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一种高摆率快速瞬态响应LDO,属于电子电路技术领域。采用跨导线性环结构,包括第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8和第二功率管MNP2组成的NMOS跨导线性环,第四PMO...该专利属于电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院所有,仅供学习研究参考,未经过电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院授权不得商用。