一种基于高分子模板的三氧化钼纳米纤维制备方法技术

本发明专利技术提出一种基于高分子模板的三氧化钼纳米纤维制备方法，以负载四硫代钼酸铵的纳米纤维薄膜为模板，以三氧化钼粉末为生长源，用物理气相沉积的方法制备三氧化钼纳米纤维。此外，本发明专利技术的制备方法是将有机材料作为模板，进而制备出形貌均一的三氧化钼纳米纤维，将有机材料与无机材料很好地结合在一起，高效的制备出特定的形貌结构。本发明专利技术的三氧化钼纳米纤维的制备方法简单易行。此外得到的三氧化钼纳米纤维在可见光区域的吸收较三氧化钼粉末有所增强，能够提高三氧化钼的光催化性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于高分子模板的三氧化钼纳米纤维制备方法
本专利技术属于钼的化合物领域，具体涉及一种三氧化钼纳米材料的制备方法。
技术介绍
三氧化钼由于其特殊的结构和优异的性能受到越来越多的关注，在光学、化学化工、催化剂等领域有着潜在的应用价值。但是传统的三氧化钼已经越来越不能满足高性能钼金属材料的要求，而纳米三氧化钼由于其独特的性能，不仅可以用来制备高性能钼金属，而且其在气体传感器、信息显示与储存、光致变色和电致变色器件、电池电极等领域有着潜在的应用价值，因此制备纳米级三氧化钼的方法得到了广泛研究。迄今为止，人们通过各种各样的方法制备得到了不同形貌的三氧化钼，常见的制备方法包括：溶剂/水热法、沉积法、气相法等，通过这些方法制备得到了球状三氧化钼、片层三氧化钼、三氧化钼纳米带、三氧化钼纳米线等不同形貌。三氧化钼作为N型半导体材料在诸多方面都有广泛的应用，例如：三氧化钼半导体材料在特定波长光的照射下，表面受激发产生电子-空穴对，在适当的介质中发生氧化还原反应，可被应用于分解有机污染物。但是如何提高三氧化钼的性质是人们不断探索的一个重要的方面，纳米级三氧化钼的独特性使其在诸多方面都有着很大的应用价值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于高分子模板的三氧化钼纳米纤维制备方法，其特征在于，以负载四硫代钼酸铵的纳米纤维薄膜为模板，以三氧化钼粉末为生长源，用物理气相沉积的方法制备三氧化钼纳米纤维。

【技术特征摘要】
1.一种基于高分子模板的三氧化钼纳米纤维制备方法，其特征在于，以负载四硫代钼酸铵的纳米纤维薄膜为模板，以三氧化钼粉末为生长源，用物理气相沉积的方法制备三氧化钼纳米纤维。2.根据权利要求1所述的三氧化钼纳米纤维制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：(1)将质量浓度为10-20％的有机高分子材料溶液与浓度为0.5-1.0g/ml的四硫代钼酸铵溶液充分混合均匀，得到纺丝溶液；(2)利用静电纺丝的方法制备得到负载四硫代钼酸铵的纳米纤维薄膜，静电纺丝条件为:注射速度为0.3-0.6毫升/小时,收集距离为10-20厘米，电压为10-18KV；(3)以步骤(2)所得纳米纤维薄膜为模板，以三氧化钼粉末为生长源，利用物理气相沉积的方法制备，其条件为：在常压下，加热区温度为700-900℃，基底片区温度为300-700℃，反应时间为30-90分；然后自然冷却到室温，得到三氧化钼纳米纤维。3.根据权利要求1所述的三氧化钼纳米纤维制备方法，其特征在于，所述有机高分子材料选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚丙烯腈中的一种或多种，所述有机高分子材料的分子量为500000-1300000。4.根据权利要求1所述的三氧化钼纳米纤维制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨蓉，王田，王琛，
申请(专利权)人：国家纳米科学中心，
类型：发明
国别省市：北京,11