一种测试结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种测试结构，包括N组子测试结构，其中，N为正整数，且N≥2；所述子测试结构包括至少一条具有第一线宽的第一互连线、至少一条具有第二线宽的第二互连线和至少一个通孔；所述通孔在第一方向上的第一宽度小于所述通孔在第二方向上的第二宽度，所述第一方向为互连线的宽度方向，所述第二方向为互连线的延伸方向；每组子测试结构中所述第一互连线和第二互连线的上下对齐偏差值不一致。本实用新型专利技术的所述测试结构的通孔阻值稳定，能够提高上下层互连线的测试对齐偏差值与实际对齐偏差值的拟合系数，提高测试的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种测试结构
本技术涉及半导体集成电路
，特别涉及一种测试结构。
技术介绍
随着半导体工艺技术的发展，半导体器件越来越集成化，半导体器件中的互连线的层数也越来越多，上下层的互连线通过通孔(Via)导电连通，而上下层的互连线的对齐偏差值会影响通孔的阻值，任何一个通孔的失效都可能影响半导体器件的性能。因此，在半导体制程中，测试上下层互连线的对齐偏差值至关重要。目前，业界针对上下层互连线的对齐偏差值的现有测试结构存在测试结果与实际对齐偏差值的拟合系数偏低的现象，即通过现有的测试结构得出的测试结果与实际对齐偏差值相差较大，这样，不利于半导体制程中发现问题和分析问题，测试的可靠性差。因此，针对上下层互连线的对齐偏差值的测试需要提供一种改进的测试结构。
技术实现思路
本技术提供一种测试结构，可以提高测试值与实际值的拟合系数，可以更加真实而准确的反映出上下层互连线的对齐偏差情况，提高测试的可靠性。为解决上述技术问题及其他相关问题，本技术提供的测试结构包括N组子测试结构，其中，N为正整数，且N≥2；所述子测试结构包括至少一条具有第一线宽的第一互连线、至少一条具有第二线宽的第二互连线和至少一个通孔；其中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试结构，其特征在于：所述测试结构包括N组子测试结构，其中，N为正整数，且N≥2；所述子测试结构包括至少一条具有第一线宽的第一互连线、至少一条具有第二线宽的第二互连线和至少一个通孔；其中，所述通孔将所述第一互连线和第二互连线导电连通，所述通孔在第一方向上的第一宽度小于所述通孔在第二方向上的第二宽度，所述第一方向与第二方向相互垂直，且所述第一方向为所述第一互连线的宽度方向，所述第二方向为所述第一互连线的延伸方向；所述第一互连线和第二互连线分别位于上下两层互连层中，所述第一互连线和第二互连线相互平行；以及每组所述子测试结构中所述第一互连线和第二互连线的上下对齐偏差值不一致。

【技术特征摘要】
1.一种测试结构，其特征在于：所述测试结构包括N组子测试结构，其中，N为正整数，且N≥2；所述子测试结构包括至少一条具有第一线宽的第一互连线、至少一条具有第二线宽的第二互连线和至少一个通孔；其中，所述通孔将所述第一互连线和第二互连线导电连通，所述通孔在第一方向上的第一宽度小于所述通孔在第二方向上的第二宽度，所述第一方向与第二方向相互垂直，且所述第一方向为所述第一互连线的宽度方向，所述第二方向为所述第一互连线的延伸方向；所述第一互连线和第二互连线分别位于上下两层互连层中，所述第一互连线和第二互连线相互平行；以及每组所述子测试结构中所述第一互连线和第二互连线的上下对齐偏差值不一致。2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一宽度与所述第一互连线的第一线宽相等。3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一宽度为30n...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐俊杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：新型
国别省市：天津,12