由含硅三元金属间化合物生产卤代硅烷的方法技术

本发明专利技术提供了一种制备包含卤代硅烷的反应产物的方法，所述方法包括：在300℃至700℃的温度下，使不饱和烃基卤化物与三元金属间化合物接触以形成所述反应产物。所述三元金属间化合物包含铜、硅和过渡金属。所述反应产物中的所述卤代硅烷具有式R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】由含硅三元金属间化合物生产卤代硅烷的方法根据美国法典第35篇第119(e)节的规定，本申请要求提交于2014年12月18日的美国临时专利申请62/093487的优先权。美国临时专利申请62/093487据此以引用方式并入。制备卤代硅烷的方法在本领域中是已知的。通常，卤代硅烷通过Mueller-Rochow直接法进行商业化生产，该直接法包括在铜催化剂和各种任选促进剂的存在下将卤化物化合物传递到零价硅(Si0)上。通过直接法生产卤代硅烷的混合物。当使用不饱和烃基卤化物时，通过直接法生产有机卤代硅烷的混合物。当使用卤化氢时，通过直接法生产氢卤硅烷的混合物。用于制备用在直接法中的Si0的典型工艺包括SiO2在电弧炉中的碳热还原。需要极高的温度以还原SiO2，因此该工艺较为耗能。因此，Si0的生产增加了用于生产卤代硅烷的直接法的成本。因此，存在对生产卤代硅烷的更经济的方法的需要，该方法可避免或减少使用Si0的需要。各种卤代硅烷可用于不同行业。二有机二卤代硅烷，诸如二甲基二氯硅烷被水解以生产各种不同的聚有机硅氧烷，诸如聚二有机硅氧烷。有机氢卤代硅烷可用于制备聚有机氢硅氧烷，其可用作防水剂；另选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备包含卤代硅烷的反应产物的方法，其中所述方法包括：在300℃至700℃的温度下，使不饱和烃基卤化物与包含铜、硅和过渡金属的三元金属间化合物接触以形成所述反应产物，所述过渡金属选自银、铬、铁、钼和铑，其中所述卤代硅烷具有通式R

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.18 US 62/0934871.一种用于制备包含卤代硅烷的反应产物的方法，其中所述方法包括：在300℃至700℃的温度下，使不饱和烃基卤化物与包含铜、硅和过渡金属的三元金属间化合物接触以形成所述反应产物，所述过渡金属选自银、铬、铁、钼和铑，其中所述卤代硅烷具有通式R1mR2nHoSiX(4-m-n-o)，其中每个R1独立地为饱和一价烃基基团，每个R2独立地为不饱和一价烃基基团；每个X独立地为卤素；m为1、2或3；下标n为0、1或2；下标o为0、1或2；并且(m+n+o)的量为1、2或3。其中所述不饱和烃基卤化物中的不饱和烃基基团的至少一部分被转化为所述卤代硅烷中的饱和烃基基团。2.根据权利要求1所述的方法，还包括一个或多个步骤，其中所述一个或多个步骤选自：在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触之前吹扫和/或处理含有所述三元金属间化合物的反应器；和/或在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触之前使所述不饱和烃基卤化物气化；和/或在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触之前使所述不饱和烃基卤化物液化；和/或在使所述三元金属间化合物和所述不饱和烃基卤化物接触之前使所述三元金属间化合物与H2接触；和/或从所述反应产物中回收所述卤代硅烷。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，还包括在使所述不饱和烃基卤化物和所述三元金属间化合物接触期间加入氢气。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述过渡金属为Ag，每个R1为乙基，每个R2为乙烯基，并且每个X为氯。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述反应产物包括式Vi3SiCl、ViSiCl2、ViEtSiC...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·凯瑟里斯，J·罗伯茨，
申请(专利权)人：美国道康宁公司，
类型：发明
国别省市：美国,US