【技术实现步骤摘要】
一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法
本专利技术涉及真空镀膜技术与设备,特别的,涉及一种多功能连续溅射镀膜线及其镀膜方法与镀膜控制方法。
技术介绍
真空镀膜技术已经广泛应用于各个领域,磁控溅射镀膜技术是比较成熟而且有效的方法之一。在实际应用中,越来越多需求是能够在基片上镀多种材料的膜层和多层膜。而且由于需求不同,这些材料和膜层常常是变化的,因此,对镀膜设备的要求也越来越高。一般,连续溅镀线生产效率高,产能大。但目前连续磁控溅镀线基本都是为了一种特定的用途而设计,即为某一种特定的膜而设计,溅镀线功能可变性小。如果膜系结构改变,常常难以生产,而连续溅镀线在镀多层膜时,由于需要的靶位多,生产线会很长,造价也高。而且,需要对每个靶工作特性如均匀性进行调试,工作量大,调试也困难。因此,理想的连续溅镀线应该具有多功能性,也就是可以用来做多种膜系,镀多种基片材料,且能同时镀多块基片,以提高效率。中国专利201110451479.7公开了一种磁控溅射镀膜生产系统及其生产工艺,其镀膜线采用带回转功能的回转室对工件进行传输,实现工件的多层镀膜,该镀膜线虽然在结构上比较紧 ...
【技术保护点】
一种多功能连续溅射镀膜线,其特征在于,包括依次通过阀门连接的前缓冲室、n个镀膜室、后缓冲室,其中n的数值为大于或等于1的整数,即n个镀膜室为1个镀膜室或多个首尾依次连接的镀膜室,每一个镀膜室分别连接有供气装置及真空泵,每一个镀膜室内均设有1个或多个阴极靶,每一个镀膜室内分别单独设有可在镀膜室的入口与出口之间来回运送基片架的输送装置,每一个镀膜室的入口附近与出口附近分别设有可探测基片架是否到达当前位置的探测装置,所述输送装置包括用于承载基片架的轨道,及用于驱动基片架在轨道上来回运行的驱动装置,任意相邻两个镀膜室内输送装置的轨道位于同一条直线上(两个镀膜腔体不是本专利的最主要的 ...
【技术特征摘要】
1.一种多功能连续溅射镀膜线,其特征在于,包括依次通过阀门连接的前缓冲室、n个镀膜室、后缓冲室,其中n的数值为大于或等于1的整数,即n个镀膜室为1个镀膜室或多个首尾依次连接的镀膜室,每一个镀膜室分别连接有供气装置及真空泵,每一个镀膜室内均设有1个或多个阴极靶,每一个镀膜室内分别单独设有可在镀膜室的入口与出口之间来回运送基片架的输送装置,每一个镀膜室的入口附近与出口附近分别设有可探测基片架是否到达当前位置的探测装置,所述输送装置包括用于承载基片架的轨道,及用于驱动基片架在轨道上来回运行的驱动装置,任意相邻两个镀膜室内输送装置的轨道位于同一条直线上(两个镀膜腔体不是本专利的最主要的技术特征,因此不放在主权利要求中,将两个镀膜腔体另外用从属权利要求6体现)。2.根据权利要求1所述的一种多功能连续溅射镀膜线,其特征在于,所述输送装置的轨道为设于镀膜室内顶面的槽形轨道,槽形轨道正下方设有支撑起基片架底部的并对基片架提供驱动力的滚轮,滚轮轮缘上设有轮槽,基片架上部在槽形轨道内滑动,下部被定位于滚轮的轮槽内,与滚轮产生相对运动,滚轮由驱动装置驱动。3.根据权利要求2所述的一种多功能连续溅射镀膜线,其特征在于,每一个镀膜室连接的工艺气体进气装置的进气口位于镀膜室中各阴极靶的正中间,每一个镀膜室连接的真空泵至少有两个,且真空泵的抽气口均匀对称分布于镀膜室的两端。4.根据权利要求3所述的一种多功能连续溅射镀膜线,其特征在于,所述n个镀膜室的前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室之间连接有回转室,n个镀膜室整体对折,使前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室内的轨道对折后呈平行对称排列成两列,且前一半数量的镀膜室与后一半数量的镀膜室侧壁相对的一面贴合在一起,或者共用同一道侧壁,当n为偶数时,镀膜室对折后的溅射镀膜线前缓冲室与后缓冲室共用同一个腔室。5.根据权利要求1~4中任意一项所述的一种多功能连续溅射镀膜线,其特征在于,本镀膜线还设置有控制器,所述阀门、供气装置、真空泵、阴极靶、探测装置、驱动装置、回转室的回转驱动装置均由控制器电连接控制。6.根据权利要求5所述的一种多功能连续溅射镀膜线,其特征在于,每一个所述镀膜室均包括两段对称连接在一起且不设阀门的镀膜腔体A与镀膜腔体B,前一个镀膜室的镀膜腔体B与后一个镀膜室的镀膜腔体A通过阀门隔开连接,第1镀膜室的镀膜腔体A与其镀膜腔体B相对的另一端通过阀门隔开连接前缓冲室,第n镀膜室的镀膜腔体B与其膜腔体A相对的另一端通过阀门隔开连接后缓冲室。7.一种如权利要求1~6中任一项所述多功能连续溅射镀膜线的镀膜方法,其特征在于,包括以下步骤:1)若第1镀膜室腔体内无基片,前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门打开,前缓冲室的驱动装置正转将载有第1基片的第1基片架载入第1镀膜室内,基片架进入第1镀膜室镀膜腔体后,由第1镀膜室的驱动装置驱动,前缓冲室与第1镀膜室之间的阀门关闭;2)当第1基片架运行至第1镀膜室镀膜腔体的入口处的探测装置C处时,开启第1镀膜室腔体内的阴极靶a对第1基片进行镀膜,根据所需镀阴极靶a的层数来决定阴极靶a开启时第1镀膜室的驱动装置的正反转运行次数,第1基片架跟随驱动装置由探测装置C处运行至探测装置D处或基片架由探测装置D处传动至探测装置C处代表1次镀膜完成,完成1次镀膜,当阴极靶a膜层全部镀完,关闭阴极靶a;3)若第1基片架还需在第1镀膜室内镀阴极靶b,开启第1镀膜室腔体内的阴极靶b对第1基片进行镀膜,根据所需镀阴极靶b的层数来决定阴极靶b开启时第1镀膜室的驱动装置的正反转运行次数,第1基片架跟随驱动装置由探测装置C处传动至探测装置D处或基片架由探测装置D处传动至探测装置C处代表1次镀膜完成,完成1次镀膜,当阴极靶b膜层全部镀完,关闭阴极靶b,4)若第1基片架还需在第1镀膜室内镀其他阴极靶,则依次开启第1镀膜室腔体内的其他阴极靶对第1基片...
【专利技术属性】
技术研发人员:周群飞,饶桥兵,邬文波,
申请(专利权)人:蓝思科技长沙有限公司,
类型:发明
国别省市:湖南,43
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。