鳍下器件隔离制造技术

一种基于鳍的结构可包括在半导体基板的表面上的鳍。这些鳍中的每个鳍可包括邻近半导体基板的表面的掺杂部分。该基于鳍的结构还可包括隔离层，该隔离层被设置在各鳍之间和半导体基板的表面上。该基于鳍的结构还可包括在鳍的掺杂部分的侧壁上的凹陷隔离内衬。鳍的无衬掺杂部分可从凹陷隔离内衬延伸到隔离层的表面处的鳍的有源部分。隔离层被设置在鳍的无衬掺杂部分上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】鳍下器件隔离背景领域本公开的各方面涉及半导体器件，尤其涉及毗邻器件之间的隔离。背景随着集成电路(IC)技术的进步，器件的几何形状减小。减小器件之间的几何形状和“间距”(间隔)可使得器件关于合适的操作而相互干扰。基于鳍的器件是半导体基板的表面上的三维结构。基于鳍的晶体管(其可以是基于鳍的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET))可被称为FinFET。掺杂FinFET的较靠近基板的部分以用于器件之间的隔离是困难的，因为鳍的有源部分阻碍注入，或者也接收注入，从而降低所尝试隔离的有效性。概述一种用于在基板上的基于鳍的结构内进行隔离的方法可包括：在所述基于鳍的结构的鳍上提供掺杂隔离内衬。所述方法还可包括：在所述掺杂隔离内衬的侧壁上、在所述鳍之间沉积第一层隔离材料。所述方法可进一步包括：暴露所述鳍上的所述掺杂隔离内衬的一部分。所述方法还可包括：暴露所述鳍的有源部分。所述方法可进一步包括：将所述掺杂隔离内衬中的掺杂剂驱入所述鳍的包括无衬掺杂部分的掺杂部分中。所述方法还可包括：在所述鳍的所述无衬掺杂部分和所述第一层隔离材料上沉积第二层隔离材料至所述鳍的所述有源部分与所述掺杂部分之间的边界。一种基于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于隔离基板上的基于鳍的结构的掺杂部分的方法，包括：在所述基于鳍的结构的多个鳍上沉积掺杂隔离内衬；在所述掺杂隔离内衬的侧壁上、在所述多个鳍之间沉积第一层隔离材料；暴露所述多个鳍上的所述掺杂隔离内衬的一部分；蚀刻所述多个鳍上的所述掺杂隔离内衬以暴露所述多个鳍的有源部分；将所述掺杂隔离内衬中的掺杂剂驱入所述多个鳍的包括无衬掺杂部分的所述掺杂部分中；以及在所述多个鳍的所述无衬掺杂部分和所述第一层隔离材料上沉积第二层隔离材料至所述多个鳍的所述有源部分与所述掺杂部分之间的边界。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.23 US 14/581,2441.一种用于隔离基板上的基于鳍的结构的掺杂部分的方法，包括：在所述基于鳍的结构的多个鳍上沉积掺杂隔离内衬；在所述掺杂隔离内衬的侧壁上、在所述多个鳍之间沉积第一层隔离材料；暴露所述多个鳍上的所述掺杂隔离内衬的一部分；蚀刻所述多个鳍上的所述掺杂隔离内衬以暴露所述多个鳍的有源部分；将所述掺杂隔离内衬中的掺杂剂驱入所述多个鳍的包括无衬掺杂部分的所述掺杂部分中；以及在所述多个鳍的所述无衬掺杂部分和所述第一层隔离材料上沉积第二层隔离材料至所述多个鳍的所述有源部分与所述掺杂部分之间的边界。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述第一层隔离材料与所述掺杂隔离内衬之间沉积分隔层。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分隔层是基于氮化物的掺杂剂阻挡层。4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，蚀刻所述掺杂隔离内衬进一步包括：移除所述分隔层的一部分以暴露所述掺杂隔离内衬；以及蚀刻所述掺杂隔离内衬以暴露所述多个鳍的所述有源部分。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在沉积所述第一层隔离材料之前，减薄掺杂氧化物以形成所述掺杂隔离内衬。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，驱入进一步包括：对所述掺杂隔离内衬进行退火以将所述掺杂隔离内衬中的所述掺杂剂纳入到所述多个鳍的包括所述无衬掺杂部分的所述掺杂部分中。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，暴露所述掺杂隔离内衬的一部分包括：将所述第一层隔离材料凹陷以暴露所述多个鳍上的所述掺杂隔离内衬的所述部分。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于鳍的结构被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。9.一种基于鳍的结构，包括：在半导体基板的表面上的多个鳍，每个鳍包括邻近所述半导体基板的所述表面的掺杂部分；隔离层，所述隔离层被设置在所述多个鳍之间和所述半导体基板的所述表面上；以及在所述多个鳍的所述掺杂部分的侧壁上的凹陷隔离内衬，所述多个鳍的无衬掺杂部分从所述凹陷隔离内衬延伸到所述隔离层的表面，所述隔离层暴露所述多个鳍的有源部分并且被设置在所述多个鳍的所述无衬掺杂部分上。10.如权利要求9所述的基于鳍的结构，其特征在于，进一步包括分隔层，所述分隔层被设置在所述隔离层与所述凹陷隔离内衬之间。11.如权利要求10所述的基于鳍的结构，其特征在于，所述分隔层是基于氮化物的掺杂剂阻挡层。12.如权利要求9所述的基于鳍的结构，其特征在于，所述凹陷隔离内衬进一步包括在所述多个鳍的所述掺杂部分的侧壁上的掺杂隔离内衬，所述掺杂隔离内衬从所述半导体基板的所述表面延伸到所述多个鳍的所述无衬掺杂部分。13.如权利要求9所述的基于鳍的结构，其特征在于，所述隔离层包括第一层和第二层，所述第一层被设置在所述多个鳍之间，所述第二层在所述多个鳍的所述有源部分的基底处并且被设置在所述多个鳍的所述无衬掺杂部分上。14.如权利要求9所述的基于鳍的结构，其特征在于，所述基于鳍的结构被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。15.一种基于鳍的结构，包括：在半...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·S·宋，J·J·徐，V·马赫卡奥特桑，M·巴达罗格鲁，C·F·耶普，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US