间隙填充的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种间隙填充的工艺方法，针对常规的间隙进行HDP CVD填充产生的空洞问题，本发明专利技术首先采用亚常压化学气相淀积(SA‑CVD)一层热氧化层，然后再进行HDP CVD填充。本发明专利技术利用亚常压化学气相淀积良好的台阶覆盖特性将凹凸的表面填平，然后再进行HDP CVD填充，解决了空洞问题。

【技术实现步骤摘要】
间隙填充的工艺方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种间隙填充的工艺方法。
技术介绍
在半导体制造中，随着半导体器件的持续缩小，STI沟槽,gate与gate之间，metal与metal之间的间隙深宽比越来越大。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制生产成本的过程中诞生了HDPCVD工艺,它的突破创新之处就在于,在同一个反应腔中同步地进行淀积和刻蚀的工艺。具体来说,在常见的HDPCVD制程中,在低压状态(几个mT)下，淀积工艺通常是由SiH4和O2的反应来实现,而蚀刻工艺通常是由Ar和O2的溅射来完成。因高密度等离子体(HDP)CVD填充是淀积与溅射同时进行，并且从顶部溅射下来的材料会在底部再沉积，如图1所示，如果填充时间隙的侧壁凹凸不平，就会在侧壁形成空洞(void)。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种间隙填充的工艺方法，解决填充间隙时的空洞问题。为解决上述问题，本专利技术所述的间隙填充的工艺方法，首先采用亚常压化学气相淀积(SA-CVD)一层热氧化层，然后再进行HDPCVD填充。进一步地，所述热氧化层采用正硅酸乙酯形成。进一步地，采用亚常压化学气相淀积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种间隙填充的工艺方法，其特征在于：首先采用亚常压化学气相淀积一层热氧化层，然后再进行HDP CVD填充。

【技术特征摘要】
1.一种间隙填充的工艺方法，其特征在于：首先采用亚常压化学气相淀积一层热氧化层，然后再进行HDPCVD填充。2.如权利要求1所述的间隙填充的工艺方法，其特征在于：所述热...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴建荣，周洁鹏，季伟，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31