过程中,抛光液混合下脚料形成废液,废液容易滴落在支撑架上,弄脏支撑架,因此,通过在壳体上设有集液块,使废液滴落在集液槽内,用于起到暂存废液的作用,避免废液弄脏支撑架。

19、优选的,所述壳体的内部设有容纳腔,所述壳体上设有排液口和排液孔,所述排液口与容纳腔连通,且排液口垂直向下,所述排液孔的两端开口分别容纳腔和集液槽连通。

20、通过采用上述技术方案,暂存在集液槽内的废液,会穿过排液孔进入到壳体的内部容纳腔,并通过排液口,将废液导向至合适的位置,避免过多的废液溢出集液槽,用于合理处理废液。

21、优选的,所述固定组件包括支撑支柱,所述支撑支柱的顶部设有定位块,所述定位块的上表面设有用于匹配单晶硅片的卡槽。

22、通过采用上述技术方案,通过设置的支撑支柱,能有效的提供单晶硅片的固定平台,借助定位块上的卡槽,实现对单晶硅片的快速定位。

23、优选的,所述卡槽上设有定位穿孔,所述定位穿孔的内部设有挤压块,所述挤压块的一端朝向单晶硅片的表面。

24、通过采用上述技术方案,通过定位穿孔内的挤压块,使挤压块挤压在单晶硅片的两侧表面,用于起到夹紧固定单晶硅片的作用,用于保证单晶硅片加工过程中单晶硅片的稳定性。

25、优选的,所述挤压块为柔性材料,所述挤压块设置在集液块上。

26、通过采用上述技术方案,由于集液块设置在壳体上,当一对壳体相互靠近时候,连带集液块上的挤压块朝着单晶硅片的两侧表面靠近,直至挤压块穿过定位穿孔,与单晶硅片的两侧表面相抵,用于将单晶硅片固定在卡槽内,连动效果好,方便快速固定单晶硅片的位置。

27、综上所述,本申请具有以下有益效果:

28、1.该单晶硅片研磨轮,通过在轮盘体表面设有粗磨楞条,实现对单晶硅片的表面进行打磨作用,另外,通过在轮盘体的内部伸缩设有精磨件,当精磨件的抛光表面越过粗磨楞条的打磨表面,直至与单晶硅片接触时,实现对单晶硅片表面的抛光作用,无需更换不同目数的砂纸,即可实现对单晶硅片的打磨和抛光的作用,方便快速调整单晶硅片的粗磨和精磨工序;

29、2.该单晶硅片双面研磨装置,通过启动驱动元件的电源,使一对单晶硅片研磨轮相对运动,当一对单晶硅片研磨轮相互靠近时,单晶硅研磨轮与固定在固定组件上的单晶硅片的两侧表面相接触,利用单晶硅研磨轮,实现对单晶硅的双面研磨作用,操作简单,且易于实现。

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【技术保护点】

1.一种单晶硅片研磨轮,包括轮盘体(1),其特征在于:所述轮盘体(1)的一侧盘面上设有粗磨楞条(2),所述轮盘体(1)的另一侧盘面上设有用于驱动轮盘体(1)的驱动转轴(3),所述粗磨楞条(2)围绕轮盘体(1)的盘面中心位置上等角度设置有若干个,若干个所述粗磨楞条(2)将轮盘体(1)的盘面分隔成若干个板面区域,所述轮盘体(1)上设有通道(4),所述通道(4)位于板面区域内,所述通道(4)的内部伸缩设有用于精细打磨单晶硅片的精磨件(5)。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨轮,其特征在于:所述粗磨楞条(2)上设有磨齿条(6),所述磨齿条(6)呈流线型结构,且磨齿条(6)上设有用于接触单晶硅片表面的倒角部(7)。

3.根据权利要求2所述的单晶硅片研磨轮,其特征在于:所述粗磨楞条(2)的内部设有用于柱状喷射抛光液的第一喷射孔(8)和第二喷射孔(9),所述第一喷射孔(8)和第二喷射孔(9)均设置有若干个,且第一喷射孔(8)和第二喷射孔(9)分别位于磨齿条(6)的两侧,所述第一喷射孔(8)朝向单晶硅片的外表面,所述第二喷射孔(9)朝向倒角部(7)。

