多层AZO薄膜的制备方法技术

一种多层AZO薄膜的制备方法，包括如下步骤：使用第一Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；使用第二Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；使用第三Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜。所述第一Al掺杂浓度，所述第二Al掺杂浓度，和所述第三Al掺杂浓度不相同。根据本发明专利技术的制备方法，使用三种不同Al掺杂浓度的AZO靶材，射频与直流激励同时作用于AZO靶材，将较高成膜速率与较高等离子体密度结合在一起，促进沉积原子的表面扩散，获得致密、晶粒大、缺陷少、晶态质量高的AZO晶体结构，更可控地在较低温度下制备电阻率在10

【技术实现步骤摘要】
多层AZO薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种多层AZO薄膜的制备方法。
技术介绍
近年来，氧化锌(ZnO)基的透明导电薄膜吸引了很多的注意力。典型的用途包括，柔性电子产品、薄膜太阳能电池、平板显示等。提高ZnO导电性的掺杂元素有许多，但掺铝的是最有前途的之一。AZO薄膜是一种透明导电薄膜，在适当的掺杂浓度下，表现出良好的透明导电特性，但目前研究者通常采用一种掺杂浓度的靶材制备AZO薄膜，并且需要加热才能制备出较好光电性能的AZO薄膜。
技术实现思路
针对现有技术存在的技术缺陷，本专利技术的旨在使用三种不同Al掺杂浓度的AZO靶材，射频与直流激励同时作用于AZO靶材，将较高成膜速率与较高等离子体密度结合在一起，促进沉积原子的表面扩散，获得致密、晶粒大、缺陷少、晶态质量高的AZO晶体结构。为了达成上述目的，本专利技术提供了一种多层AZO薄膜的制备方法，包括如下步骤：使用第一Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；使用第二Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；使用第三Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜。所述第一Al掺杂浓度，所述第二Al掺杂浓度，和所述第三Al掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多层AZO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)使用第一Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；b)使用第二Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；c)使用第三Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；其中，所述第一Al掺杂浓度，所述第二Al掺杂浓度，和所述第三Al掺杂浓度不相同。

【技术特征摘要】
1.一种多层AZO薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)使用第一Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；b)使用第二Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；c)使用第三Al掺杂浓度的AZO靶材溅射生长一层AZO薄膜；其中，所述第一Al掺杂浓度，所述第二Al掺杂浓度，和所述第三Al掺杂浓度不相同。2.根据权利要求1所述的多层AZO薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一Al掺杂浓度，所述第二Al掺杂浓度，和所述第三Al掺杂浓度按升序排列。3.根据权利要求2所述的LOW-E自动取片对中电气控制装置，其特征在于，所述第一Al掺杂浓度为0.5wt％～1.5wt％。4.根据权利要求3所述的多层AZO薄膜的制备方法，其特征在于，使用Al掺杂浓度0.5wt％～1.5wt％的AZO靶材溅射生长一层厚度约100～120nm的AZO薄膜的AZO靶材溅射生长一层厚度约100～120nm的AZO薄膜。5.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王芸，姚婷婷，金良茂，杨勇，钟汝梅，张宽翔，蒋继文，李刚，曹欣，徐根保，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31