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本发明公开了一种间隙填充的工艺方法，针对常规的间隙进行HDP CVD填充产生的空洞问题，本发明首先采用亚常压化学气相淀积(SA‑CVD)一层热氧化层，然后再进行HDP CVD填充。本发明利用亚常压化学气相淀积良好的台阶覆盖特性将凹凸的表面填...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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