4.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨轮,其特征在于:所述精磨件(5)包括开设于轮盘体(1)内的空腔(501),所述空腔(501)与通道(4)连通,所述空腔(501)的内部滑动设有伸缩盘(502),所述伸缩盘(502)的一侧面上设有若干个贯穿于通道(4)内部的抛光片(503),所述伸缩盘(502)的另一侧面上设有驱动件(504)。

5.一种单晶硅片双面研磨装置,其特征在于:所述单晶硅片双面研磨装置包括:支撑架(10);

6.根据权利要求5所述的单晶硅片双面研磨装置,其特征在于:相对一对所述壳体(11)侧面的一面上设有集液块(15),所述集液块(15)的内部设有集液槽(16),所述集液槽(16)位于单晶硅片研磨轮的下侧空间,用于收集单晶硅片研磨轮打磨过程中产生的废液。

7.根据权利要求6所述的单晶硅片双面研磨装置,其特征在于:所述壳体(11)的内部设有容纳腔(17),所述壳体(11)上设有排液口(18)和排液孔(19),所述排液口(18)与容纳腔(17)连通,且排液口(18)垂直向下,所述排液孔(19)的两端开口分别容纳腔(17)和集液槽(16)连通。

8.根据权利要求5所述的单晶硅片双面研磨装置,其特征在于:所述固定组件(13)包括支撑支柱(1301),所述支撑支柱(1301)的顶部设有定位块(1302),所述定位块(1302)的上表面设有用于匹配单晶硅片的卡槽(1303)。

9.根据权利要求8所述的单晶硅片双面研磨装置,其特征在于:所述卡槽(1303)上设有定位穿孔(1304),所述定位穿孔(1304)的内部设有挤压块(1305),所述挤压块(1305)的一端朝向单晶硅片的表面。

10.根据权利要求9所述的单晶硅片双面研磨装置,其特征在于:所述挤压块(1305)为柔性材料,所述挤压块(1305)设置在集液块(15)上。

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【技术特征摘要】

1.一种单晶硅片研磨轮,包括轮盘体(1),其特征在于:所述轮盘体(1)的一侧盘面上设有粗磨楞条(2),所述轮盘体(1)的另一侧盘面上设有用于驱动轮盘体(1)的驱动转轴(3),所述粗磨楞条(2)围绕轮盘体(1)的盘面中心位置上等角度设置有若干个,若干个所述粗磨楞条(2)将轮盘体(1)的盘面分隔成若干个板面区域,所述轮盘体(1)上设有通道(4),所述通道(4)位于板面区域内,所述通道(4)的内部伸缩设有用于精细打磨单晶硅片的精磨件(5)。

2.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨轮,其特征在于:所述粗磨楞条(2)上设有磨齿条(6),所述磨齿条(6)呈流线型结构,且磨齿条(6)上设有用于接触单晶硅片表面的倒角部(7)。

3.根据权利要求2所述的单晶硅片研磨轮,其特征在于:所述粗磨楞条(2)的内部设有用于柱状喷射抛光液的第一喷射孔(8)和第二喷射孔(9),所述第一喷射孔(8)和第二喷射孔(9)均设置有若干个,且第一喷射孔(8)和第二喷射孔(9)分别位于磨齿条(6)的两侧,所述第一喷射孔(8)朝向单晶硅片的外表面,所述第二喷射孔(9)朝向倒角部(7)。

4.根据权利要求1所述的单晶硅片研磨轮,其特征在于:所述精磨件(5)包括开设于轮盘体(1)内的空腔(501),所述空腔(501)与通道(4)连通,所述空腔(501)的内部滑动设有伸缩盘(502),所述伸缩盘(502)的一侧面上设有若干个贯穿于通道(4)内部的抛光片(503),所述伸缩盘(502)的另一侧面上设有驱...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘伟
申请(专利权)人:山西东明光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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