一种HJT光伏电池的制备方法技术
Preparation method of HJT photovoltaic cell
The invention discloses a preparation method of HJT photovoltaic cells, the preparation method comprises the following steps: providing N type silicon wafer, and texturing operation on the silicon wafer; on the surface of the silicon wafer by sequentially depositing first intrinsic amorphous silicon layer, N type amorphous silicon layer and silicon nitride in the lower layer; the surface of the silicon wafer are deposited second intrinsic amorphous silicon layer and the P type amorphous silicon layer; the P antireflection layer is formed on the back of an amorphous silicon layer; forming positive contact metal electrodes; anti layer for screen printing in the back. The HJT photovoltaic cell prepared by the preparation method of the invention has low cost and easy operation, and the conversion efficiency of the prepared battery is high.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池
，具体地说，涉及一种HJT光伏电池的制备方法。
技术介绍
全世界十亿以上的人住在无电或缺电地区，人们的电量需求日益迫切。而随着全世界环境保护意识的高涨，以及地球升温所造成的自然灾害日益严重，人们对传统能源的关注点逐渐下降，转而对无污染、可再生的太阳能、风能等能源进行研究使用。太阳能电池市场将会正在持续快速发展。异质结是指两种不同的半导体相接触所形成的界面区域。异质结通常具有两种半导体各自的PN结都不能达到的优良的光电特性，使它适宜于制作超高速开关器件、太阳能电池以及半导体激光器等。由于其具有不可替代的优势，目前对异质结太阳能电池(HJT光伏电池)的研究开展地如火如荼。传统的HJT光伏电池的制备，生产成本较高，银浆、各种靶材以及光刻胶的消耗量较大，不适用于大面积推广使用。此外，由于在电池正面采用TCO材料，会因为TCO的吸光特性而造成大量的功率损失，电池效率不高。因此，目前需要一种能够降低生产成本、提高光电转换效率的HTJ光伏电池的制备方法。
技术实现思路
为了克服现有技术中存在的缺陷，降低各种昂贵原材料的使用量、提高HJT光伏电池的电...
【技术保护点】
一种HJT光伏电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：a)提供N型硅片，并对所述硅片进行制绒操作；b)在所述硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及氮化硅层；在所述硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；c)在所述P型非晶硅层上形成背面减反层；d)形成正面接触金属电极；e)在所述背面减反层上进行丝网印刷。
【技术特征摘要】
1.一种HJT光伏电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：a)提供N型硅片，并对所述硅片进行制绒操作；b)在所述硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、N型非晶硅层以及氮化硅层；在所述硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层和P型非晶硅层；c)在所述P型非晶硅层上形成背面减反层；d)形成正面接触金属电极；e)在所述背面减反层上进行丝网印刷。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤d)进...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳毅，贺海晏，单伟，王仕鹏，黄海燕，陆川，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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