半导体装置以及其设计方法制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置以及其设计方法
本专利技术涉及，具备具有配置作为规定了规定方向的大小的电路块的标准单元的规定的区域的半导体基板的半导体装置、以及其设计方法。
技术介绍
近几年，半导体集成电路装置(以下，称为半导体装置)，按照过程领域的细微化以及高密度化的技术进步而高集成化进展，随着高集成化，因静电放电(以下，称为浪涌)而容易被损坏。例如，因从外部连接用垫侵入的浪涌而输入电路、输出电路、输入输出电路以及内部电路等的元件被破坏、或元件的性能降低的可能性越来越大。因此，附随于外部连接用垫，具备用于保护输入电路、输出电路、输入输出电路以及内部电路接受浪涌的保护电路的情况越来越多。保护接受来自这样的外部连接用垫的浪涌的静电放电保护电路，一般而言，由多晶硅电阻体、以及栅极氧化层厚的高耐压MOS晶体管构成(参照专利文献1)。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1：日本特开2005－57138号公报在此，对于半导体装置，随着低耗电化的要求，而会有存在多个电源系统的情况。在此情况下，会有在半导体装置的内部的不同电源域的信号间，发生浪涌的可能性。若发生这样的浪涌，例如，则会有浪涌输入的电源...
【技术保护点】
一种半导体装置，具备半导体基板，该半导体基板具有用于配置标准单元的规定的区域，所述标准单元是规定了规定方向的大小的电路块，所述半导体装置，具备：第一电路，与第一接地电源线连接；第二电路，与独立于所述第一接地电源线的第二接地电源线连接，所述第二电路由多个所述标准单元构成；以及保护电路，介于并连接于所述第一电路以及所述第二电路之间，所述保护电路，包括：电阻元件，串联连接于所述第一电路与所述第二电路之间；以及保护元件，介于并连接于所述电阻元件的所述第二电路侧的节点、与所述第二接地电源线之间，将该节点与该第二接地电源线之间的电位差保持在规定的电压以下，所述保护电路被形成在保护单元，...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.08 JP 2015-0026501.一种半导体装置，具备半导体基板，该半导体基板具有用于配置标准单元的规定的区域，所述标准单元是规定了规定方向的大小的电路块，所述半导体装置，具备：第一电路，与第一接地电源线连接；第二电路，与独立于所述第一接地电源线的第二接地电源线连接，所述第二电路由多个所述标准单元构成；以及保护电路，介于并连接于所述第一电路以及所述第二电路之间，所述保护电路，包括：电阻元件，串联连接于所述第一电路与所述第二电路之间；以及保护元件，介于并连接于所述电阻元件的所述第二电路侧的节点、与所述第二接地电源线之间，将该节点与该第二接地电源线之间的电位差保持在规定的电压以下，所述保护电路被形成在保护单元，该保护单元被配置在所述规定的区域，该保护单元的所述规定方向的大小为所述标准单元的所述规定方向的大小的整数倍。2.如权利要求1所述的半导体装置，所述电阻元件，由形成在所述半导体基板的扩散层形成。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，所述半导体基板包括N阱以及P阱，在所述规定的区域，所述N阱以及所述P阱的至少一方沿着与所述规定方向正交的方向被形成为带状，在俯视时，所述N阱与所述P阱的边界弯折，所述保护电路，被配置在所述N阱以及所述P阱之中的、俯视面积大的阱。4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体装置，所述保护元件是晶体管。5.如权利要求1至3的任一项所述的半导体装置，所述保护元件是二极管。6.如权利要求5所述的半导体装置，所述二极管的所述第二接地电源线侧的节点是，用于连接所述半导体基板和所述第二接地电源线的基板接触区。7.如权利要求5或6所述的半导体装置，所述二极管的所述电阻元件侧的节点是，被形成在所述半导体基板的扩散层的端部，并且是形成所述电阻元件的扩散层的端部。8.如权利要求1至7的任一项所述的半导体装置，所述半导体装置包括，多个所述第二接地电源线，所述第二接地电源线的每一个是，在所述规定方向上彼此相邻的所述多个标准单元的边界，在与所述规定方向正交的方向上所述规定的区域内以直线状延伸设置的电源线，所述第二接地电源线的每一个由所述保护电路与所述第二电路共享。9.如权利要求8所述的半导体装置，所述多个第二接地电源线的每一个的线宽，在所述规定的区域内大致一定。10.如权利要求8或9所述的半导体装置，所述多个第二接地电源线，在所述规定的区域内被形成在一个布线层。11.如权利要求1至10的任一项所述的半导体装置，所述保护单元的所述规定方向的大小为，所述标准单元的所述规...
【专利技术属性】
技术研发人员：中西和幸，松冈大辅，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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