半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括：包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
实施方式涉及半导体器件及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
一些半导体器件可以包括在其中半导体基板与绝缘层接触的结构。半导体基板可以包括结晶半导体材料。
技术实现思路
实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：包含沟槽的半导体基板，该半导体基板具有晶体结构；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽的内侧壁具有在晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或者关于{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：半导体基板，具有晶体结构并且包括沟槽，该半导体基板的顶表面具有在晶体结构的{100}晶面族中包括的至少一个面；以及覆盖沟槽的内侧壁的绝缘层，其中沟槽在晶体结构的<230>晶向族中包括的一个方向上延伸。实施方式可以通过提供一种半导体器件实现，该半导体器件包括：半导体基板，包括由器件隔离层限定的有源区；以及沟槽，与有源区交叉以延伸到器件隔离层中，半导体基板具有晶体结构；在沟槽中的栅电极；在栅电极和半导体基板之间的栅绝缘层；以及在沟槽两侧的源/漏极区，其中沟槽包括内侧壁，该内侧壁具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体基板，包括：由器件隔离层限定的有源区；以及沟槽，与所述有源区交叉以延伸到所述器件隔离层中，所述半导体基板具有晶体结构；在所述沟槽中的栅电极；栅绝缘层，在所述栅电极和所述半导体基板之间；以及源/漏极区，在所述沟槽的两侧，其中所述沟槽包括内侧壁，所述内侧壁具有在所述晶体结构的{320}晶面族中包括的至少一个面或关于所述{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。

【技术特征摘要】
2016.02.23 KR 10-2016-00212421.一种半导体器件，包括：半导体基板，包括：由器件隔离层限定的有源区；以及沟槽，与所述有源区交叉以延伸到所述器件隔离层中，所述半导体基板具有晶体结构；在所述沟槽中的栅电极；栅绝缘层，在所述栅电极和所述半导体基板之间；以及源/漏极区，在所述沟槽的两侧，其中所述沟槽包括内侧壁，所述内侧壁具有在所述晶体结构的{320}晶面族中包括的至少一个面或关于所述{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体基板的顶表面具有在所述晶体结构的{100}晶面族中包括的至少一个面。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体基板具有金刚石晶体结构。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体基板是单晶硅基板或单晶锗基板。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述栅绝缘层与所述半导体基板接触，以及所述栅绝缘层包括硅氧化物层或硅氮氧化物层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述半导体基板的顶表面具有所述晶体结构的(001)面，以及所述沟槽在所述晶体结构的[-230]方向上延伸。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：当在平面图中看时，所述沟槽在第一方向上延伸，当在平面图中看时，所述有源区有具有在第二方向上的长轴的矩形形状，以及当在平面图中看时，所述第一方向和所述第二方向之间的角度在从65.38度到69.38度的范围。8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：所述有源区包括在所述第二方向上延伸的侧壁，以及所述有源区的所述侧壁具有所述晶体结构的(3-20)面。9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：所述第一方向是所述晶体结构的[-230]方向，以及所述第二方向是所述晶体结构的[230]方向。10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：位线，电连接到所述源/漏极区之一；以及数据存储部，电连接到所述源/漏极区的另一个。11.一种半导体器件，包含：半导体基板，具有晶体结构并且包括由器件隔离层限定的有源图案，所述有源图案包括侧壁，所述侧壁具有在所述晶体结构的{320}晶面族中包含的至少一个面或关于所述{320}晶面族具有2度以内的角度的至少一个面；栅电极，与所述有源图案交叉；栅绝缘层，在所述栅电极和所述有源图案之间；以及源/漏极区，在所述栅电极的两侧。12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述半导体基板的顶表面具有在所述晶体结构的{100}晶面族中包括的至少一个面。13.根据权利要求11所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：李盛三，金俊秀，安孝信，山田悟，全柱炫，郑文泳，郑天炯，赵珉熙，蔡教锡，崔恩爱，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR