一种高摆率快速瞬态响应LDO电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种高摆率快速瞬态响应LDO电路
本专利技术属于电子电路
，具体涉及到一种高摆率快速瞬态响应LDO电路。
技术介绍
低压差线性稳压器(LDO)具有低压差、低功耗、低噪声、占用芯片面积小等特点，可应用于电池供电、电源管理等方面。双倍速率同步动态随机存储器DDR内存芯片作为计算机的核心部件，其供电原理如图1所示。内存芯片由电源电压Vdd供电，输出电位经过数据总线(Databus)后输入其它芯片，电阻R3为总线电阻，电阻R4为总线终端(Bustermination)电阻。传统供电方式将电阻R4接地，其功耗更大，响应速度也不够快。
技术实现思路
本专利技术的目的是设计一中高摆率快速瞬态响应的LDO，提高驱动级输出摆率，在瞬态切换时为栅极电容的充放电提供极大的充电电流，提高瞬态响应速度，本专利技术可作为DDR内存芯片的新型供电方式，有效的减小了功耗。本专利技术的技术方案为：一种高摆率快速瞬态响应LDO电路，包括由电流源Ib、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第一PMOS管MP1、第二PMOS...
【技术保护点】
一种高摆率快速瞬态响应LDO电路，其特征在于，包括由电流源(Ib)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)和第十PMOS管(MP10)组成的输入级，第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)和第二功率管(MNP2)组成的NMOS跨导线性环，第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第...
【技术特征摘要】
1.一种高摆率快速瞬态响应LDO电路，其特征在于，包括由电流源(Ib)、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第九NMOS管(MN9)、第十NMOS管(MN10)、第十一NMOS管(MN11)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)和第十PMOS管(MP10)组成的输入级，第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)和第二功率管(MNP2)组成的NMOS跨导线性环，第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)和第七PMOS管(MP7)组成的PMOS跨导线性环，第三NMOS管(MN3)、第三PMOS管(MP3)、第十一PMOS管(MP11)、第十二NMOS管(MN12)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(Rc)、米勒补偿电容(Cc)、输出电容(Co)和第一功率管(MNP1)，第十NMOS管(MN10)的栅漏短接并连接第九NMOS管(MN9)和第十二NMOS管(MN12)的栅极以及电流源(Ib)，第八PMOS管(MP8)的栅漏短接并连接第九NMOS管(MN9)的漏极、第十PMOS管(MP10)和第十一PMOS管(MP11)的栅极，第九PMOS管(MP9)的栅漏短接并连接第十一NMOS管(MN11)的漏极和第三PMOS管(MP3)的栅极，第一NMOS管(MN1)的栅漏短接并连接第十一NMOS管(MN11)的栅极和第一PMOS管(MP1)的漏极，第二NMOS管(MN2)的栅漏短接并连接第二PMOS管(MP2)的漏极和第三NMOS管(MN3)的栅极，第一PMOS管(MP1)的栅极接基准电压(VREF)，其源极接第二PMOS管(MP2)的源极和第十PMOS管(MP10)的漏极，第三PMOS管(MP3)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十PMOS管(MP10)和第十一PMOS管(MP11)的源极接电源电压(VDD)，第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第九NMOS管...
【专利技术属性】
技术研发人员：明鑫，魏秀凌，高笛，张家豪，马亚东，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，电子科技大学广东电子信息工程研究院，
类型：发明
国别省市：四川,51
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